本文综述了PDP电极、障壁、MgO保护膜制造工艺和MgO保护膜沉积、封接、充气、排气和封口一体化系统规模生产技术的最新进展。

本文利用蒙特卡罗方法，模拟了氩气辉光放电鞘层内离子的运动过程，得到了不同气压和不同放电电压下离子入射阴极的能量分布和角度分布。模拟基于离子与中性原子的电荷转移碰撞和弹性散射两种物理过程，并且分别考虑了碰撞截面与能量相关和不相关两种情况。同时较为系统地研究了放电参数对离子能量分布和角度分布的影响。

金刚石薄膜紫外光探测器对紫外光有较高的灵敏度和良好的开关特性。本文讨论了该器件的光电流随入射光波长的变化和开关时间响应。实验证明，金刚石薄膜是一种良好的紫外光探测材料。

本文讨论了氧对Spindt型钼微尖锥FED器件发射性能的影响，并介绍了一种减少这种影响的方法——在氩气环境中焊封FED器件。

本文推导了金属／绝缘体场致发射电流密度公式，并应用于金刚石／碳薄膜场致发射，对其现象获得较好的解释，同时指出了提高发射电流密度的因素和相应方法。

根据脉冲激光测距仪目前广泛应用的达通型硅雪崩光电二极管(Si-APD）的噪声谱密度，从理论和实验结果分析各种测距精度的脉冲激光测距仪，在不同脉冲宽度条件下，Si-APD的负载电阻、接收放大器带宽、噪声等效功率、最小可探测功率以及信噪比等数据，并将其进行比较。说明保持Si-APD器件的最佳工作状态是提高激光测距仪的探测灵敏度和测量数据的稳定性、可靠性的重要条件。

本文采用了180°输入测量的新方法研究了光纤隔离器隔离度随着输入线偏振光偏振方向变化。并对其进行了详细的讨论与分析。研究的结果对于该类光纤隔离器的设计和测试具有一定的参考价值。

利用可变光栅模液晶光学传感器设计了一种光学十字开关互联网络系统，该系统可实时地重新组合光学十字开关互联，液晶光学传感器执行强度-空间频率转换。讨论了这种互联网络系统的特性和最优化问题。

详细介绍了彩色PDP封接涂胶设备的研制过程及其工作原理、起始段均匀性处理、系统功能、软件设计等相关技术。

LCoS的核心——显示芯片既不同于普遍的IC芯片，又非传统的TFT-LCD驱动电路与显示矩阵简单组合的芯片，而是一块多功能、多结构、与现代CMOS制造工艺息息相关的片上系统(SOC：systemonchip),即整个显示系统集成到一个芯片上，因此SOC类芯片的设计必须全盘考虑整个系统的各种情况，也正是因为如此综合周全，与普通IC组成的系统相比，SOC可以在同样的工艺技术条件下，实现更高性能的系统指标.以新型的系统芯片方式设计生产的新一代微型显示器－LCos应用前景预计将非常广阔。

首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电(TCO)薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温度下制备的TCO薄膜，对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电离子的有效电荷数大致呈反比关系，在载流子浓度相同的情况下，随着复合几率增大，价态差分别为3和4的TCO薄膜中的带电离子的平均有效电荷分别趋于1和2，因此带电离子散射迁移率也随之增大，分别趋于价态差为1和2的TCO薄膜的带电离子散射迁移率。而对于价态差为3的TCO薄膜，由于电中性复合粒子数量较少，对载流子的散射最弱，因此在复合几率较大的情况下，价态差为3的TCO薄膜有可能获得比价态差为1的TCO薄膜更高的载流子迁移率。