光学学报, 2022, 42 (17): 1716001, 网络出版: 2022-09-16   

宽禁带半导体光电材料及其应用研究 下载: 1514次特邀综述

Wide Band Gap Semiconductor Optoelectronic Materials and Their Applications
作者单位
1 浙江大学材料科学与工程学院,浙江 杭州 310027
2 浙江大学温州研究院,温州市光电及纳米新材料重点实验室,浙江 温州 325006
基本信息
DOI: 10.3788/AOS202242.1716001
中图分类号: TN304
栏目: 材料
项目基金: 浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01171)、浙江省省级重点研发计划(2021C01030)、浙江省博士后科研项目择优资助(ZJ2021143)
收稿日期: 2022-06-10
修改稿日期: 2022-07-06
网络出版日期: 2022-09-16
通讯作者: 叶志镇 (yezz@zju.edu.cn)
备注: --

叶志镇, 王凤志, 陈芳, 陆杨丹. 宽禁带半导体光电材料及其应用研究[J]. 光学学报, 2022, 42(17): 1716001. Zhizhen Ye, Fengzhi Wang, Fang Chen, Yangdan Lu. Wide Band Gap Semiconductor Optoelectronic Materials and Their Applications[J]. Acta Optica Sinica, 2022, 42(17): 1716001.

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