宽禁带半导体具有独特的电子结构、丰富的微纳结构、低温可控制备、可柔性透明化、化学稳定性好、物丰价廉等特点，成为信息技术与环境技术新的重要基础材料。以氧化锌和钙钛矿这两种宽禁带半导体材料为例，分别介绍了两种材料的制备原理及方法、光电特性及其在紫外光源、透明导电薄膜、发光二极管等领域的应用。最后对其发展进行了展望。

以六亚甲基四胺和硝酸锌为原料，采用水热法在90 ℃条件下反应24 h，于Si衬底上制备出一维ZnO纳米梭材料。采用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和高分辨透射电镜等方法对样品形貌和晶体结构进行了表征。结果表明，所得ZnO纳米梭形貌一致、尺寸均匀，为六方纤锌矿型结构，具有良好的结晶性能。对ZnO纳米梭的光致发光性能的研究表明，该纳米梭具有很强的紫外发光峰，缺陷发光很弱，说明其结晶质量良好。本文还对ZnO纳米梭的水热反应机理和形核长大机制进行了探讨。

采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明，退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明：退火后薄膜的电学性能明显改善，得到了p-ZnO薄膜，退火温度为450 ℃时取得最佳电学性能：室温电阻率为139.2 Ω·cm，迁移率为0.2 cm2·V-1·s-1，空穴浓度为2.5×1017 cm-3。XPS分析表明：Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在，N主要以N—H键的形式存在，其受主NO的作用不明显，但是否存在NaZn-NO受主复合体，还需进一步的研究。

为了研究激光参数对Ag纳米粒子胶体的影响,采用不同重复率和能量密度的脉冲激光对蒸馏水中的Ag靶烧蚀10 min来制备Ag纳米粒子胶体。通过透射电镜(TEM)和紫外-可见(UV-Vis) 分光光度计分析了Ag纳米粒子胶体的大小、形貌和吸收光谱,同时由Image-ProPlus软件分析计算了粒子的平均粒径及其分布。结果表明,由重复率为10 Hz,能量密度为4.2 J/cm2的脉冲激光烧蚀10 min后制备的Ag胶体纳米粒子平均粒径最小(D=17.54 nm),粒径分布最窄(δ=36.86 nm),且形貌较均匀。从而证实了通过调节激光参数来控制纳米粒子尺寸和形貌的可行性。另外,在实验基础上,应用“熔化生长”与“爆炸”模型讨论了激光烧蚀工艺参数对Ag纳米粒子胶体的影响规律。

本文介绍了掺铟ZnO透明导电膜的制备工艺.并应用半导体物理理论分析了薄膜的导电机理,用Drude理论建立了物理模型,分析与计算了薄膜从可见到红外光波段的光学性能,结果表明,理论计算与实测值两者符合得较好.