作者单位
摘要
1 同济大学物理科学与工程学院精密光学工程技术研究所,上海 200092
2 上海大学理学院,上海 200444
3 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽 合肥 230029
Mo/Si多层膜是13.5 nm极紫外波段理想的反射镜膜系,它与极紫外光源的结合使得极紫外光刻成为了目前最先进的制造手段之一。极紫外光源的实际应用对Mo/Si多层膜提出了高反射率、高热稳定性、抗辐照损伤、大口径等诸多要求。针对极紫外光源用Mo/Si多层膜面临的膜厚梯度控制和高温环境问题,利用掩模板辅助法对大口径曲面基底上不同位置处的多层膜膜厚进行修正;选择C作为扩散阻隔层材料,对磁控溅射法制备的Mo/Si、Mo/Si/C和Mo/C/Si/C三种多层膜在300 ℃高温应用环境下的热稳定性展开了研究。研究结果表明:通过掩模板辅助的方式能够将300 mm口径曲面基底上不同位置处的Mo/Si多层膜膜厚控制在预期厚度的±0.45%以内,基底上不同位置处Mo/Si多层膜的膜层结构和表面粗糙度基本相同;引入C扩散阻隔层后,经过300 ℃退火,Mo/Si多层膜的反射率损失从9.0%减少为1.8%,说明C的引入能够有效减少高温对多层膜微结构的破坏和对光学性能的影响,提高了多层膜的热稳定性。
激光光学 紫外光源 Mo/Si多层膜 磁控溅射 膜厚控制 热稳定性 
中国激光
2024, 51(7): 0701014
魏子娟 1高熙泽 1孟翔宇 1李政言 1,4,*[ ... ]陆培祥 3,4,***
作者单位
摘要
1 华中科技大学光学与电子信息学院,湖北 武汉 430074
2 华中科技大学物理学院,湖北 武汉 430074
3 华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北 武汉 430074
4 湖北光谷实验室,湖北 武汉 430074
超短超强激光脉冲驱动的高次谐波是一种极紫外到软X射线波段的光源,具有指向性好、时空相干性高、亮度高等优点。高次谐波不但是在阿秒时间尺度上研究电子动力学的基础,而且其各类技术优点也使之成为一种有效的桌面型极紫外相干光源,在集成电路制造在线检测、材料科学、生物医药等领域中具有广泛应用。然而,受限于传统钛蓝宝石固体飞秒激光的平均功率和高次谐波传播过程中的转换效率,目前高次谐波极紫外光源的平均功率亟待提高。介绍了高重复频率、高平均功率高次谐波极紫外光源的产生方式及其应用。首先介绍了光纤、固体、啁啾光学参量放大器等新型高重复频率、高平均功率飞秒激光驱动源在高次谐波产生方面的研究进展,之后讨论了激光高次谐波在弱电离气体介质中的宏观传播效应和相位匹配条件。在此基础上,介绍了高平均功率高次谐波极紫外光源在成像检测方面的应用。
非线性光学 高次谐波 紫外光源 飞秒激光器 极紫外成像检测 
中国激光
2024, 51(7): 0701001
王佶 1,2赵昆 1,2,*
作者单位
摘要
1 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家研究中心,北京 100190
2 松山湖材料实验室,广东 东莞 523808
高重复频率极紫外光源已被广泛应用于电子动力学研究,并且在阿秒谱学研究和显微成像中有广阔的应用前景。高重复频率极紫外光源正在朝更高重复频率、更高光子通量、更高光子能量和更短脉宽的方向发展。介绍了高重复频率极紫外光源的产生和调控,以及极紫外光源应用的分辨能力优化,并展望了高重复频率极紫外光源的未来发展趋势。
非线性光学 超快光学 高次谐波 紫外光源 
中国激光
2024, 51(7): 0701002
沈辉 1,2潘其坤 1,*张冉冉 1赵崇霄 1[ ... ]郭劲 1
作者单位
摘要
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激光与物质相互作用国家实验室;吉林 长春 130033
2 中国科学院大学,北京 100049
为了提升激光等离子体极紫外光刻机光源中高重复频率、短脉冲CO2主振荡功率放大系统能量提取效率,需开展种子光光强截面分布与激光放大器增益分布的耦合匹配特性研究。基于欧拉-拉格朗日公式与Frantz-Nodvik方程,采用变分法求解了特定增益分布下最优种子光光强分布函数,研究了种子光半径、种子光光强分布与放大器增益分布对功率提取效率的影响。数值模拟表明:当脉冲种子光功率为500 W时,基模高斯光束的最优光束半径为0.54 cm,低功率种子光的最优光束半径与放大器增益宽度不相等;当脉冲种子光功率为2000 W时,高阶超高斯光束的最优光束半径接近增益区域半径,8阶超高斯光束对应的最佳光束半径为0.9 cm,功率提取值为3409 W,采用高阶的增益分布和与之匹配的超高斯光束能够极大提升放大器的能量提取值。该研究结果将为脉冲CO2主振荡功率放大系统的设计提供理论指导。
紫外光源 CO2激光 脉冲放大 增益-光强匹配 变分法 
激光与光电子学进展
2023, 60(23): 2314008
作者单位
摘要
1 山东大学 材料液固演变与加工教育部重点实验室,山东 济南 250061
2 Department of Physics,Georgia Southern University,Statesboro,GA 30460,USA
光发射波长小于320 nm的深紫外发光材料具有光子能量高和不受室内环境光干扰等特性,在光化学与光医学领域具有重要应用前景,近年来受到国内外学者的广泛关注。本文利用固相合成法制备了Pr3+单掺和Pr3+?Gd3+共掺的LiYSiO4∶Pr3+和Li(Y,Gd)SiO4∶Pr3+深紫外上转换发光材料。在450 nm蓝光(激光或LED)激发下分别实现了C区紫外和窄带B区紫外上转换发光,发光峰值分别位于280 nm和313 nm。系统研究了蓝光激发功率对深紫外上转换发光性能的影响规律,证实了蓝光激发下的双光子上转换发光物理机制。探索利用LiYSiO4∶Pr3+作为光转换层,以蓝光LED作为激发源,设计构筑了新型荧光转换型UVC光源,并展示了该光源在室外光学定位与追踪领域的应用。
紫外上转换发光 紫外光源 Pr3+ Pr3+-Gd3+ 光学定位与追踪 ultraviolet upconversion luminescence ultraviolet light source Pr3+ Pr3+-Gd3+ optical locating and tracking 
发光学报
2022, 43(9): 1436
作者单位
摘要
1 浙江大学材料科学与工程学院,浙江 杭州 310027
2 浙江大学温州研究院,温州市光电及纳米新材料重点实验室,浙江 温州 325006
宽禁带半导体具有独特的电子结构、丰富的微纳结构、低温可控制备、可柔性透明化、化学稳定性好、物丰价廉等特点,成为信息技术与环境技术新的重要基础材料。以氧化锌和钙钛矿这两种宽禁带半导体材料为例,分别介绍了两种材料的制备原理及方法、光电特性及其在紫外光源、透明导电薄膜、发光二极管等领域的应用。最后对其发展进行了展望。
材料 氧化锌 紫外光源 透明导电薄膜 钙钛矿 发光二极管 
光学学报
2022, 42(17): 1716001
林楠 1,2,*杨文河 1,2陈韫懿 1,2魏鑫 1,2[ ... ]冷雨欣 2,**
作者单位
摘要
1 上海大学微电子学院,上海 200072
2 中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学工程部(筹),上海 201800

随着芯片特征尺寸的不断减小,借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈,使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商用极限。极紫外光刻(EUVL)采用13.5 nm的极紫外光源,被认为是下一代光刻商用化路线必需的技术。综述了激光等离子体13.5 nm EUVL光源的原理和最新进展,分别从驱动光源、靶材、收集镜等关键子系统展开介绍。讨论了激光等离子体光源进一步发展过程中需要解决的问题,如提升激发光功率、提高转换效率及延长光源寿命,特别分析了日本Gigaphoton公司和荷兰ASML公司的EUVL光源装置。

光学设计 紫外光源 激光等离子体 液滴锡靶 转换效率 光源碎屑 
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922002
作者单位
摘要
1 东北师范大学 紫外光发射材料与器件教育部重点实验室, 吉林 长春 130024
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室, 吉林 长春 130033
3 Department of Physics, Georgia Southern University, Statesboro, GA 30460, USA
提到荧光粉光转化(Phosphor-converted,PC)类型的光源, 人们熟悉的是白光照明或近红外波段的光源, 而对紫外波段PC光源的概念比较陌生。本文基于蓝光激发的上转换发光现象, 提出了一个新型PC紫外光源的概念。首先选取 Lu2Pr0.01Gd0.99Al2Ga3O12上转换荧光粉为展示材料, 该材料在 450 nm 激光辐照下发射位于313 nm的紫外线。随后, 采用刮涂工艺将该荧光粉材料制备成荧光陶瓷薄膜。通过蓝光远程激发荧光粉层的方法对荧光薄膜的紫外发射进行了成像演示。目前来看, 尽管这个PC设计的光转换效率并不高, 但光谱和成像实验显示了其作为紫外光源的可行性。该设计可以为明亮环境下的紫外示踪或指示等应用提供选择。
荧光粉光转化 PC紫外光源 Pr3+ 离子上转换 Gd3+ 发射 荧光陶瓷薄膜 phosphor-converted(PC) PC ultraviolet light source upconversion of Pr3+ emission of Gd3+ phosphor composition film 
发光学报
2021, 42(2): 131
作者单位
摘要
厦门大学物理学系,微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心,半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建省半导体材料及应用重点实验室,厦门 361005
AlGaN量子结构是实现高光效、高稳定紫外固态光源的核心。近年来,AlGaN半导体材料及其紫外光源应用研究取得了较大的进展。然而,AlGaN材料的生长制备只能在非平衡条件下完成,涉及的生长动力学问题十分复杂,制约了量子阱等结构品质的提高;材料带隙宽,p型掺杂难度大,激活效率低,限制了载流子注入;光学各向异性显著,不利于光从器件正面出射。因此,AlGaN基紫外、特别是深紫外波段器件性能还有待提高。本文梳理了AlGaN量子结构与紫外光源效率之间的关系,详细阐述和总结了有源区量子结构、p型掺杂量子结构以及光学各向异性调控等方面所面临的挑战及近年来的重要研究进展。
量子结构 紫外光源 AlGaN AlGaN quantum structure UV emission device 
人工晶体学报
2020, 49(11): 2068
作者单位
摘要
中国科学院微电子研究所, 北京 100029
实验研究了放电频率、电脉冲能量、碎屑缓冲气体流量等极紫外光源参数对极紫外辐照损伤测试系统聚焦光束性能的影响。测试结果表明:极紫外辐照损伤测试系统焦深为±1.5 mm;聚焦光斑尺寸及单脉冲能量随光源电脉冲能量的增大而明显增大,受光源放电频率影响较小;典型工作条件下,光斑尺寸在0.79~1.44 mm之间,聚焦光束单脉冲能量在112.09~436.06 μJ范围内;在200 Hz、5.0 J时聚焦光束单脉冲能量最高为436.06 μJ,聚焦光束单脉冲能量密度最高达到31.53 mJ/cm 2,在1500 Hz、4.6 J时聚焦功率密度达32.87 W/cm 2;最优缓冲气体Ar气工作气压为1~2 Pa,此时聚焦光束单脉冲能量最优。该测试研究可为极紫外辐照损伤测试研究中系统参数优化及设置提供指导参考。
激光光学 极紫外 极紫外辐照损伤测试系统 紫外光源参数 聚焦光斑 聚焦能量 
中国激光
2020, 47(6): 0601004

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