基于柔性掩膜板制备半导体场效应管

靳亚茹; 于佳鑫

doi:doi:10.3969/j.issn.1005-5630.2023.001.012

光学仪器, 2023, 45 (1): 80, 网络出版: 2023-03-20

基于柔性掩膜板制备半导体场效应管

Fabrication of semiconductor field effect transistor based on a flexible stencil

靳亚茹于佳鑫 ^*

作者单位

上海理工大学光电信息与计算机工程学院，上海 200093

图 & 表

图 1. 掩膜板几何结构图

Fig. 1. Geometric structure of stencil

下载图片查看原文

图 2. 器件制备流程示意图

Fig. 2. Schematic diagram of process flow of the device fabrication

下载图片查看原文

图 3. CdSe纳米带背栅场效应晶体管结构示意图

Fig. 3. Schematic of CdSe nanobelts backgate field effect transistor

下载图片查看原文

图 4. 掩膜板不同尺寸沟道的光学显微镜图

Fig. 4. Optical micrographs of channels with different sized stencil

下载图片查看原文

图 5. 刚性掩膜板沟道沉积金属前后的光学显微镜图

Fig. 5. Optical micrographs of rigid shadow masked channels before and after metal deposition

下载图片查看原文

图 6. 处理前后的掩膜板沟道和CdSe纳米带的光学显微镜图以及CdSe纳米带的PL光谱图

Fig. 6. Optical micrographs of stenciled channels before and after treatment and CdSe nanobelts and PL spectra of CdSe nanobelts

下载图片查看原文

图 7. CdSe纳米带背栅场效应晶体管的I-V特性曲线

Fig. 7. I-V characteristic curve of CdSe nanobelts backgate FET

下载图片查看原文

表 1电极图案参数

Table1. Parameters of the electrode pattern

图案位置	d₁/μm	d₂/μm	d₃/μm	d₄/μm	r/μm
ROW1	40	200	800	400	150
ROW2	40	200	800	400	150
ROW3	50	200	800	400	150
ROW4	50	200	800	400	150

查看原文

靳亚茹, 于佳鑫. 基于柔性掩膜板制备半导体场效应管[J]. 光学仪器, 2023, 45(1): 80. Yaru JIN, Jiaxin YU. Fabrication of semiconductor field effect transistor based on a flexible stencil[J]. Optical Instruments, 2023, 45(1): 80.

基于柔性掩膜板制备半导体场效应管

图 1. 掩膜板几何结构图

Fig. 1. Geometric structure of stencil

图 2. 器件制备流程示意图

Fig. 2. Schematic diagram of process flow of the device fabrication

图 3. CdSe纳米带背栅场效应晶体管结构示意图

Fig. 3. Schematic of CdSe nanobelts backgate field effect transistor

图 4. 掩膜板不同尺寸沟道的光学显微镜图

Fig. 4. Optical micrographs of channels with different sized stencil

图 5. 刚性掩膜板沟道沉积金属前后的光学显微镜图

Fig. 5. Optical micrographs of rigid shadow masked channels before and after metal deposition

图 6. 处理前后的掩膜板沟道和CdSe纳米带的光学显微镜图以及CdSe纳米带的PL光谱图

Fig. 6. Optical micrographs of stenciled channels before and after treatment and CdSe nanobelts and PL spectra of CdSe nanobelts

图 7. CdSe纳米带背栅场效应晶体管的I-V特性曲线

Fig. 7. I-V characteristic curve of CdSe nanobelts backgate FET

表 1电极图案参数

Table1. Parameters of the electrode pattern

关于本站 Cookie 的使用提示

全站搜索

基于柔性掩膜板制备半导体场效应管

图 1. 掩膜板几何结构图

Fig. 1. Geometric structure of stencil

图 2. 器件制备流程示意图

Fig. 2. Schematic diagram of process flow of the device fabrication

图 3. CdSe纳米带背栅场效应晶体管结构示意图

Fig. 3. Schematic of CdSe nanobelts backgate field effect transistor

图 4. 掩膜板不同尺寸沟道的光学显微镜图

Fig. 4. Optical micrographs of channels with different sized stencil

图 5. 刚性掩膜板沟道沉积金属前后的光学显微镜图

Fig. 5. Optical micrographs of rigid shadow masked channels before and after metal deposition

图 6. 处理前后的掩膜板沟道和CdSe纳米带的光学显微镜图以及CdSe纳米带的PL光谱图

Fig. 6. Optical micrographs of stenciled channels before and after treatment and CdSe nanobelts and PL spectra of CdSe nanobelts

图 7. CdSe纳米带背栅场效应晶体管的I-V特性曲线

Fig. 7. I-V characteristic curve of CdSe nanobelts backgate FET

表 1电极图案参数

Table1. Parameters of the electrode pattern

相关论文

相关资讯

关于本站 Cookie 的使用提示

全站搜索