由低维InAs材料和其他二维层状材料堆叠而成的垂直范德华异质结构在纳米电子、光电子和量子信息等新兴领域中应用广泛。探索跨结界面的电荷转移机制对于全面理解该类器件的非凡特性至关重要。第一性原理计算在揭示界面电荷转移特性与各种能量稳定型InAs基范德华异质结的电、光、磁等原理物理特性和器件性能变化之间的内在关系方面发挥着不可比拟的作用。文中梳理、总结和探讨了近年来InAs基范德华异质结间界面电荷转移特性的理论研究工作与潜在的功能应用，提出在理论方法和计算精度方面大力发展第一性原理计算的几个途径，为更好地开展InAs基范德华异质结的基础科学研究和应用器件设计提供可借鉴的量化研究基础。

光电探测器在通讯、环境、健康和**等日常生活及****等领域中应用广泛。随着时代的发展，对光电探测器在灵敏度、响应速度及波长范围等方面的性能要求与日俱增。低维材料独特的电学及光电特性使其在光电子器件领域具有重要的应用前景。为了充分利用低维材料的优势，克服其暗电流大、吸收率低的不足，研究人员提出将铁电材料与低维材料结合，利用铁电材料的剩余极化作用形成强局域场调控载流子浓度以提高低维材料的光电探测能力。文中总结了近年来铁电局域场增强低维材料光电探测器的研究成果，介绍了铁电材料对一维纳米线、二维材料以及低维结型器件的调控和性能提升方面的相关研究。最后，对铁电局域场增强低维材料光电探测器的发展趋势进行了简要的总结和展望。

自石墨烯时代以来，具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials，2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性，光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段，具有应用于新一代光电探测器件的潜力。此外，2DLMs不受晶格匹配的限制，能以范德瓦尔斯力(Van der Waals，vdWs)与其他维度材料如体材料、纳米线和量子点等结合，制备得到性能独特且优异的复合结构器件。文中概述了几种应用在光电探测器领域的新型2DLMs异质结光电探测器的研究进展，主要包括基于二硒化钨(WSe₂)、黑砷磷(AsP)、三硫化铌(NbS₃)、二硒化钯(PbSe₂)等异质结光电探测器，这些异质结光电探测器在异质结器件结构设计与新型二维半导体工艺技术应用方面做出了创新，在器件增益、结整流比、响应速度与波长探测范围等多个重要器件性能方面获得了突破性的研究成果。同时，文中还简要分析了这类器件研究当前所面临的挑战，并对其未来的发展方向进行了展望。