针对直接倒焊(Ⅰ型)、间接倒焊(Ⅱ型)两种红外探测器模块，两者中的探测器芯片、硅读出电路和引线基板的尺寸完全相同，只在倒焊封装结构上有所差异，用有限元方法分析比较了这两种封装形式的基本模块于液氮温度时的热应力和形变大小情况，分析结果与实验现象符合较好，模块低温形变值的测量验证了有限元分析结果的合理性.

激光三角测量方法因其具有结构简单、非接触、信号处理便捷等特点而得到广泛应用。针对工程应用中提出的高精度、大工作距离的测量要求,从激光三角位移传感器结构、光斑定位不确定度和定标方法等方面进行分析,分别讨论了各个因素对于测量精度的影响,并提出了优化方案。经实验验证,该激光三角位移测量系统在110 mm的工作距离下测量误差小于1.2 μm,优于在同等工作条件下的商用激光三角位移传感器。

对采用单层ZnS和双层CdTe/ZnS两种钝化层结构的长波碲镉汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究.通过辐照过程中实时测试器件的电流－电压特性, 发现随着辐照剂量的增加, 两种器件表现出不同的辐照效应.结合光伏器件的电流机制分析, 对器件的电阻－电压曲线进行数值拟合, 发现器件的主要电流机制在偏压较大时为间接隧道电流, 在偏压较小及零偏压附近时为产生－复合电流.对辐照前后器件的电阻－电压曲线进行对比分析, 认为CdTe/ZnS双层钝化结构有助于降低辐照位移效应的影响, 使得器件间接隧道电流随辐照剂量无明显的增加；同时发现辐照电离效应的影响与器件材料的初始性能参数密切相关, 拟合得到ZnS单层钝化结构的器件具有较高的少子产生－复合寿命, 受电离效应的影响较大, 导致其产生－复合电流随着辐照剂量增加持续增大.

介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn 结制备光敏元, 通过间接倒焊技术和读出电路互联, 采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏 元的响应截止波长达到9.9μm, 相应的 R 0 A 达到10Ωcm 2 , 平均峰值探测率达到9.3×10 10 cmHz 1/2 W -1 , 响应不均匀 性为8%, 有效光敏元率大于99.5%.

报道了γ射线辐照对薄膜材料碲镉汞(Hg_1－xCd_xTe)制备的中波红外焦平面列阵探测器性能的影响。γ射线辐照的剂量依次为3×10⁶rad、9×10⁶ rad、2×10⁷rad。测量了器件在辐照前及各个剂量辐照后的Ⅰ－Ⅴ特性、黑体响应、噪声等性能参数。通过分析实验数据，发现器件的暗电流，噪声随辐照剂量的增加而增大，黑体响应随辐照剂量的增大而减小。其中Ⅰ－Ⅴ特性受辐照影响最大，黑体响应和噪声对辐照不是很敏感。这些表明随着辐照剂量的增加，器件的性能逐步衰退。

叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术研究的一些成果.对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述.研究表明,7.6 cm(3 in)材料的组分均匀性良好,晶格失配引发的孪晶缺陷可以通过合适的低温成核方法得到有效抑制.在GaAs和Si村底上外延的HgCdTe材料的(422)X射线衍射半峰宽的典型值为55″～75″.对ICP技术刻蚀HgCdTe的表面形貌、刻蚀速率、反应微观机理、负载效应和刻蚀延迟效应以及刻蚀损伤进行了研究,得到了高选择比的掩模技术和表面光亮、各向异性较好的刻蚀形貌.采用HgCdTe多层材料试制了长波n-on-p以及p-on-n型掺杂异质结器件以及双色红外短波/中波焦平面探测器,取得了一些初步结果.