绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成, 采用Smart-Cut工艺制备, 可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性, 同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器, 具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用, 综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。

选择不同厚度的 Ce:GAGG 闪烁晶体 (2, 4, 6, 8, 10 mm), 通过透过率 测试分析自吸收对 Ce: GAGG 闪烁晶体性能的影响, 同时研究晶体表面不同粗糙度、不同封装、不同耦合方式对 Ce: GAGG 闪烁晶体光输出、能量分辨率的影响。实验结果表明通过优化 Ce: GAGG 闪烁晶体样品表面粗糙度、封装反射层和耦合方式, 能大幅度提高 Ce: GAGG 闪烁晶体样品的光输出和能量分辨率。使 用 137Cs 标准放射源, 测试得到 Ce: GAGG 闪烁晶体样品的最佳能量分辨率为 7.0%。15.3cm -0.2cm

加速度压电传感器是反应堆内常用的振动测量器件, 其核心部件是压电陶瓷材料。由于在强核辐射环境下, 中子和γ线分别于压电陶瓷内的原子核和核外电子发生相互作用, 发生微观损伤, 此损伤经由分子尺度、介观尺度直至会表现为宏观性能(包括材料的压电性能及表观形貌信息等)的变化, 将影响器件的性能。长时间、高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能变化已有研究, 然而短时间、高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能变化的研究较少。该文在辐射装置上进行压电陶瓷材料的高剂量率γ线辐照, 随后对材料辐照前、后的压电性能、表观形貌等信息进行实验测试, 通过测试结果分析了高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能的影响。