1 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054
2 中国电子科技集团第四十四研究所，重庆 400060
3 中国电子科技集团第二十四研究所，重庆 400060
本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性，以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点，通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层，在不影响响应速度的条件下，提高了探测器在近红外波段响应特性。并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题，提出了解决方案。测试结果表明，该器件的量子效率可达80%，峰值波长为940 nm，光响应度达到0.55 A/W，暗电流降至700 pA，响应时间为200 ns。
全硅PIN光电探测器 黑硅 量子效率 光响应度 响应速度 暗电流 all-silicon PIN photodetector black silicon quantum efficiency light responsivity responding speed dark current
