本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性，以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点，通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层，在不影响响应速度的条件下，提高了探测器在近红外波段响应特性。并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题，提出了解决方案。测试结果表明，该器件的量子效率可达80%，峰值波长为940 nm，光响应度达到0.55 A/W，暗电流降至700 pA，响应时间为200 ns。

有机光敏晶体管是一种在有机场效应管结构中引入光控“栅极”的新型光探测器件, 其光灵敏度、光响应度性能参数与源/漏电极和有源层的接触情况关系密切。本文通过真空蒸发法分别制备了采用金电极和铝电极的单层并五苯及酞菁铜有机光敏晶体管。研究了它们在黑暗和光照条件下的输出及转移特性。结果表明, 高迁移率的并五苯有源层更适合搭配接触特性较好的金电极, 该器件具有和铝电极器件相同高水平的光灵敏度~3×104, 但其光响应度是铝电极器件的13倍; 而低迁移率的酞菁铜薄膜较适合搭配能够和有源层形成肖特基接触的铝电极, 有利于抑制暗电流、增强激子解离效率、提高光电流, 进一步使器件在获得和金电极器件同数量级光响应度的同时, 其光灵敏度是金电极器件的102倍。本文对光照下电极/有源层肖特基接触的能带变化做了理论分析, 总结归纳了有机光敏晶体管电极材料和有源层材料的初步筛选规律。

作为一种优秀的光吸收半导体材料, 有 机-无机杂化钙钛矿被广泛应用于光电领域。为了制备高 性能光电探测器件, 采用溶液法制备了高度有序、超长的CH3NH3PbI3 纳米线, 并将其应用于Au/CH3NH3PbI3/Au平面型光电探测器。该 器件具有宽的工作波段, 在紫外-可见光-近红外(365 ～ 808 nm) 光谱范围内均有响应。其最大光响应度达到3.81 A · W－1, 比探 测率为3.7×1011 Jones, 开关比为4.9×103, 光响应时间约 为7 ms。由于具有优异的光探测能力, 该器件拥有广阔的应用前景。

采用60Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验, 以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时, 采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明, 随着辐照总剂量的增加, 器件的光响应度迅速下降; 当总剂量达60 krad(Si)时, 相对光响应度降低至辐照前的6%。根据像增强型图像传感器的构成, 分析了光响应度下降的原因, 并推导了光响应度随辐照剂量变化的经验公式。实验显示, 提高像增强型图像传感器的增益电压可补偿光响应度的衰减, 总剂量达25 krad(Si)时, 增益提高0.23 V其光响应度即可恢复至未接受辐照前的100%, 并保持良好的微光探测能力。研究表明, 像增强型图像传感器可承受25 krad(Si)的总剂量辐射。

制备了基于酞菁铜(CuPc)的有机光敏场效应晶体管，对器件的光敏特性进行了研究。实验结果表明，基于金源漏电极的器件，在波长655 nm，光强100 mW/cm2的光照下，明/暗电流比约为0.4，光响应度约为2.55 mA/W;而铝为源漏电极的器件，可以获得高达104的明/暗电流比，但光响应度降低为0.39 mA/W。

文章对40 Gbit/s PIN/TIA组件的光纤耦合进行了理论分析，并进行了一些实验研究。通过使用紫外胶和精细固化方法， 进行了光纤耦合固定，使得40 Gbit/s PIN/TIA组件灵敏度达到国内领先水平。经测试，40 Gbit/s PIN光纤精细对准后的响应度可达0.65 A/W，耦合固定后的光响应度超过0.46 A/W。

介绍了准确测量线阵CCD转移效率及响应度非均匀性的实验方法、装置及测试结果.采用小光点注入法，在自动化装置上实现数据采集，用移动寻峰和直线拟合法处理数据.文章还分析了影响测量结果的诸多因素.