在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层，以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示，InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加， SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移； PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变；通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱；时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态，并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程，以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。

采用高温固相法合成了绿色荧光粉CaBa2(BO3)2∶Tb3+ 并对其发光特性进行了研究。发射峰值位于496, 549, 588, 622 nm,分别对应Tb3+的5D4 →7F6、5D4 →7F5、5D4 →7F4、5D4 →7F3 能级跃迁。其中以496 nm和549 nm的发射峰最强,样品呈现很好的绿色发光。 主要激发峰位于200~300 nm之间, 属于4f75d1宽带吸收。考察了Tb3+掺杂浓度和Li+ , Na+ 和 K+ 作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响,几乎不发生浓度猝灭现象, Li+的补偿效果最好。还确定了原料CaCO3、BaCO3、H3BO3的最佳配比, 当H3BO3过量3%时, 合成的晶体发光亮度最好。

采用高温固相法合成了LiSrPO4∶Tb3+发光材料，测定了荧光粉的激发光谱和发射光谱，该荧光粉的激发主峰位于330~390 nm，属于4f→4f电子跃迁吸收，与UVLED管芯相匹配。在紫外激发下的发射峰由位于490 nm(5D4-7F6)、545 nm(5D4-7F5)、585 nm(5D4-7F4)、622 nm(5D4-7F3)的四组线状峰构成，对应Tb3+的特征跃迁，其中545 nm处最强，呈现绿色发光。考察了掺杂离子浓度对样品发光效率的影响，Tb3+的最佳掺杂摩尔分数为9%，分析了其自身浓度猝灭机理，探讨了敏化剂Ce3+离子的加入对荧光粉发光强度的影响。LiSrPO4∶Tb3+是一种适用于白光LED的绿色荧光材料。

采用高温固相法合成了LiCaPO4∶Eu2+蓝色发光粉，并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470 nm，属于Eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射，与结构相似的LiSrPO4∶Eu2+和NaBaPO4∶Eu2+相比其峰值有明显红移。Eu2+在LiCaPO4晶体中可被250~440 nm光有效激发，这与紫外发光二极管的发射光谱(350~410 nm)匹配。考察了Eu2+的掺杂浓度对发光强度的影响，最佳掺杂摩尔分数为5%，摩尔分数超过5%后发生猝灭现象。浓度猝灭机理为电多极-电多极的交互作用。LiCaPO4∶Eu2+是适合UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光粉。

采用高温固相法合成Ba₅CaAl₄O₁₂:Tb³⁺绿色荧光粉,并对其发光性质进行研究。Ba₅CaAl₄O₁₂:Tb³⁺在239 nm 激发下,跃迁发射峰值位于489,543,550,587 和623 nm,分别对应于Tb3+的5D4→7F6,5D4→7F5,5D4→7F4和 5D4→7F3的能级跃迁。样品的紫外激发光谱表明,Ba₅CaAl₄O₁₂:Tb³⁺基质吸收是位于240 nm附近的宽带吸收。研究 Tb3+浓度对样品发光强度的影响,当Tb3+掺杂摩尔分数为4%时,发光强度达到最大。加入H3BO3和NH4Cl 两种助熔剂均不同程度地提高了该荧光粉的发光强度,且随着助熔剂浓度的增加发光强度先逐渐增强后下降。相比两种助熔剂发现,NH4Cl 比H3BO3的效果更好,更有利于荧光粉的发光。