在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层，以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示，InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加， SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移； PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变；通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱；时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态，并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程，以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。

报道了Sm2+离子的上转换发光。在实验上证明了变价镧系离子同样可以作为上转换材料的发光中心。在近红外光的激发下, 复合BaFCl0.5Br0.5∶1%Sm2+-CaF2∶1%Yb3+化合物发出红色上转换发光。上转换发射光谱中位于631, 644, 665, 689, 704, 729 nm的特征发射分别来自于样品中Sm2+的5Di(i=0,1)→7Fj(j=0,1,2)特征跃迁。根据动力学分析及光子数拟合的结果, 我们将二价Sm离子的上转换过程归因于合作能量传递, 即: 两个同时被激发的Yb3+离子合作将能量传递给一个Sm2+离子。

不同的散斑场会显示出不同的灰度分布特征,并对数字图像相关方法的计算结果有着重要影响。使用计算机模拟生成一系列单向拉伸图像和双向拉伸图像,并在生成的图像中添加噪声,从而获得一系列含噪声单向拉伸图像和含噪声双向拉伸图像。使用数字图像相关方法对无噪声图像和含噪声图像分别进行相关计算,并分析研究图像应变量与相关计算结果正确率间的关系,研究结果表明发现当图像的应变量在一定范围内时,数字图像相关方法计算结果的正确率较高。同时发现,当图像的应变量较小时,噪声对相关计算结果的影响较大,随着图像应变量的增大,噪声对相关计算结果的影响逐渐减小,当图像的应变量到达一定程度时,噪声对相关计算的影响就不明显了。

左炔诺孕酮(LNG)不溶于水和紫外光照易分解的特点, 限制了其在鼠类不育剂中的应用。 该研究采用溶液法, 制备出LNG的羟丙基-β-环糊精(HP-β-CD)包合物, 建立了准确简便的紫外光谱定量检测方法; 通过相溶解度法确定了HP-β-CD与LNG的包合摩尔比为1∶1, 25 ℃时LNG-HP-β-CD包合物的稳定常数为187.3 L·mol-1; 通过紫外光谱、 傅里叶变换红外光谱表征, 验证了包合物的形成; 对包合物的抗紫外光降解性能进行了测试, 表明在50 h内包合物的降解率小于5%, 远低于药物单体。 结果表明, HP-β-CD对LNG具有良好的包合作用, 可显著提高该药物的水溶性和紫外稳定性。

针对惯性约束聚变(ICF)中环形孔径编码图像的恢复问题提出了一种改进的维纳滤波方法。在传统的维纳滤波方法中,由于原图像和噪声是未知的,故通常是用某一待定常量来代替其中的噪声与信号的谱密度之比。这种近似忽视了信号与噪声本身的信息,从而造成丢失某些关键的细节,难以达到高质量的图像复原效果。在改进的方法中,首先采用传统维纳滤波方法求得初始估值,然后利用该初始值求得原图像及噪声的谱密度估值,进而利用这些新获得的信息构成改进的维纳滤波器对退化图像进行第二次滤波。实验表明,这种改进方法可以克服原方法的不足,突出图像的一些关键细节,提高图像的整体质量。在仿真实验中,恢复图像的均方误差降低了15%以上;在实际惯性约束聚变图像的解码恢复实验中,图像恢复效果亦有显著改善。该方法还可以推广到其他图像恢复的应用中。