中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜; 采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜; 采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析, 结果表明, 复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良, 说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL), 其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。
复合氮化铝压电薄膜 Ku及K波段声体波微波延迟线(BAWDL) 低插损 composite piezoelectric AlN thin films Ku and K band BAWDL low insertion loss
