以采用化学气相沉积法(CVD)生长的单层石墨烯为导电电极、四硫代钼酸铵水溶液为电解质, 通过电化学沉积法合成了二硫化钼/石墨烯(MoS2/graphene)垂直异质结。将合成的MoS2/graphene垂直异质结通过CVD在氢气(H2)和氩气(Ar)环境下进行退火处理。利用拉曼光谱、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)系统地分析了样品的物质成分、表面形貌和厚度等。这种简单、环保、低成本的制备大面积MoS2/graphene垂直异质结的方法具有普遍适用性, 为其他垂直异质结的制备开辟了新途径。

近几年来, 二维(2D)材料的研究, 已成为纳米科学最令人兴奋的领域之一。其中液相分离具有层状结构的块体材料来制备二维材料的方法成为研究热点 。相比于化学气相沉积(CVD)等自下而上的制备方法, 通过块体层状材料的剥离制备二维材料及其分散液的方法具有低成本、可大规模生产的优势。在这里主 要研究以液相剥离(LPE)的方法制备石墨烯(graphene)、六方氮化硼(h-BN)和四种过渡金属硫属化物(TMDs)溶液, 这种水溶性的二维材料具有绿色环保、成本 低等优点。使用拉曼光谱(Raman), 原子力显微镜(AFM), 扫描电子显微镜(SEM)等仪器对研制的层状纳米片的物质组分、表面结构等进行表征, 通过紫外(UV) 吸收光谱估算出不同离心转速下的浓度, 最后通过电化学工作站的循环伏安法(cyclic voltammetry)测出用于MoS2纳米片电解质门控的离子液体体电容, 分析 可见制得的二维材料纳米片平均尺寸在400 nm左右, 离子溶液的体电容为1.21 F/cm3, 该体电容是研究电子器件性能的关键性参数。上述表征结果对基于水溶 性二维材料纳米片的电子器件研究有着重要的科学与应用价值。