江南大学 物联网工程学院 电子工程系, 江苏 无锡 214122
以采用化学气相沉积法(CVD)生长的单层石墨烯为导电电极、四硫代钼酸铵水溶液为电解质, 通过电化学沉积法合成了二硫化钼/石墨烯(MoS2/graphene)垂直异质结。将合成的MoS2/graphene垂直异质结通过CVD在氢气(H2)和氩气(Ar)环境下进行退火处理。利用拉曼光谱、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)系统地分析了样品的物质成分、表面形貌和厚度等。这种简单、环保、低成本的制备大面积MoS2/graphene垂直异质结的方法具有普遍适用性, 为其他垂直异质结的制备开辟了新途径。
范德瓦尔斯力 四硫代钼酸铵 电化学沉积 拉曼光谱 原子力显微镜 Van der Waals force ammonium tetrathiomolybdate electrochemical deposition Raman spectroscopy atomic force microscopy
