1 中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点?笛槭?北京,100083
2 中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
3 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的.还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象.
Te等电子陷阱 压力 光致发光. Te isoelectronic traps pressure photoluminescence.
