1 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083
2 香港科技大学物理系,香港
研究了4块ZnS∶Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温15K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.
光致发光 流体静压 Te等电子陷阱 photoluminescence hydrostatic pressure Te isoelectronic centers ZnS∶Te ZnS∶Te
1 中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点?笛槭?北京,100083
2 中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
3 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的.还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象.
Te等电子陷阱 压力 光致发光. Te isoelectronic traps pressure photoluminescence.
