1 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083
2 香港科技大学物理系,香港
研究了4块ZnS∶Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温15K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.
光致发光 流体静压 Te等电子陷阱 photoluminescence hydrostatic pressure Te isoelectronic centers ZnS∶Te ZnS∶Te
1 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
2 清华大学物理系,北京,100084
报道了用纳米碳管模板法制备的GaP纳米棒的拉曼光谱特征. 观测到声子限制效应引起的GaP纳米棒TO和LO模的红移. 红移量一般在2～10cm-1之间,与所测到的纳米棒的尺寸有关. 在偏振特性研究中,发现GaP纳米棒的偏振特性不能用单根纳米棒的选择定则来解释,而与测量光斑内多根纳米棒的无序取向有关. 无序程度越高,偏振特性的方向性越弱. 当激发光功率增加时,GaP纳米棒的TO和LO模的?德氏灾跎?表明纳米棒中的激光加热效应比体材料中强很多. 而且GaP纳米棒的拉曼散射强度随激发光功率的增加先饱和,然后减小,表明在强激发功率下GaP纳米棒中的缺陷会迅速增加.
纳米棒 拉曼光谱 偏振特性. GaP GaP nanorods Raman spectra polarization properties.
1 中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点?笛槭?北京,100083
2 中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
3 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的.还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象.
Te等电子陷阱 压力 光致发光. Te isoelectronic traps pressure photoluminescence.
1 中国科学院半导体研究所
2 超晶格和微结构国家重点实验室,北京,100083
3 半导体材料科学实验室,北京,100083
测量了生长在(311)A面GaAs衬底上的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱,变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰,将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁.高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动,认为它来源于量子点中Γ能谷与价带之间的跃迁.在压力下还观察到了一个新的与X相关的发光峰,认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关.
量子点 压力 光致发光. InAlAs/AlGaAs InAlAs/AlGaAs quantum dot pressure photoluminescence.
