1 河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300130
2 天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130
钴(Co)具有较低的电阻率、良好的热稳定性、与铜(Cu)粘附性好等优点, 可以替代钽(Ta)成为14 nm以下技术节点集成电路(IC) Cu互连结构的新型阻挡层材料。化学机械抛光(CMP)是唯一可以实现Cu互连局部和全局平坦化的方法, 也是决定Co基Cu互连IC可靠性的关键技术。柠檬酸含有羟基, 在电离后对金属离子有较强的络合作用, 成为Co基Cu互连CMP及后清洗中的主要络合剂。文章评述了柠檬酸在Cu互连CMP及后清洗中的应用和研究进展, 包括柠檬酸对Cu/Co去除速率选择比、Co的表面形貌以及Co CMP后清洗中Co表面残留去除等方面的影响, 并展望了络合剂及Cu互连阻挡层CMP的发展趋势。
柠檬酸 铜互连 钴阻挡层 化学机械抛光 化学机械抛光后清洗 络合剂 citric acid copper interconnect cobalt barrier layer chemical mechanical polishing post CMP cleaning complexing agent
中原工学院理学院，郑州市低维量子材料及器件重点实验室，郑州 450007
研究络合剂、镀液pH值、温度对金刚石微粉低温化学镀镍品质的影响。在温度为35 ℃、pH值为5时，通过改变络合剂配比，对镀液稳定性，镀层沉积速率、形貌和磷(P)含量进行测试分析。结果表明，20 g/L的柠檬酸+5 g/L的琥珀酸为本文最优的络合剂配比，其化学镀液稳定性好、沉积速率较快(0.391 5 g/h)，镀层致密无漏镀，P含量为11.73%(质量分数)。用最优络合剂，通过改变镀液pH值、温度,对化学镀样品的镀层沉积速率、形貌、P含量进行测试分析。结果表明，镀液温度为35 ℃，pH值为3～13时，随着pH值增大，沉积速率逐渐增大，P含量逐渐减小。但pH值高于11时，反应速率过快，不易稳定镀液pH值，且镀液易分解，因此pH值在5～11较为合适。在镀液pH值为5，温度为30～50 ℃时，随着温度升高，沉积速率和P含量都随之增高，镀层致密无漏镀。但温度高于45 ℃时，反应速率过快，不易稳定镀液pH值，因此温度在35～45 ℃较为合适。
金刚石微粉 低温化学镀镍 络合剂 pH值 温度 diamond micro-powder low temperature electroless nickel plating complexing agent pH value temperature
1 中国科学院福建物质结构研究所, 福建 福州 350002
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
探讨了掺杂酸性络合剂和连续过滤两种溶液处理方法分别对KDP晶体和DKDP晶体快速生长和光学质量的影响, 测定了不同部位晶体样品的光学质量, 包括透过率, 散射点分布情况和激光的损伤阈值。实验表明适量的络合剂能提高生长晶体的质量：晶体中杂质金属离子含量明显减少, 紫外波段的透过率得到增加, 晶体内部散射点密度明显降低。采用连续过滤条件生长DKDP单晶, 光学质量测试的结果显示：晶体散射点密度显著降低, 激光损伤阈值得到提高。
非线性光学 KDP晶体 酸性络合剂 连续过滤
