利用高温固相反应法制备出Ba3Bi2-x(PO4)4∶xTb3+(x=0.05,0.1,0.15,0.3,0.4,0.5)绿色荧光粉。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、积分球式分光光度计和荧光光谱仪等对样品进行了分析。结果表明,所制备的样品均为Ba3Bi2(PO4)4纯相,Ba3Bi1.7(PO4)4∶0.3Tb3+的带隙估计值为4.21 eV。当激发光的波长为377 nm时,样品的发射光谱的波峰位于543 nm、584 nm和619 nm处,分别对应于Tb3+的5D4→7F5、5D4→7F4和5D4→7F3的能级跃迁。随着Tb3+掺杂浓度的增加,样品的发光强度先增强后减弱,当x=0.3时,发光强度最大。计算表明最近邻离子在Ba3Bi2-x(PO4)4∶xTb3+荧光粉的浓度猝灭中起主要作用。随着测试温度的升高,发光强度变化不大,表明样品具有优异的热稳定性能。CIE色坐标图表明所制备的样品可以被紫外光有效激发而发出绿光。

近年来, 钙钛矿量子点CsPbX3(X=Cl, Br, I)稳定性较差的问题引起了广泛关注。本文在室温下合成了稳定的CsPbBr3/Si3N4绿色荧光粉并将其应用于白光发光二极管(WLEDs)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、激发和发射光谱(PL、PLE)等分析测试手段对CsPbBr3 量子点和CsPbBr3/Si3N4荧光粉的结构、形貌、元素组成及光谱特性等进行了分析对比。实验结果表明, CsPbBr3/Si3N4绿色荧光粉的热稳定性、水稳定性、色稳定性均得到了显著提升。80 ℃时CsPbBr3/Si3N4荧光粉的发光强度能保持初始发光强度的87.4%, 水中浸没120 min后发光强度能保持初始发光强度的75.5%。CsPbBr3/Si3N4复合材料的量子效率则由CsPbBr3量子点粉体的15.4%提升至35.4%。将CsPbBr3/Si3N4复合材料与K2SiF6∶Mn4+红色荧光粉、InGaN基蓝光LED芯片封装制得的WLED器件色域为113.4% NTSC, 流明效率达49.4 lm/W。

采用溶胶凝胶法合成了荧光粉CaMoO4∶Ho3+。借助X射线粉末衍射仪、荧光光谱仪进行表征并利用Rietveld方法对其结构进行精修。研究了Ho3+的掺杂量对其光谱性质的影响并计算了CaMoO4∶Ho3+的色坐标。结果表明: Ho3+最佳掺杂量为2%(摩尔分数)，浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。该系列荧光粉的色坐标范围为x=(0.298 7~0.317 7)，y=(0.664 4~0.689 7)，属于绿色发光区域。CaMoO4∶Ho3+荧光粉在450 nm处可被有效激发，是一种有潜在价值的白光LED用绿色荧光粉。

采用高温固相法在温度900～1 100 ℃, 时间3 h的条件下制备出系列ZnO∶Zn荧光粉样品, 并进行了封装应用研究。 利用X射线衍射分析(XRD)、 场发射扫描电子显微镜(FESEM)、 荧光分光光度计(PL)和可见光光谱分析系统等手段对样品分别进行了表征分析。 研究结果表明: 所制备的荧光粉样品均具有ZnO晶型的六方纤锌矿结构, 样品可以有效地被近紫外光激发, 所发射的绿光光谱具有宽谱发射特征, 峰位于502 nm归属于氧空位发射, 同时940 ℃条件下制备的荧光粉样品具有最高的发光强度。 结合近紫外LED芯片和RGB荧光粉分别制备出绿光LED和白光LED, 其中绿光LED在不同驱动电流(250～500 mA)泵浦下表现出稳定的光谱发射特性, 发射光谱谱型和色坐标基本未变, 发射强度随电流升高而增加, 所制备的白光LED在色温3 212 K时, 显色指数达到94.1, 发光效率为85.6 lm·W-1(@300 mA, 9.3 V), 在(250～500 mA)驱动电流泵浦下同时也表现出稳定的光谱发射特性, 所制备的ZnO∶Zn绿色荧光粉对于制备高显色、 高品质近紫外白光LED具有潜在的应用价值。

采用高温固相法合成了BaSi2O2N2∶Eu2+蓝绿色荧光粉, 在440~460 nm蓝光激发下, 该荧光粉发射峰值波长488 nm的蓝绿色光。通过共掺杂微量Mg2+和Ge4+离子, BaSi2O2N2∶Eu2+蓝绿色荧光粉的热猝灭性能显著提升。在蓝光芯片激发下, 使用BaSi2O2N2∶Eu2+蓝绿色荧光粉搭配Y3(Al,Ga)5O12∶Ce3+黄绿色荧光粉以及CaAlSiN3∶Eu2+红色荧光粉, 可以封装色温6 500 K、显色指数Ra达到96.5、所有特殊显色指数R1~R15都大于90的全光谱白光LED。通过封装老化测试, Mg2+和Ge4+离子掺杂的BaSi2O2N2∶Eu2+蓝绿色荧光粉较未掺杂的荧光粉老化性能提升近1倍。

用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、正丁醇、环己烷和水组成的微乳液体系在水热环境下制备了一系列不同Tb3+掺杂浓度的CaF2Tb3+荧光粉。通过X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和能量色散光谱仪（EDS）来表征荧光粉的晶体结构、颗粒大小、形貌及成分，利用荧光的激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来表征荧光粉的荧光性能。实验结果表明：XRD测试结果与立方相CaF2吻合；SEM图像显示CaF2Tb3+荧光粉呈球形，且大小约为30 nm；荧光粉中Tb3+的最佳掺杂物质的量浓度为6%；光致发光发射光谱表明在259 nm光激发下该CaF2Tb3+ 荧光粉发出强的绿光。杰出的荧光特性使CaF2Tb3+荧光粉在荧光标记应用中成为一种有前景的绿色荧光粉。

采用高温固相法, 在1 300～1 400 ℃的还原气氛条件下, 合成了BaAl2-xSixO4-xNx∶Eu2+绿色荧光材料。该荧光材料是在BaAl2O4∶Eu荧光粉的基础上, 通过(SiN)+替代(AlO)+来获得的。随着N元素的引入, BaAl2O4∶Eu荧光粉的激发和发射光谱均发生红移。 此时, BaAl2-xSixO4-xNx∶Eu2+荧光材料可以被390～440 nm范围内的近紫外-蓝光有效激发, 发射出500～526 nm的绿光。因此, BaAl2-xSixO4-xNx∶Eu2+荧光粉是一种可用于白光LED的绿色荧光材料。

采用溶胶-凝胶法合成了Tb3+掺杂的LiAl5O8荧光粉并对其发光性能进行了研究。XRD分析表明，前驱物在750 ℃下灼烧2 h得到的样品为纯相的LiAl5O8。样品的激发谱为一宽带，其最强的峰位于231 nm。发射谱由4组窄带组成，其中最强峰位于542 nm，对应于Tb3+离子的5D4→7F5跃迁。最佳的Tb3+掺杂摩尔分数为0.01。探讨了Tb3+掺杂浓度、电荷补偿剂(Li+)和助熔剂(H3BO3)对样品发光性能的影响，结果表明，调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂和助熔剂均可以在很大程度上提高材料的发射强度。

采用溶胶-燃烧法合成了Tb3+掺杂的SrMoO4荧光粉并研究了它的发光性能。X射线衍射(XRD)显示, 前驱物在750 ℃下灼烧3 h得到的样品为纯相的SrMoO4。样品的激发谱由一宽带和一组窄峰组成, 其中激发强度较强的峰位于288 nm和375 nm。发射谱由4组窄带组成, 其中最强峰位于548 nm。对于548 nm(5D4→7F5 )发射峰, 最佳的Tb3+ 掺杂摩尔分数为0.05, 其浓度猝灭机理为Tb3+ 离子的电偶极-电偶极相互作用。当尿素用量为理论用量的3倍时, 发光强度最强。最佳烧结温度为750 ℃, 最佳烧结时间为3 h。当Tb3+摩尔分数为0.05时, 样品发光的CIE色坐标为(0.279 4, 0.565 2)。结果表明, Tb3+ 激活的SrMoO4是一种较好可应用于白光LED的紫外激发的绿光发光材料。

采用水热法合成了不同Tb³⁺浓度掺杂的单分散球形BaWO₄绿色荧光粉。通过粉末X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),能量色散光谱仪(EDS)来表征荧光粉的晶体结构、颗粒大小、形貌及成分;激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来表征荧光粉的荧光性能。XRD分析确认不同Tb³⁺浓度掺杂的BaWO₄具有白钨矿结构;SEM图像显示不同 Tb³⁺浓度掺杂BaWO₄为单分散的球形荧光粉以及颗粒大小为2-4 μm。研究Tb³⁺离子掺杂浓度对发光强度的影响,结果表明,荧光粉中Tb³⁺离子的最佳掺杂原子数分数为12%。发射光谱表明在254 nm的UV光激发下12% BaWO₄:罷b荧光粉样品与商用绿色荧光粉LaPO4:罜e,Tb发光强度相当。由于Tb掺杂的BaWO₄绿色荧光粉具有优良的发光性能和容易制备的特点,有望成为新一代的绿色荧光粉。