基于华虹0.18 μm BCD工艺，设计了一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准。电路采用5 V电源进行供电，基准输出电压为1.256 V。仿真结果表明，在-45~125 ℃的温度范围内，TT工艺角下，传统结构的温漂系数只能达到2.048×10-5/℃。采用新型分段温度补偿的带隙基准的温漂系数为3.631×10-6/℃，相比传统结构，温度系数降低了82.3%。静态功耗为220 μW。PSRR在低频可达到-102 dB，在350 kHz处有最差PSRR，但仍有-30 dB。该带隙基准适用于高精度、大电流开关电源的模拟集成电路。

在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源，为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5~65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片，如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的VGS确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25 μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5~65 V范围内基准变化小于1 μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10-5/℃。

基于0.35 μm CMOS工艺, 设计了一种高精度基准电压源电路。采用全MOS管实现电路, 避免使用大电阻以减小芯片面积。采用新型可变电阻方法, 实现了精确补偿。采用两级式基准电压源, 提高了电源抑制比。使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进行仿真。结果表明, 当温度范围为-40 ℃~125 ℃时, 基准电压为1.146 V, 温度系数为1.025×10-5 ℃-1。在27 ℃时, 静态电流为6.57 μA, PSRR分别为-96.64 dB @100 Hz、-93.94 dB@10 kHz。电源电压在2.9~5 V范围变化时, 基准电压的线性调整度为0.047％。该电路适用于低功耗、高精度的模拟集成电路。