提出了一种高压低功耗比较器电路。该电路基于05 μm CMOS工艺设计, 采用差分对单端输出结构, 利用高压PMOS尾电流进行偏置, 实现了降低功耗的目的。结果表明, 该电路静态电流约为825 μA, 工作电压范围为3～18 V, 输入失调电压为5 mV, 输入失调电流约6 fA, 输入偏置电流约25 pA。该电路适用于低功耗、高压模拟模拟集成电路领域。

在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源，为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5~65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片，如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的VGS确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25 μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5~65 V范围内基准变化小于1 μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10-5/℃。

采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种分段式马赫-曾德尔调制器(MZM)高速驱动电路。驱动电路输入级中,采用容性负反馈来提高带宽,采用共模反馈来稳定共模输出电平,并通过共模反馈实现了可变增益。输出级中,采用负密勒电容、T-coil和电感峰化技术来提高带宽。输出级之间的延迟时间由微带线产生,提出了一种微带线的设计方法。仿真结果表明,驱动电路的最高工作速率可达50 Gbit/s,输出VPP可达3 V,相邻输出级之间的延迟时间为4.9 ps。该驱动电路能较好地适用于分段式MZM。

提出了一种应用于低场核磁共振的采用混合信号传输的读出电路。该读出电路系统主要由前端放大器、接收机与后端模数转换器组成。提出的混合信号传输技术的本质在于利用相位域与电压域的混合模式检测，以及放大器与模数转换器之间的增益分配来增强线性度。采用018 μm CMOS工艺设计，仿真结果表明，在12 V的电源电压下，整体电路的功耗为05 mW，前端放大器的输入1 dB压缩点与IIP3分别为-931 dBm和-598 dBm，接收机的等效输入噪声仅为2 nV·Hz-1/2。

文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度，介绍了有源像素结构和图像传感器架构，分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型，重点介绍了低噪声CMOS图像传感器关键技术，包括共享参考像素差分共源放大器技术、相关多采样技术、像素内斩波技术，以及相关技术的电路级实现方式。