设计了一种基于高阶温度补偿与内建负反馈稳压技术的带隙基准, 所设计的带隙基准具有低温漂和高PSRR的优点。通过采用两对工作在亚阈值区的MOS管, 根据不同工作温度分段产生指数型补偿电流, 形成高阶温度补偿, 降低了带隙基准的温度系数。基于带隙基准输出电压, 通过内建负反馈稳压电路, 提高了带隙基准的电源抑制能力。基于Dongbu 0.18 μm BCD工艺, 完成了低温漂高PSRR带隙基准的设计、版图绘制和后仿真验证。带隙基准的版图面积为290 μm×200 μm。后仿真结果表明, 所设计的带隙基准在-45~125 ℃范围内温度系数仅为1.15×10-6/℃, 电源抑制比为83.22 dB; 在2.8~5.5 V电源电压变化下, 基准电压的平均值为1.212 V, 线性调整率为0.015%。

设计了一种无运放带隙基准电路，该电路采用电压自调节技术来稳定输出基准电压，并实现该带隙基准电路在较宽频率范围内的高PSRR。该基准采用无运放结构，在降低电路复杂性的同时，避免了运算放大器的失调电压对输出基准的温度系数的影响。基于0.18 μm BCD工艺，在Cadence环境下仿真得到该电路在10 Hz时，PSRR为-94 dB，在1 MHz时，PSRR为-44 dB；在-40~125 ℃温度范围内，温度系数为4×10-6/℃；包含启动电路在内，该电路静态电流约为14 μA，片上面积约为0.016 mm2。

基于华虹0.18 μm BCD工艺，设计了一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准。电路采用5 V电源进行供电，基准输出电压为1.256 V。仿真结果表明，在-45~125 ℃的温度范围内，TT工艺角下，传统结构的温漂系数只能达到2.048×10-5/℃。采用新型分段温度补偿的带隙基准的温漂系数为3.631×10-6/℃，相比传统结构，温度系数降低了82.3%。静态功耗为220 μW。PSRR在低频可达到-102 dB，在350 kHz处有最差PSRR，但仍有-30 dB。该带隙基准适用于高精度、大电流开关电源的模拟集成电路。

在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源，为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5~65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片，如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的VGS确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25 μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5~65 V范围内基准变化小于1 μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10-5/℃。

设计了一种标准CMOS工艺下抗总剂量辐射(TID)的带隙基准电压源。分析了传统结构在辐射环境下的固有缺陷。利用二极管正向导通电压受电流影响较小的特性,提高了带隙基准电压源的抗总剂量辐射能力。该基准电压源包含启动电路、基准核和自偏置电路。将基准电压源用于12位100 kS/s采样率A/D转换器的一个单元,进行了流片和测试。结果表明,经总剂量辐射试验后,该基准电压源的输出电压变化较小。在-55 ℃~125 ℃范围内,辐射前的温度系数为1.53×10-5/℃,辐射后的温度系数为1.71×10-5/℃。

基于180 nm BCD工艺, 在传统带隙基准结构的基础上, 设计了一种新型的无运放高性能带隙基准电压源。该带隙基准通过共源共栅电流镜技术和负反馈网络来调节参考电压, 消除了运放失调电压的不利影响。电路在Cadence Spectre下仿真。仿真结果表明, 设计的输出电压为1228 V; 在-40 ℃至125 ℃的温度范围内, 温度系数为147×10-6/℃; 在1 kHz时的PSRR约为-86 dB; 线性调整率为65×10-5/V。

设计了一款快速启动、高稳定性的实用型带隙基准电压源。基准源电路基于110?nm的CMOS标准工艺实现，使用Cadence软件进行仿真。仿真表明，在室温下，电源电压为3.3 V时，输出基准电压为1.2?V； 在-40?℃~85?℃范围内温度漂移系数为33?ppm/℃；电路启动时间为0.5?μs；电源电压抑制比在低频时达到-61?dB；功耗为0.967?mW；版图面积为50?μm×180?μm。该电路结构简单，易于集成，可应用于高速、高精 确度的数模转换器(DAC)。

为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能，本文基于标准CMOS(3.3 V)的chrt35rf 0.35 μm工艺，设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源，其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻，通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变，进而改变电路中的电阻比值，实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真，结果表明，在-25~125 ℃的工作温度范围内，带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0 ppm/℃，输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7 ppm/℃，输出基准电压变化为0.95~2.67 V，低频时基准电压的电源抑制比达到73.13 dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节，且调节范围较大。

设计了一种线性补偿低温漂高电源抑制比带隙基准电压源电路。带隙基准核心电路采用三支路共源共栅电流镜结构, 提高电路电源抑制比。补偿电路采用分段补偿原理, 在低温阶段, 加入一段负温度系数电流, 在高温阶段, 加入一段正温度系数电流, 通过补偿, 使带隙基准输出电压的精确度大大提高, 达到降低温度系数的目的; 同时电流镜采用共源共栅结构, 不仅提高电路的电源抑制比, 而且可以抑制负载对镜像晶体管电压的影响。基于 0.5 μm CMOS工艺, 使用 Cadence Spectre对电路仿真, 结果表明, 在 -50~+125℃温度范围内, 基准输出电压的温度系数为 2.62×10-6/℃, 低频时的电源抑制比 (PSRR)高达 88 dB。

设计了一种片上集成的高精确度、低功耗、无片外电容的低压差线性稳压器( LDO)。采用一种新型高精确度、带隙基准电压源电路降低输出电压温漂系数；采用零功耗启动电路和支路较少的摆率增强模块降低功耗，该电路采用 CSMC 0.5 μm CMOS工艺。经过 Cadence Spectre仿真验证，输出电压为 3.3 V，在3.5~5.5 V范围内变化时，线性调整率小于 0.3 mV/V，负载调整率小于 0.09 mV/mA，输出电压在 -40~+150 ℃范围内温漂系数达 10 ppm/℃，整个 LDO消耗17.7 μA的电流。