1 中北大学化学工程与技术学院，太原 038507
2 德州学院化学化工学院，德州 253023
3 北京大学分析测试中心，北京 100871
4 中国科学院理化技术研究所，人工晶体研究发展中心，中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室，北京 100190
全无机金属卤化物灵活多变的结构及优异的发光性能使其在固态光电子领域显示出重要的应用前景。本研究采用异价阳离子取代策略，用三价锑离子部分取代CsCdCl3中的二价镉离子，促进自陷激子的产生，使CsCdCl3∶Sb3+产生了明亮的宽带绿色发光，中心波长为530 nm。机理研究结果表明，CsCdCl3∶Sb3+ 中相邻SbCl6八面体被孤立，形成了低维电子构型，促进了Sb3+ 局域化，实现了量子效率最高为95.5%的高效发光。此外，尽管CsCdCl3和RbCdCl3均属于ACdCl3(A为碱金属家族)，但它们的晶体结构明显不同。RbCdCl3属于正交晶系，空间群为Pnma；CsCdCl3属于六方晶系，空间群为P63/mmc。CsCdCl3的结构对称性大于RbCdCl3，其晶体结构偏离立方相的扭曲程度比RbCdCl3小，导致CsCdCl3∶Sb3+比RbCdCl3∶Sb3+有较小的斯托克斯位移，并造成发射光谱的蓝移。本工作不仅为异价阳离子取代设计新的发光材料提供了方法，而且为通过晶体结构对称调控金属卤化物的发光性能提供了思路。
金属卤化物 异价阳离子取代 自陷激子 高量子效率 镉 绿色发光 metal halide heterovalent cation substitution self-trapped exciton high quantum efficiency cadmium green photoluminescence
1 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
2 中国科学院大学，北京 100049
基于分子束外延（MBE）生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外（MWIR）光电探测器结构材料，表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性。此超晶格中波红外探测器的50%截止波长约为5.5 μm，峰值响应率为2.6 A/W，77 K下量子效率超过了80%，与碲镉汞的量子效率相当。在77 K，-50 mV偏压下的暗电流密度为1.8×10-6 A/cm2，最大电阻面积乘积（RA）（-50 mV偏压）为3.8×105Ω·cm2，峰值探测率达到了6.1×1012 cm Hz1 / 2/W。
分子束外延 高量子效率 中波红外 molecular beam epitaxy high quantum efficiency mid-wavelength infrared
1 电子信息工程学院, 广东岭南职业技术学院, 广东 广州 510663
2 电子通信工程系, 广东轻工职业技术学院, 广东 广州 510300
设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层, 减小由极化引起的静电场, 增大电子和空穴波函数的交叠比, 从而增大了辐射复合速率。提高辐射复合速率有利于缓解电子泄露问题, 增加了LED的发光功率, 减小LED在大电流下的效率下降问题。新设计的芯片在大电流注入下, 发光功率是传统结构的两倍。
高量子效率 发光二极管 电子阻挡层 high quantum efficiency light emitting diode electron blocking layer
