作者单位
摘要
昆明物理研究所, 云南昆明 650223
主要从碲锌镉表面处理工艺及表面位错缺陷揭示两个方面对碲锌镉衬底的表面处理研究进行了详细介绍。从表面处理机理和工艺参数对衬底表面的影响两个方面介绍了机械研磨、机械抛光、化学机械抛光以及化学抛光 4种表面处理工艺。同时, 介绍了能揭示碲锌镉不同晶向表面的位错缺陷的 Everson、Nakagawa及 EAg三种化学腐蚀液。
碲锌镉(CZT) 表面处理 位错揭示 cadmium zinc telluride (CZT), surface processing, 
红外技术
2023, 45(11): 1242
作者单位
摘要
安徽工业大学能源与环境学院, 马鞍山 243002
以黏土为原料, 通过控制化学成分和烧结温度对Cd进行烧结固化, 测试其对Cd的固化率和浸出浓度的影响, 通过XRD、SEM、XPS、FTIR和重金属形态分析探讨黏土烧结过程中Cd的固化机理。结果表明: 提高Fe2O3含量有利于赤铁矿的生成, Cd在750 ℃时的残渣态占比高于其他样品; 提高铝硅比后, 样品中CdAl2Si2O8含量增多, 当铝硅比为0.3、温度为1 050 ℃时, Cd的固化率最高可达99.64%; CaO含量提高至3%(质量分数)后, 浸出浓度低于1 mg/L, 钙长石的形成可提高浸出液的pH值进而抑制Cd的浸出。黏土经烧结后可形成更致密的结构, 将Cd包裹在液相内, 同时Cd2+可取代Ca2+进入晶体中生成稳定的CdAl2Si2O8, 使得Cd在黏土中被固定。
 黏土 烧结 重金属形态 固化机理 cadmium clay sintering heavy metal speciation solidification mechanism 
硅酸盐通报
2023, 42(6): 2047
曾敏 1,2王晓 1,2万奇 1,2谢玮萍 1,2[ ... ]徐将 1,2,*
作者单位
摘要
1 江西农业大学工学院,江西 南昌 330045
2 江西省高校生物光电及应用重点实验室,江西 南昌 330045
为了降低或消除激光诱导击穿光谱(LIBS)检测过程中激光能量、背景辐射、噪声信号对特征光谱信息的影响,以镉靶材为对象,构建偏振分辨激光诱导击穿光谱(PRLIBS)系统,探索提高重金属污染物LIBS分析能力的方法。结合光波在多层媒介传播过程中的菲涅耳方程,分析入射光波长对光强透射比的作用机理,构建正入射方向上的等离子体辐射强度分光透射比模型。利用该模型获得了相同条件下的LIBS、PRLIBS光谱数据,比较了镉元素特征谱线强度的相对标准偏差(RSD),并分析了不同延迟时间下特征谱线强度的变化趋势。结果表明:在低能量密度情况下,PRLIBS具有明显的测量优势,可以采集到更多的特征峰信号,并且PRLIBS光谱特征谱线强度的RSD值小于相同检测参数下LIBS光谱特征谱线强度的RSD值,说明分光透射比模型能够有效提高等离子体光谱的稳定性;LIBS与PRLIBS的谱线强度随延迟时间的变化趋势一致,说明PRLIBS并不影响原有LIBS的延迟时间;随着脉冲能量增大,分光透射比模型可以有效降低基线漂移和背景辐射,增强光谱的分辨能力;分光透射比模型不仅保留了连续谱中的有效信息,还提高了谱线识别的稳定性,对于提高低激光能量诱导条件下LIBS特征谱线识别能力具有重要的参考意义。
光谱学 偏振分辨激光诱导击穿光谱 分光透射比 Glan-Thompson棱镜  识别能力 
中国激光
2023, 50(19): 1911003
作者单位
摘要
昆明物理研究所,云南 昆明 650223
液相外延是碲镉汞(MCT)薄膜生长领域最成熟的一种方法,被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备工艺的原因,液相外延生长过程中不可避免地会产生各种缺陷,从而降低红外探测器的性能。为了增加对液相外延MCT薄膜中缺陷的认识,并对具体的生长工艺提供指导性建议,基于已报道的文献总结了液相外延MCT薄膜中所存在一些缺陷的特征以及形成机理和消除方法。对各类缺陷的形成机理和消除方法进行探讨和评估,有助于提高MCT薄膜液相外延的水平,为制造高性能MCT探测器做好材料技术支撑。
碲镉汞材料 液相外延 缺陷形成机理 缺陷消除方法 mercury cadmium telluride liquid-phase epitaxy formation mechanism of defects defects elimination methods 
红外与激光工程
2023, 52(7): 20220804
赖思翰 1,*刘严松 1,2,3李成林 1王地 1[ ... ]沈茜 4
作者单位
摘要
1 自然资源部构造成矿成藏重点实验室(成都理工大学), 四川 成都 610059
2 中国地质调查局成都地质调查中心, 四川 成都 610081
3 中国地质大学(北京), 北京 100083
4 四川三合空间科技有限公司, 四川 成都 610094
稀散元素矿产资源是国民经济中的关键性矿产资源, 元素含量的提取是矿产资源潜力评价、 靶区优选的基础。 现有稀散元素含量分析面临快速检测、 潜力评价的需求, 基于高光谱的稀散元素含量反演是解决此问题的一种途径。 因此, 采集西藏斯弄多-则学矿集区的铅锌矿石, 开展铅锌矿石稀散元素镉(Cd)含量的高光谱反演方法与反演模型研究。 选用ASD Field Spec 3地物光谱仪及配套软件进行光谱数据采集和预处理; 在光谱特征分析基础上, 开展一阶微分(FD)、 二阶微分(SD)、 倒数的对数(AT)、 倒数对数的一阶微分(AFD)、 倒数对数的二阶微分(ASD)光谱数据变换处理, 结合皮尔森相关性系数(r)筛选特征波段, 进行随机森林(RF)、 人工神经网络(ANN)、 支持向量机(SVM)模型构建与反演, 选用决定系数(R2)和均方根误差(RMSE)评价反演模型效果与预测精度。 结果表明: 样品反射率集中于40%~60%区间; 1 420、 1 920和2 200 nm处形成吸收峰; 特征波段覆盖可见光和近红外波段, 771~2 051 nm为特征波段的最优区间。 SD光谱变换的降维效果最好, 筛选出15个特征波段; 其次为ASD和AFD光谱变换, 分别筛选出8个和2个特征波段。 FD与AT光谱变换未筛选出特征波段。 SD筛选的特征波段用于反演, 镉元素含量预测效果最好的是SD-ANN模型(R2=0.884, RMSE=2.679), 其次是SD-SVM模型(R2=0.830>0.8, RMSE=1.382), SD-RF模型预测效果最差(R2=0.505<0.6)。 ASD筛选的特征波段用于反演, 镉元素含量预测最好的是ASD-SVM模型(R2=0.857, RMSE=2.198), 其次是ASD-ANN模型(R2=0.846, RMSE=2.625)。 对比分析, 镉元素含量的高光谱反演模型效果为: SD-ANN>ASD-SVM>ASD-ANN>SD-SVM>ASD-RF>SD-RF。 该研究总结了铅锌矿石稀散元素镉的高光谱特征, 建立了镉元素含量的高光谱反演方法及模型, 为镉等稀散元素含量的高光谱反演、 无损检测、 快速分析提供了参考, 为高海拔勘探区稀散元素矿产资源的潜力评价、 靶区优选提供了科学支持。
稀散元素 镉含量分析 高光谱反演 可见光-近红外光谱 铅锌矿石 Rare-dispersed element Cadmium content analysis Hyperspectral inversion Visible and near infrared spectroscopy Lead zinc ore 
光谱学与光谱分析
2023, 43(4): 1275
张伟 1,2郑伟 1,3,*李凌云 2,**黄萍 1,3陈学元 1,3,***
作者单位
摘要
1 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院功能纳米结构设计与组装重点实验室,福建省纳米材料重点实验室,福建 福州 350108
2 福州大学材料科学与工程学院 先进材料技术重点实验室,福建 福州 350108
3 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室),福建 福州 350108
全无机零维金属卤化物因其独特的光学性能和可溶液法加工的特点,有望成为替代铅卤钙钛矿的新一代发光材料,在固态照明和光电探测等领域发挥重要作用。本文报道了一种Cd2+掺杂的Cs2ZnCl4新型黄光荧光粉。该材料在270 nm紫外光激发下,呈现565 nm的宽带、长寿命(11.4 ms)发光,荧光量子产率达到46.0%。通过变温高分辨光谱测试分析,证明了其发光来源于Cd2+3E→1A1禁戒跃迁,并且在低温下(<170 K)还观测到局域态激子的发光及其到Cd2+的高效能量传递过程。此外,该材料还展现出优异的抗热猝灭性能,150 ℃温度下的发光强度依然保持室温时的90.0%。本工作为Cd2+掺杂金属卤化物的激发态动力学提供了新发现,也为新型高效零维金属卤化物发光材料的设计开发提供了新思路。
金属卤化物 Cs2ZnCl4 镉掺杂 光致发光 激发态动力学 metal halide Cs2ZnCl4 cadmium doping photoluminescence excited-state dynamics 
发光学报
2023, 44(3): 518
田娜 1,2刘英才 1,2杨远航 1,2肖晨希 1,2[ ... ]宋娟 1,2
作者单位
摘要
1 陕西理工大学化学与环境科学学院,汉中 723001
2 陕西省催化基础与应用重点实验室,汉中 723001
3 陕西理工大学工程训练中心,汉中 723001
吡嗪化合物因其独特的结构及活性被广泛应用于制药、医学、化学等领域。水热法以水作为溶剂,具有绿色无污染、简单易操作等特点,是合成配合物的首选方法。本文以2,6-双(2-吡嗪基)吡啶-4-对苯甲酸(Hbppc)和CdCl2·2.5H2O为原料,用水热合成法合成了一例新型的配位化合物[Cd(bppc)(H2O)Cl]n,并运用单晶X射线衍射、红外光谱和拉曼光谱分析等手段对配合物的结构进行了表征,结果表明此配合物为一维链状结构。对自由配体2,6-双(2-吡嗪基)吡啶-4-对苯甲酸及配合物[Cd(bppc)(H2O)Cl]n进行荧光分析,结果表明所得配合物具有较好的荧光性质。
吡嗪羧酸镉配合物 晶体结构 荧光性质 水热法 pyrazinyl carboxylate cadmium complex crystal structure fluorescence property hydrothermal method 
人工晶体学报
2023, 52(2): 322
宋妍 1,2王录 1,2陈明星 3魏荣敏 2[ ... ]夏明军 4
作者单位
摘要
1 中北大学化学工程与技术学院,太原 038507
2 德州学院化学化工学院,德州 253023
3 北京大学分析测试中心,北京 100871
4 中国科学院理化技术研究所,人工晶体研究发展中心,中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室,北京 100190
全无机金属卤化物灵活多变的结构及优异的发光性能使其在固态光电子领域显示出重要的应用前景。本研究采用异价阳离子取代策略,用三价锑离子部分取代CsCdCl3中的二价镉离子,促进自陷激子的产生,使CsCdCl3∶Sb3+产生了明亮的宽带绿色发光,中心波长为530 nm。机理研究结果表明,CsCdCl3∶Sb3+ 中相邻SbCl6八面体被孤立,形成了低维电子构型,促进了Sb3+ 局域化,实现了量子效率最高为95.5%的高效发光。此外,尽管CsCdCl3和RbCdCl3均属于ACdCl3(A为碱金属家族),但它们的晶体结构明显不同。RbCdCl3属于正交晶系,空间群为Pnma;CsCdCl3属于六方晶系,空间群为P63/mmc。CsCdCl3的结构对称性大于RbCdCl3,其晶体结构偏离立方相的扭曲程度比RbCdCl3小,导致CsCdCl3∶Sb3+比RbCdCl3∶Sb3+有较小的斯托克斯位移,并造成发射光谱的蓝移。本工作不仅为异价阳离子取代设计新的发光材料提供了方法,而且为通过晶体结构对称调控金属卤化物的发光性能提供了思路。
金属卤化物 异价阳离子取代 自陷激子 高量子效率  绿色发光 metal halide heterovalent cation substitution self-trapped exciton high quantum efficiency cadmium green photoluminescence 
人工晶体学报
2023, 52(2): 307
吴忠航 1,2,*孙斌 2,3黄钢 1屈骞 4[ ... ]孙九爱 2
作者单位
摘要
1 上海健康医学院上海市分子影像学重点实验室,上海 201318
2 上海健康医学院医学影像学院,上海 201318
3 海军军医大学第一附属医院,上海 200433
4 上海交通大学医学院附属瑞金医院核医学科,上海 200020
核医学成像设备中的探测器是整个设备的核心部件。基于闪烁体探测器的核医学成像设备存在光电转换效率低和能量分辨率差等关键问题,短期内难以有效解决。而近年来碲锌镉半导体探测器的发展使得核医学成像设备在能量分辨率和空间分辨率等方面取得了很大的提高。本文以单光子发射计算机断层成像(SPECT)技术为例,首先介绍了核医学成像原理及设备组成,然后从碲锌镉探测器的工作原理及基本结构出发,综述了碲锌镉探测器的新技术及其在临床核医学的应用,最后结合核医学领域应用的需求展望了碲锌镉探测器的研究重点和技术发展趋势。
碲锌镉 探测器 核医学 单光子发射计算机断层成像 能量分辨率 光电转换效率 cadmium zinc telluride detector nuclear medicine SPECT energy resolution photoelectric conversion efficiency 
人工晶体学报
2023, 52(2): 196
作者单位
摘要
华北光电技术研究所, 北京 100015
硅与碲镉汞之间的外延碲化镉缓冲层能够减小外延过程中产生的高达107 cm-2的位错密度, 高温热退火是抑制材料位错的有效方法之一。传统的离位退火技术会导致工艺不稳定和杂质污染等, 而原位退火则可有效解决这些问题。利用原位退火技术对分子束外延生长的硅基碲化镉材料进行了位错抑制研究。对厚度约为9 m的碲化镉材料进行了6个周期不同温度的热循环退火, 并阐释了不同退火温度对硅基碲化镉材料位错的抑制效果。采用统计位错腐蚀坑密度的方法对比了退火前后材料的位错变化。可以发现, 在退火温度为520℃时, 位错密度可以达到1.2×106 cm-2, 比未进行退火的CdTe材料的位错密度降低了半个数量级。
原位退火 碲化镉 位错密度 in-situ annealing cadmium telluride dislocation density 
红外
2023, 44(2): 18

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