金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3 800 cm2/(V·s)、电子4 500 cm2/(V·s))、高热导率(22 W·cm-1·K-1)、高临界击穿场强(>10 MV/cm), 以及最优的Baliga器件品质因子, 使得金刚石半导体器件在高温、高频、高功率, 以及抗辐照等极端条件下有良好的应用前景。随着单晶金刚石CVD生长技术和p型掺杂的突破, 以硼掺杂金刚石为主的肖特基二极管(SBD)的研究广泛展开。本文详细介绍了金刚石SBD的工作原理, 探讨了高掺杂p型厚膜、低掺杂漂移区p型薄膜的生长工艺, 研究了不同金属与金刚石形成欧姆接触、肖特基接触的条件, 分析了横向、垂直、准垂直器件结构的制备工艺, 以及不同结构对SBD正向、反向、击穿特性的影响, 阐述了场板、钝化层、边缘终端等器件结构对SBD内部电场的调制作用, 进而提升器件反向击穿电压, 最后总结了金刚石SBD的应用前景及面临的挑战。

介绍了金属/碲镉汞(Hg1-x Cdx Te, MCT)接触研究的 发展状况，包括基本概念、生长结构、化学活性以及电学性能。金属/MCT接触有两类：一类是电子(欧姆)接触，另一类是整流(Shottky)接触。欧 姆接触是MCT红外探测器的一个重要组成部分，它决定了器件的性能和可靠性。欧姆接触的电阻小，与MCT黏附性好，并且在热循环条件下可保持性能 稳定。由于需要具有较大功函数的接触金属，p型MCT很难实现，而n型MCT则可以用很多金属实现。