介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响, 分析了多晶硅电阻非线性产生的原因。提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法。采用仿真和测试, 对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能。结果表明, 经过多晶硅电阻补偿和非线性补偿后的D/A转换器达到了更优的线性度。
多晶硅电阻 非线性补偿 自热效应 D/A转换器 polysilicon resistor nonlinear compensation self-heating effect D/A converter
中国计量学院 机电工程学院, 浙江 杭州 310018
报道了一种基于负电阻温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测SiO2/Si3N4/SixNy微桥谐振器的新型红外探测器.微桥谐振器吸收的红外辐射引起微桥温度升高, 激励电阻和检测电桥的阻值减小, 使得恒定激励电压作用下激励电阻的静态功率和惠斯登电桥的焦耳热增加, 等效于增加了辐射在微桥谐振器上的红外辐射.初步的实验证实了该方案的可行性.
微桥谐振器 红外探测器 多晶硅电阻 负电阻温度系数 microbridge resonator IR detector polysilicon resistor negative temperature coefficient of resistance
