介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响, 分析了多晶硅电阻非线性产生的原因。提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法。采用仿真和测试, 对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能。结果表明, 经过多晶硅电阻补偿和非线性补偿后的D/A转换器达到了更优的线性度。
多晶硅电阻 非线性补偿 自热效应 D/A转换器 polysilicon resistor nonlinear compensation self-heating effect D/A converter
1 西安理工大学 自动化与信息工程学院，西安 710048
2 中国电子科技集团公司 第二十四研究所，重庆 400060
基于TSV技术，提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管。通过与传统积累型NMOS变容二极管对比，证明了基于TSV的积累型NMOS变容二极管具有电容密度大、集成度高的优点。分析了TSV高度、TSV直径、源区和漏区结深、源区和漏区宽度对所提出变容二极管性能的影响。结果表明，通过增加TSV高度或增大TSV直径都可以提高电容密度；通过减小源、漏区的结深可以提升电压灵敏度；通过增大源、漏区的宽度可以提高空穴对沟道中产生的电子抑制能力。在上述比较中加入了解析模型。最后给出了该变容二极管的工艺流程。
积累型NMOS变容管 三维集成电路 TSV TSV cumulative NMOS varactor three-dimensional IC
