中国电子科技集团公司 第二十六研究所，重庆 400060
该文研制了一种高性能温补型薄膜体声波谐振(TC-FBAR)滤波器。采用COMSOL软件对高性能温补型结构的谐振器进行建模和仿真，在常规一维Mason等效电路模型的基础上进行修正，再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计，得到阶梯型结构的TC-FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出温补型FBAR滤波器芯片，同时在常规TC-FBAR基础上制备空气桥和凸起层结构，得到双空气桥结构的高性能TC-FBAR滤波器。测试结果表明，滤波器的中心频率为2.43 GHz，最小插损为1.02 dB，1 dB带宽为70.5 MHz，频率温度系数为1.82×10-6/℃。
温补型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR) 滤波器 温补层 频率温度系数(TCF) temperature compensation thin-film bulk acoustic r filter temperature compensation layer frequency temperature coefficient(TCF)
基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的滤波器频率温度系数为(-30~-25)×10-6/℃，其电学性能受环境温度影响较大,将降低滤波器在全温工作的性能，限制其应用环境，尤其是对滤波器通带插损与矩形系数要求高的应用场合。该文在常规FBAR滤波器中引入正温度系数的SiO2材料层，通过对滤波器的层叠位置设计及加工工艺等技术的研究，研制出S波段温补型FBAR滤波器器件，其工作频率为3, 1 GHz，插入损耗为2, 0 dB，带外抑制不小于30 dB，频率温度系数为-0, 02×10-6/℃。
薄膜体声波谐振器(FBAR) 滤波器 温补层 频率温度系数。 thin film bulk acoustic wave resonator(FBAR) filter temperature compensation layer SiO2 SiO2 temperature coefficient of frequency
