1 山西大学物理电子工程学院,山西 太原 030006
2 中国科学院国家授时中心中国科学院时间基准及应用重点实验室,陕西 西安 710600
3 中国科学院大学天文与空间科学学院,北京 100049
平衡零拍探测技术是测量压缩态量子噪声的主要方法之一,通过光电二极管阵列和多路并行电感-电容(L-C)耦合跨阻的方式,实现了一种低噪声、高信噪比的多像素平衡零拍探测器,探测器的工作带宽为5 MHz。每一个像素通道中,光功率为1.66 mW的815 nm激光入射时,散粒噪声功率在2 MHz分析频率处比电子学噪声高23 dB。当光强分布在所有像素通道时,各通道散粒噪声功率和入射光强成正比,验证了探测器可以实现多通道并行的平衡零拍探测。该探测器可实现量子光学频率梳的频谱可分辨平衡零拍探测,为量子光学频率梳在量子精密测量领域的应用提供高性能的探测工具。
探测器 跨阻放大器 量子光学频率梳 平衡零拍探测器 光电二极管阵列 信噪比
1 厦门优迅高速芯片有限公司, 福建 厦门 361012
2 厦门市光通信电芯片设计及验证重点实验室, 福建 厦门 361012
基于90 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高速(4×112 Gbit/s)四阶脉冲幅度调制跨阻放大器电路。为了兼顾高带宽和低噪声,采用了并联反馈架构的输入级电路。提出一种新颖的基于双吉尔伯特单元的可变增益放大器结构来适应宽动态范围的输入电流。电路利用射级退化技术来提高带宽和改善线性度。芯片测试结果表明,光接收前端链路可以实现最大74 dBΩ的跨阻增益,带宽为32 GHz,输入参考噪声电流密度为5.6 pA·Hz-1/2,高至3 mA的输入电流峰峰值下总谐波失真小于5%。跨阻放大器芯片进一步集成至400G QSFP-DD模块,测试结果表明,模块性能满足400G以太网FR4标准的灵敏度和传纤距离要求。
跨阻放大器 光接收机前端 四阶脉冲幅度调制 400G以太网 transimpedance amplifier optical receiver front-end PAM-4 400G Ethernet
在高速接口电路中,接收机通常采用连续时间线性均衡器(Continuous-Time Linear Equalizer,CTLE)消除符号间干扰(Inter-Symbol Interference,ISI)对信号传输的影响。为提高CTLE电路的高频增益和减少芯片面积,基于UMC(United Microelectronics Corporation)28nm工艺,设计了一款最大速率为50Gbps的CTLE电路,其主体电路由跨导级联跨阻抗(Trans-Admittance Trans-impedance,TAS-TIS)结构和前馈路径的两级CTLE电路构成。在传统CTLE的基础上,使用有源电感做负载,以反相器为基础构建跨阻放大器和在输入管增加前馈通路等方式,有效地扩展了电路的工作频率。仿真结果显示,均衡后40Gbps PAM4(4-Level Pulse Amplitude Modulation)信号、50Gbps PAM4信号和28Gbps NRZ(Non Return Zero Code)信号的眼图眼宽分别达到了0.68,0.5,0.92个码元间隔(UI),可满足后级电路对于输入信号的要求,对提升整体传输数据速率具有重要的意义。
连续时间线性均衡器 跨导级联跨阻抗 跨阻放大器 前馈通路 continuous-time linear equalizer (CTLE) trans-admittance transimpedance (TAS-TIS) transimpedance amplifier (TIA) feed-forward path
1 中国科学院国家授时中心时间频率基准重点实验室,陕西 西安 710600
2 山西大学物理电子工程学院,山西 太原 030006
通过分析平衡零拍探测器的噪声来源,采用电阻-电容(R-C)耦合跨阻电路方案并优化跨阻放大电路结构,实现了一种低噪声、高共模抑制比的宽带平衡零拍探测器,工作带宽为1 kHz~200 MHz。当光功率为8 mW的 1550 nm激光入射时:在5 kHz分析频率处散粒噪声功率比电子学噪声功率高12 dB,共模抑制比达到70 dB;在100 MHz分析频率处散粒噪声功率比电子学噪声功率高20 dB,共模抑制比达到66 dB。该探测器可以为低频引力波探测、高速连续变量量子密钥分发和高速量子随机数发生器等应用提供高性能的探测工具。
光学器件 跨阻放大器 散粒噪声 共模抑制比 信噪比 电子学噪声
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室, 上海 200050
2 中国科学院大学材料与光电研究中心, 北京 100049
随着太赫兹技术、低温电子学和射电天文学的发展, 对可低温环境下工作的集成封装式跨阻放大芯片的需求增加。本文针对一种 Ge-Si基底型跨阻放大器, 主要研究了其深低温环境下的电学性能, 获得了 8K温度下放大器芯片的典型端口电流-电压特性曲线和增益曲线, 得到了在 0.1~3 GHz频带内较为平坦的增益效果; 为了验证其对太赫兹光电信号的放大功能, 将该跨阻放大器与太赫兹量子阱探测器集成封装, 并搭建了太赫兹脉冲激光探测系统, 在 8K温度下实现了对脉宽 2 μs太赫兹光电探测信号的有效放大, 跨阻增益约 560 Ω, 电流放大增益为 1.78 mA/V。上述研究成果首次验证了商用跨阻放大器在深低温环境下应用的可行性, 为太赫兹高速探测与高频通信领域的集成跨阻放大提供了一种有效技术手段。
太赫兹探测 高速封装 跨阻放大器 低温放大技术 terahertz detecting high-speed packaging transimpedance amplifier cryogenic amplification technique 太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(1): 16
1 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
2 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种25 Gbit/s的光接收机前端放大电路单片集成的放大电路。该电路实现了光接收机前端放大电路的单片集成,并采用带反馈系统的跨阻放大器、电感峰化、自动增益控制电路等设计有效提高了增益、带宽和系统稳定性。经仿真与测试,该设计增益达到69.9 dB,带宽为19.1 GHz,并在工业级芯片工作温度(-40 ℃~+85 ℃)下带宽误差不超过0.1%。该芯片工作时需要的供电电流为45 mA,功耗为81 mW,信号抖动RMS值为5.8 ps,具有良好的性能和稳定性。本设计提供了一种能够适用于100 Gbit/s(25 Gbit/s×4线)光互连系统的设计方案,具有广泛的应用前景。
SiGe BiCMOS工艺 光接收机 跨阻放大器 光通信 SiGe BiCMOS process optical receiver transimpedance amplifier (TIA) optical communication
红外与激光工程
2022, 51(6): 20210386
1 辽宁大学 物理学院, 沈阳 110036
2 中国科学院 微电子研究所, 北京 100029
3 中国科学院 硅器件技术重点实验室, 北京 100029
为了处理宽动态范围的激光脉冲回波信号, 设计了一种带有自适应增益控制技术的模拟前端。通过分段调节跨阻放大器的跨阻增益, 实现了在1 μA~1 mA范围内输入电流与输出电压近似线性的关系。提出了自触发使能方法, 可以在没有外部清零信号的情况下连续接收回波信号。提出了一种新型差分移位时刻鉴别电路, 能有效减小行走误差。电路采用0.11 μm CMOS工艺设计, 后仿真结果表明, -3 dB带宽为530 MHz, 最大跨阻增益为103 dBΩ, 等效输入噪声电流谱密度为6.47 pA·Hz-1/2@350 MHz, 输入动态范围为60 dB, 功耗小于100 mW。该模拟前端电路设计适用于飞行时间脉冲激光雷达。
自适应增益控制 跨阻放大器 自触发使能控制 飞行时间 adaptive gain control transimpedance amplifier self triggering enable control TOF
设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420 μm左右。PIN探测器的光敏面采用环形Al电极将光电流信号引出,通过在波长为860 nm的恒定激光光源下进行测试,其响应度为0.6 A/W。提出了一种全新的光电单片集成的可行性方法,即利用PIN探测器非光照区的本征I层面积,设计了一种与PIN探测器结构和工艺兼容的跨阻放大器,在保证了PIN探测器结构和性能没有发生改变的前提下,实现了PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成。最后在波长为860 nm、脉冲宽度为100 ns、工作频率为10 kHz的实际脉冲激光信号下对流片成功的PIN探测器和光电单片集成芯片的脉冲响应进行了对比测试。结果表明:在脉冲宽度基本没有发生变化的同时,光电单片集成芯片的脉冲电压信号相比于PIN探测器的脉冲光电流信号放大了1000倍,放大倍数和理论的跨阻阻值1000 Ω一致。该集成光电芯片应用在激光引信系统的激光接收模块中,通过光电单片集成可以提高PIN探测器上输出端信号的信噪比,增强系统的稳定性,同时也可以满足激光引信系统小型化发展的需要。
光电单片集成 PIN探测器 横向NPN三极管 跨阻放大器 photoelectric monolithic integration PIN detector horizontal NPN transistor transimpedance amplifier 红外与激光工程
2021, 50(9): 20210076
1 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
2 中国科学院力学研究所, 北京 100190
针对引力波探测空间天线激光干涉仪对四象限光电探测器提出的低噪声、高灵敏度、高带宽的要求, 设计了一种四象限光电探测器芯片与读出电路混合集成的低噪声光电探测器。四象限光电探测器芯片采用四个性能一致的双耗尽区InGaAs PIN光电二极管单片集成结构, 以降低二极管电容, 减小象限间隔, 提高灵敏度。通过PSPICE软件对由探测器芯片、低噪声跨阻放大读出电路构成的探测器模块进行了仿真, 优化了电路参数, 计算出相应的增益、带宽、噪声功率密度。性能测试表明, 研制的集成式探测器模的-3dB带宽为28.3MHz, 等效噪声功率密度为1.7pW/Hz1/2, 象限增益一致性为0.76%, 基本满足空间激光干涉仪的需求。
四象限光电探测器 引力波 等效噪声功率密度 跨阻放大器 quad photoreceivers gravity waves InGaAs PIN InGaAs PIN noise equivalent power density transimpedance amplifier