为了有效降低GaAs半导体表面态密度, 提出了采用正十八硫醇(ODT, CH3［CH2］17SH)进行GaAs表面钝化的方案。首先, 分别对GaAs (100) 晶片进行了常规硫代乙酰胺(TAM, CH3CSNH2)钝化和正十八硫醇钝化, 通过X射线光电子能谱(XPS)对比分析了钝化前后晶片表面的化学成分, 然后利用光致发光光谱(PL)对正十八硫醇处理的GaAs(100) 晶片进行了钝化时间的优化, 最后通过扫描电子显微镜(SEM)测试了钝化前后的晶片表面形貌。实验结果表明: 采用正十八硫醇钝化的GaAs(100) 表面, 相比常规硫代乙酰胺钝化方案, 具有更低的氧化物含量和更厚的硫化层厚度; 室温钝化条件下, 钝化时间越长, 正十八硫醇的钝化效果越好, 但PL强度在钝化超过24 h后基本达到稳定, 最高PL强度提高了116%; 正十八硫醇钝化的GaAs(100) 晶片具有良好的表面形貌, 表面形成了均匀、平整的硫化物钝化层。数据表明正十八硫醇是钝化GaAs(100) 表面一种非常有效的技术手段。