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相同关键词【Ultraviolet photodetectors】论文列表

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研究论文

镓基氧化物薄膜日盲紫外探测器研究进展

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陈星 ^1,2程祯 ¹刘可为 ^1,2,*申德振 ^1,2,**

作者单位

摘要

¹ 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室，吉林长春　130033

² 中国科学院大学材料科学与光电工程研究中心，北京 100049

日盲紫外探测器在**和民用领域均具有广阔的应用前景。基于宽禁带半导体材料的日盲紫外探测器具有无需昂贵的滤光片、工作电压低、全固态、体积小、重量轻、抗干扰能力强、工作温度范围广等特点，是公认的新一代紫外探测器。在众多的宽禁带半导体材料中，以Ga₂O₃作为典型代表的镓基氧化物材料因其优异的电学和光电特性已经成为近年来微电子学和光电子学领域的研究热点，特别是其本征日盲、耐高温、耐高压、化学稳定性好等优异特点使得该类材料在日盲紫外光电探测领域展现出巨大的发展潜力。鉴于此，本文综述了不同晶体结构的Ga₂O₃、镓酸盐氧化物、镓锡氧化物、镓铝氧化物等镓基氧化物薄膜及其日盲紫外探测器研究进展。

日盲紫外探测器 Ga2O3 镓基氧化物镓酸盐氧化物含镓三元合金氧化物 solar-blind ultraviolet photodetectors gallium oxide gallium-based oxide gallate oxide gallium containing ternary oxides

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发光学报

2023, 44(7): 1167

研究论文

Large-scale and high-quality III-nitride membranes through microcavity-assisted crack propagation by engineering tensile-stressed Ni layers

Jung-Hong Min ¹Kwangjae Lee ²Tae-Hoon Chung ³Jung-Wook Min ¹[ ... ]Boon S. Ooi ^1,*

Author Affiliations

Abstract

¹ Photonics Laboratory, Computer, Electrical and Mathematical Sciences and Engineering Division (CEMSE), King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia

² Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA

³ Light Source Research Division, Korea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 61007, Republic of Korea

⁴ School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju 61005, Republic of Korea

⁵ Department of Advanced Convergence Technology, Research Institute of Advanced Convergence Technology, Korea Polytechnic University, 237 Sangidaehak-ro, Siheung-si 15073, Republic of Korea

⁶ King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia

Epitaxially grown III-nitride alloys are tightly bonded materials with mixed covalent-ionic bonds. This tight bonding presents tremendous challenges in developing III-nitride membranes, even though semiconductor membranes can provide numerous advantages by removing thick, inflexible, and costly substrates. Herein, cavities with various sizes were introduced by overgrowing target layers, such as undoped GaN and green LEDs, on nanoporous templates prepared by electrochemical etching of n-type GaN. The large primary interfacial toughness was effectively reduced according to the design of the cavity density, and the overgrown target layers were then conveniently exfoliated by engineering tensile-stressed Ni layers. The resulting III-nitride membranes maintained high crystal quality even after exfoliation due to the use of GaN-based nanoporous templates with the same lattice constant. The microcavity-assisted crack propagation process developed for the current III-nitride membranes forms a universal process for developing various kinds of large-scale and high-quality semiconductor membranes.

III-nitride alloys membranes nanoporous Ni stressor light-emitting diodes ultraviolet photodetectors

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Opto-Electronic Science

2022, 1(10): 220016

动态综述

基于氧化锌的紫外探测器研究进展

况丹 ¹卞曙光 ^2,*徐爽 ¹刘斌 ¹[ ... ]喻志农 ¹

作者单位

摘要

¹ 北京理工大学光电学院北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心薄膜与显示实验室, 北京 100081

² 科技部高技术中心, 北京 100044

氧化锌(ZnO)是一种天然的宽禁带半导体材料, 其理论上的禁带宽度为3.37eV, 近年来已经成为制备紫外探测器件的热门材料之一。然而, 由于ZnO材料的本征缺陷, 直接制备的紫外探测器件总是存在响应率低、暗电流大、响应速度慢等问题。为了获得更好的紫外探测性能, 各种可行的器件改善和修饰方法被提出。文章从元素掺杂、表面修饰和异质结构造等三个方面评述了提升ZnO紫外探测器件性能的典型方法, 分析了这些方法存在的问题, 并展望了未来高性能紫外探测器的发展方向。

氧化锌紫外探测器元素掺杂表面修饰异质结构造 ZnO ultraviolet photodetectors elements doping surface modification hetero-structure construction

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半导体光电

2022, 43(1): 100

光学器件

基于十八硫醇修饰的Al_0.6Ga_0.4N MSM光电探测器研究

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李宇航谷燕陈建薇姚宇飞 [ ... ]卞宝安 ^*

作者单位

摘要

江南大学理学院，江苏无锡 214122

高Al组分的AlGaN材料的光谱响应范围在日盲紫外波段，但其表面较高的缺陷密度限制了其在日盲紫外探测领域的应用。为此，研究了表面修饰对AlGaN基日盲紫外光电探测器件的性能影响。采用化学自组装方法，将十八硫醇有机分子化学吸附在高Al组分的Al_0.6Ga_0.4N表面，制备出表面修饰的AlGaN基金属-半导体-金属型日盲紫外光电探测器件。与未经修饰的光电探测器对比验证了这种修饰过程能有效减少AlGaN材料的表面状态引起的不利影响，降低器件的漏电流，并显著提高器件响应度，从而实现具有高响应度的AlGaN基金属-半导体-金属型日盲紫外光电探测器制备。

紫外光电探测器响应度表面修饰 AlGaN 十八硫醇 Ultraviolet photodetectors Responsivity Surface modification AlGaN Octadecanethiol

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光子学报

2021, 50(11): 1123002

科研论文

表面等离子体在氧化镓基紫外探测器中的应用

石雄林 ^1,*刘宏宇 ²候爽 ²钱凌轩 ²刘兴钊 ²

作者单位

摘要

¹ 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 611731

² 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 611731

局域表面等离子体共振是一种改善光电探测器性能的有效方法。本文为了提高beta-氧化镓(β-Ga₂O₃)薄膜金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外探测器的性能，提出了在beta-氧化镓薄膜表面利用快速热退火的方法形成分散的铝纳米粒子(Al-NPs)，增强薄膜对光的吸收。运用此方法制备的Al-NPs/β-Ga₂O₃探测器不仅降低了暗电流，同时也提升了光响应度和探测率。在波长254 nm 紫外光照、10 V 偏压下，该器件的光响应度达到了2.7 A/W，探测率达到了1.35′1014 cm×Hz^1/2×W^-1，与β-Ga₂O₃探测器相比，分别提升了1.5倍和2倍。