为获得更高的阈值电压, 提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。使用双异质结电荷控制模型分析了基本机理, 推导了阈值电压表达式。仿真结果表明, 器件阈值电压与调制层Al组分呈线性关系。当调制层Al组分小于势垒层时, 阈值电压增大, 反之减小。调制层厚度可加大这种调制作用。当调制层Al组分为0%、厚度为112 nm时, 器件具有2.13 V的阈值电压和1.66 mΩ·cm2的比导通电阻。相对于常规凹槽栅结构, 新结构的阈值电压提高了173%。
增强型 高电子迁移率晶体管 阈值电压 双异质结 电荷控制模型 enhancement-mode HEMT threshold voltage double heterojunction charge control model
为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(P-GaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构。该器件的阈值电压高达3.4 V,击穿电压达738 V。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGaN双异质器件的阈值电压和耐压。结果表明,栅槽深度在5~13 nm范围内变化时,阈值电压随栅槽深度的增大而增大,击穿电压随栅槽深度的增大呈先增大后略减小; 导通电阻随槽栅深度的增大而增大,最小导通电阻为11.3 Ω·mm。
P-GaN 栅极 双异质结 槽栅 阈值电压 击穿电压 P-GaN gate double heterojunction recessed-gate threshold voltage breakdown voltage
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
2 中国科学院大学, 北京 100049
制备了基于F16CuPc和CuPc的双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管.该器件的载流子迁移率是相同工艺制备的F16CuPc和CuPc双层单异质结有机薄膜晶体管器件的4~5倍.同时,该双异质结结构还能调整载流子的阈值电压,减少双层结构对薄膜厚度等工艺条件的苛刻要求.这种双异质结结构为提升双极型有机薄膜晶体管器件的性能提供了一种有效方法.
有机薄膜晶体管 双异质结 载流子迁移率 阈值电压 OTFTs double heterojunction carrier mobility threshold voltage
报道了基于InP 基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器, 器件的最高振荡频率fmax为150 GHz. 放大器的输出极发射极面积为15 μm×4 μm. 功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB， 饱和输出功率为13.92 dBm. 放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm. 整个芯片传输连接采用共面波导结构, 芯片面积为1.06 mm×0.75 mm.
InP双异质结双极晶体管(DHBT) 微波单片集成 毫米波 功放 InP double heterojunction bipolar transistors (DHB monolithic-microwave integrated-circuit (MMIC) millimeter wave power amplifier
