作者单位
摘要
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室,西安 710024
针对兆伏每米(MV/m)强脉冲电场的测量需求,设计并研制了基于集成光学的共路干涉仪(CPI)小体积宽带脉冲电场传感器。基于电光效应及电光调制原理,建立了传感器的幅度和频率响应传递函数,分析了集成光学探头的接收特性,并推导了探头灵敏度和带宽随波导长度的关系。设计了适用于MV/m量级脉冲电场测量的纯光学非金属CPI传感器,提出了利用晶体宽度对测量灵敏度调控的方法,使得设计的半波电场提高了2倍以上。研制的无源探头体积小于20 mm×10 mm×5 mm、理论带宽大于4 GHz、最大测量幅度大于1.2 MV/m。研制的传感器在高空电磁脉冲(HEMP)、雷电电磁脉冲(LEMP)及脉冲功率等领域具有应用前景。
共路干涉仪 脉冲电场 集成光学 传感器 电光效应 common path interferometer pulsed electric field integrated optics sensor electro-optical effect 
强激光与粒子束
2024, 36(4): 043011
作者单位
摘要
哈尔滨工业大学物理学院, 黑龙江 哈尔滨 150001
可调谐法布里-珀罗谐振腔目前是在光通信、传感器和激光器等领域被广泛应用的光学器件。按照调谐方式可分为光纤型F-P腔、微机械型F-P腔和电光型F-P腔, 每种均有相应的优点和优势领域。综述了可调谐F-P腔的研究进展, 包括器件结构、性能参数两方面, 并分析了各类可调谐F-P腔器件的性能差异和未来的应用前景。
法布里-珀罗腔 可调谐 光纤器件 微机械 电光效应 Fabry-Perot cavity tunable optical fiber devices micromachine electro-optic effect 
光学与光电技术
2022, 20(5): 1
吴婧 1,2,4李清连 1,3,4张中正 1,2,4孙军 1,2,4,*[ ... ]许京军 1,2,4
作者单位
摘要
1 南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津 300457
2 南开大学物理科学学院,天津 300071
3 南开大学泰达应用物理研究院,天津 300457
4 山西大学极端光学协同创新中心,山西 太原 030006
5 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所,上海 201800
分析了电光削波器半波电压的关键影响因素,发现使用具有较大有效电光系数的电光晶体、合理设计晶体的横纵比是降低器件半波电压的有效手段;在此基础上,设计并制备出低半波电压的铌酸锂电光削波器。采用沿铌酸锂晶体x轴通光、z轴加电的横向电光工作模式,并利用双晶匹配的方式消除自然双折射的影响。匹配后两块晶体通光面的光学质量良好,直流高压下测得的半波电压约为900 V,动态消光比达200∶1。使用幅值为800 V、脉宽为0.95 ns、重复频率为1 Hz的脉冲高压驱动电光削波器工作时,从1064 nm连续激光中获得了脉宽为1.46 ns、重复频率为1 Hz的激光脉冲输出。
非线性光学 铌酸锂晶体 电光效应 双晶匹配 削波器 
中国激光
2022, 49(7): 0708001
作者单位
摘要
北京航空航天大学 电子信息工程学院, 北京100083
铌酸锂晶体材料具有较高的电光系数和稳定的物理、化学性质,广泛应用在各种电场传感器中。但是,铌酸锂晶体折射率对温度较为敏感,在使用最大电光效应方向时,由于自然双折射的存在,晶体工作点随温度漂移,一方面导致传感器无法稳定工作,另一方面也影响了传感器的灵敏度和动态范围。为了消除这一影响,探头中将使用长度相等、主轴正交的两块铌酸锂晶体,一块作为传感晶体,一块作为补偿晶体。由于补偿晶体的存在,传感器的自然双折射得到很大程度的抑制,温度稳定性也得到了改善。经实验对比,补偿之后的传感器工作状态稳定性比未补偿的传感器得到大幅提升。
电场传感器 电光效应 铌酸锂 双晶体 温度稳定性 optic E-field sensor electro-optical effect LiNbO3 dual crystal temperature stability 
强激光与粒子束
2021, 33(12): 123024
作者单位
摘要
电子科技大学 光电科学与工程学院, 四川 成都 610054
传统静电测量仪器存在成本高、精度低及使用复杂等难题, 本文提出了一种利用液晶材料的光电特性进行静电测量的简易方法。测量所使用的液晶器件采用多层基板叠加分压结构, 多层叠加基板的分压作用实现了对高压的测量和连续性测量。该静电测量装置可以实现高低压测量范围在器件的不同区域上同时测量。首先介绍了实现这种方法的器件和系统, 然后基于外部输入已知变化电压模拟不同带电人体, 通过理论分析和实验测试实现了液晶器件的标定, 最后利用人体实际测量以及施加另一组已知变化电压计算测量误差。实验数据结果表明, 液晶器件的测量误差不超过9%。基本满足静电测量的便捷、稳定可靠、精度高等要求。
液晶器件 静电测量 电光效应 liquid crystal device electrostatic measurement electro-optical effect 
液晶与显示
2021, 36(9): 1255
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合实验室, 上海 201800
2 中国科学院大学, 北京 100049
提出了一种基于电光效应的新型光参量放大方案,理论分析了磷酸二氘钾(DKDP)晶体增益带宽随氘化率的变化特性,研究了70%和95%氘化率的DKDP晶体在不同电场强度下的增益带宽变化特性。在885 nm中心波长处,对70%氘化率的DKDP晶体施加大小为1.67×10 5 V/m的场强时,增益带宽可从90 nm拓宽至124 nm;在808 nm中心波长处,对95%氘化率的DKDP晶体施加大小为1×10 5 V/m的场强时,增益带宽可从52 nm拓宽至68 nm。结果表明,在光学参量放大系统中,通过线性电光效应可以有效拓宽系统的增益带宽,同时可通过电光调制调节增益谱的中心波长,以进行连续波长调谐,在高能超短激光系统中具有很大的应用前景。
非线性光学 磷酸二氘钾晶体 宽带光参量放大 电光效应 增益带宽 
中国激光
2020, 47(10): 1008001
作者单位
摘要
北京遥测技术研究所, 北京 100094
设计了一种四电极八边形结构的铌酸锂电光偏转器。仿真分析了四电极八边形结构和理想电极结构偏转器的电场分布特性,讨论了结构参数对偏转器电场分布、场强梯度和有效通光口径比的影响,并给出了四电极八边形偏转器结构参数的选取方法。仿真结果表明,在相同的晶体和施加电压下,近轴区域内四电极八边形结构与理想电极结构偏转器的电场分布一致,场强误差小于10%。根据分析结果,制备了八边形铌酸锂晶体电光偏转器。实验结果表明,该偏转器的偏转灵敏度为0.312 μrad/V,与理论计算结果(0.340 μrad/V)相吻合。
电光器件 电光偏转器 电场分析 电光效应 电场强度梯度 偏转灵敏度 
激光与光电子学进展
2020, 57(15): 152302
作者单位
摘要
齐鲁工业大学(山东省科学院)新材料研究所, 山东 济南 250014
钽铌酸钾(KTN)电光偏转器件具有角度大、电压低、无惯性和体积小等优点,近年来获得广泛关注。回顾了国内外KTN晶体器件及其应用的研究现状,阐述了基于该晶体空间电荷、组分梯度和温度梯度的电光偏转的基本原理,讨论了器件的特征参数和偏转性能的主要影响因素,介绍了几种基于KTN电光偏转的元器件及应用实例,总结了目前需要解决的问题及未来的发展趋势。
材料 偏转器 钽铌酸钾 电光效应 空间电荷 
激光与光电子学进展
2020, 57(7): 071609
聂立霞 1,2张燕 1,2鲜仕林 1,2秦俊 1,2[ ... ]毕磊 1,2,*
作者单位
摘要
1 电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心, 四川 成都 611731
2 电子科技大学电子科学与工程学院, 四川 成都 611731
硅基光波导移相器是硅基光电子系统的重要组成部分。透明导电氧化物(TCO)薄膜的介电常数受栅极电压作用会产生调谐,有望应用于下一代高速、低插入损耗且兼容CMOS的硅基光波导移相器中。TCO较高的光吸收系数限制了其在移相器中的应用。提出了一种基于高迁移率的透明导电氧化物的低插入损耗硅基光波导移相器,并证明了TCO材料迁移率与其损耗密切相关。通过理论计算和数值仿真,设计了一种基于高迁移率氧化镉(CdO)材料(μ=300 cm 2·V -1·s -1)的硅基光波导移相器。所得器件在1550 nm波长实现π相移时,器件长度为127 μm,插入损耗为1.4 dB,调制带宽可达到300 GHz。为发展高速硅基光波导移相器件提供了新思路。
光学器件 移相器 电光效应 透明导电氧化物 
激光与光电子学进展
2019, 56(15): 152302
作者单位
摘要
1 中国科学院重庆绿色智能技术研究院, 太赫兹技术研究中心, 重庆 400714
2 长春理工大学光电工程学院, 吉林 长春 130022
太赫兹时域光谱技术(THz-TDS)广泛应用于材料、 生物医学、 化学、 药学、 安检等诸多领域。 传统扫描式THz-TDS技术需要通过改变探测光延时逐点扫描并重构时域信号, 仅适合于具有较高重复频率且稳定的太赫兹辐射源情形下的样品探测。 在低重复频率或涨落较大的太赫兹辐射源情形下和不可逆过程中样品的探测, 扫描式THz-TDS不再适用, 需要使用单发THz-TDS技术, 单发THz-TDS技术原则上仅需要一个激光脉冲就可以获取一个完整的太赫兹时域脉冲波形。 介绍几种主要的单发THz-TDS探测技术, 这些技术都利用了电光晶体的泡克尔斯效应, 通过测量探测光的某个物理量的变化来提取太赫兹信号。 根据探测方法不同可分为光谱编码、 空间编码和互相关等技术。 在光谱编码技术中, 探测光不同频率成分在时间上发生分离, 不同时间成分分别被太赫兹脉冲不同时刻电场调制, 通过测量探测光各个频率被太赫兹脉冲调制前后的光谱的变化提取太赫兹脉冲波形。 该方法光路简单, 测量结果直观, 有较高的信噪比, 但其时间分辨率较低, 且被测太赫兹信号容易产生失真。 为提高被测信号的时间分辨率, 有人提出了空间编码技术, 即不同位置探测光分别被太赫兹脉冲不同时刻电场调制, 通过测量探测光各个位置太赫兹脉冲调制前后的光强变化提取太赫兹脉冲波形。 根据不同空间展开方法可分为一维空间编码技术和二维空间编码技术。 空间编码技术中虽然有较高的时间分辨率, 但由于探测光在空间展开能量分散使得其信噪比相对较低。 此外, 还有一种较高时间分辨率的技术即互相关技术, 可分为共线互相关和非共线互相关技术。 在非共线互相关技术中, 被太赫兹脉冲调制的激光啁啾脉冲与短脉冲互相关作用产生二次谐波, 通过太赫兹脉冲调制前后二次谐波空间分布变化来提取太赫兹信号; 在共线互相关技术中被太赫兹脉冲调制的啁啾脉冲与短脉冲共线入射到光谱仪, 通过干涉条纹提取太赫兹信号, 该技术提高了时间分辨率和信噪比, 但光路布置复杂, 不能进行实时监测。 回顾了这几种单发THz-TDS探测技术的发展历程, 综述探测技术的原理、 实验方案和测量结果, 并讨论了这些探测技术的优势和不足。
太赫兹时域光谱技术 单发太赫兹时域光谱探测技术 电光效应 THz time domain spectroscopy technique Single-shot THz time domain spectroscopy technique Electro-optic effect 
光谱学与光谱分析
2019, 39(5): 1377

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