1 江苏师范大学物理与电子工程学院，江苏 徐州221116
2 江苏华兴激光科技有限公司，江苏 徐州221300
为提高1342 nm 分布反馈（Distributed Feedback, DFB）半导体激光器的输出功率，设计了三种腔面膜膜系组合。采用电子束蒸发镀膜技术对该激光器进行了腔面镀膜，并测试了其在三种膜系组合下的输出功率。结果表明，采用增透膜为基底(Sub)/Al2O3/Ta2O5/空气(Air)、高反膜为Sub/(Al2O3/Si)3Al2O3/Air的腔面膜膜系组合时，激光器的输出功率最高。前腔面反射率为02%，后腔面反射率为986%。在260 mA的直流电流下，平均输出功率达到了85 mW以上（增加了856%），斜率效率提升了829%。通过采用此膜系组合进行激光器腔面镀膜，可以大幅提升1342 nm DFB半导体激光器的输出功率。
分布反馈 腔面镀膜 输出功率 1342 nm 1342 nm DFB cavity surface coating output power
1 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院, 安徽 合肥 230026
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123
3 青岛翼晨镭硕科技有限公司, 山东 青岛 266000
4 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院, 江西 南昌 330200
5 长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
1.3 μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300 μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3 μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。
中国激光
2021, 48(16): 1601001
1 山东华光光电子股份有限公司, 山东 济南 250101
2 济南大学物理科学与技术学院, 山东 济南 250022
3 山东大学晶体材料国家重点实验室, 山东 济南 250100
通过对大功率激光器腔面光学灾变损伤的研究, 分析了激光器腔面镀膜的损伤机理。为了提高激光器的输出功率, 采用TiO2替换Si作为高折射率材料, 建立非标准膜系降低电场强度, 同时优化膜层材料的粗糙度, 并采用离子源进行清洗和助镀, 有效提高了激光器的腔面光学灾变损伤阈值。结果表明, 所制作的808 nm激光器, 最大连续输出功率达到13.6 W。
激光器 光学灾变损伤 腔面镀膜 808 nm波长
