中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构,规避了高分辨率二进制电流模R-2R电阻网络开关尺寸大、版图匹配难度大的缺点。基于混合信号CMOS工艺进行了流片,实测DNL在±0.5 LSB以内,INL在±0.8 LSB以内。该D/A转换器适用于工业控制、仪器仪表等领域。
乘法型D/A转换器 电流模R-2R电阻网络 薄膜电阻 激光修调 multiplying D/A converter current-mode R-2R resistance network thin-film resistor laser trim
中国电子科技集团公司第54研究所, 河北 石家庄 050081
单个器件输出功率不满足系统要求时, 功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器, 最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比, 尽量增大薄膜电阻的面积, 并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板, 提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真, 加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 dB, 回波损耗优于-15 dB, 隔离度优于10 dB.经对比, 实测结果与仿真结果吻合, 具有较好的工程应用价值.
Ka频段 功率分配/合成器 波导E-T结 薄膜电阻 Ka-band power divider/combiner waveguide E-T junction thin-film resistor
南京理工大学 机械工程学院, 江苏 南京 210094
开展了微流体数字化技术制备聚合物薄膜电阻的研究。搭建了聚合物薄膜电阻按需喷射制备系统, 将聚乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)聚合物以13.4%的最佳重叠率, 按需喷射到RC(Resin-Coating)相纸表面, 由聚合物液滴形成的薄膜在相纸表面毛细作用下迅速干燥形成薄膜电阻, 并通过退火处理进一步降低薄膜电阻的阻值。实验研究了系统参量对聚合物液滴直径的影响, 并通过改变薄膜电阻的行数、列数和层数以及退火处理的条件, 制备了阻值为3.5～23.2 MΩ的薄膜电阻。实验显示薄膜电阻阻值和行数近似线性关系, 并且随着制备列数和层数的增大而减小, 退火处理可以使薄膜电阻的阻值降低10%～40%。以相同制备参数和退火条件制备的薄膜电阻具有较好的一致性, 薄膜电阻的阻值随温度的升高而减小并趋于稳定。实验结果表明, 基于微流体数字化技术制备聚合物薄膜电阻具有工艺简单、成本低廉、电阻电学性能优越等优点。
聚合物薄膜电阻 微流体数字化 按需喷射 RC相纸 重叠率 polymer thin film resistor microfluid digitalization drop-on-demand RC paper overlap
中国空空导弹研究院, 红外探测器技术航空科技重点实验室, 河南 洛阳 471009
研究了一种新型透红外的导电薄膜铜铝氧化物(CuAlxOy)，选用高纯度铜、铝靶材，利用磁控溅射台在蓝宝石衬底上生长CuAlxOy 薄膜。研究了氧气流量、薄膜厚度、预溅射铜层时间(铜层厚度)等重要条件对薄膜性能的影响。实验发现，通过微调溅射参数、合理控制预溅射铜层过程可以获得低电阻率和高透过率的铜铝氧化物薄膜。得到最好的CuAlxOy 薄膜(厚度为1765 A)在波长2.6 μm 处红外透过率达到了最大值62.5%，红外波段(波数8000～2000 cm-1)的平均透过率达到53%，方块电阻为358.9 Ω/sq，电阻率为6.33×10-3 Ω·cm。
铜铝氧化物 导电薄膜 红外透过率 薄膜电阻率 磁控溅射 copper aluminum oxides conductive films infrared transmittance resistivity of the film reactive magnetron co-sputtering
华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
基于脉宽调制(PWM)技术的控制系统广泛应用于工业和日常生活中,随机脉宽调制(RP-WM)技术也已提出.利用耦合到系统的环境噪声和系统本身的噪声经加工处理后调制控制信号,由噪声信号的自相关函数和功率谱密度函数给出噪声调制脉冲的平均开关频率和平均加热功率的计算方法.利用模拟器件设计了一个简单的基于噪声调制的薄膜电阻加热温度控制系统.实验表明:控制系统能够稳定地运行,在一定范围内能抑制噪声,实现了高精度温度控制.
随机脉宽调制 噪声调制 薄膜电阻加热器 温度控制
清华大学,电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京,100084
设计制作了面向40Gb/s电吸收调制器(EAM)的高速微波过渡热沉,并进行了EAM管芯级封装测试的验证.这种基于氧化铝(Al2O3)的热沉采用共面波导(CPW)传输线以实现低损耗微波传送,以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配.采用Ti/Cu/Ni/Au金属材料作为CPW传输线电极材料,从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触,使热沉的典型反射系数在0～40GHz范围内均达到优于-21 dB的水平.作为验证,采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装,测试得到小信号调制响应带宽超过40GHz.
高速热沉 电吸收调制器 共面波导传输线 薄膜电阻 阻抗匹配
1 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200050
2 中?蒲г?上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200050
采用MEMS皮肤技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功研制出8×8阵列铂薄膜热敏电阻温度传感器.实验采用热氧化硅片为机械载体,以便于旋涂液态聚酰亚胺柔性衬底上器件的加工.最后用湿法腐蚀方法将柔性器件从载体上释放下来.试验表明聚酰亚胺衬底上的铂薄膜热敏电阻与温度的变化具有良好的线性,其电阻温度系数达0.0023/℃.与固态聚酰亚胺膜衬底相比,采用旋涂液态聚酰亚胺解决了制备中遇到的两大主要困难:其一,消除了涂聚酰亚胺衬底与载体界面之间的气泡,聚酰亚胺衬底表面能保持良好平整度;其二,制备过程中由于热循环而使柔性衬底产生的热膨胀明显减小.这种柔性温度传感器阵列易贴于高曲率物体表面以探测小面积温度场分布.
皮肤技术 聚酰亚胺 柔性衬底 铂薄膜电阻 温度传感器
国防科技大学理学院光电工程系,湖南,长沙,410073
文中介绍了用掺锡的氧化铟导电膜作为加热方式并采用比例积分微分方式通过A/D卡输出电平控制加热电压，实现高精度温控，重点是针对小热容加热体的特点采用相应的措施通过比例积分微分控制实现精确控温。初步研制成了高发射率、可持续工作并能实现精确控温的高精度薄膜电阻加热板。
掺锡的氧化铟 比例积分微分 薄膜电阻 加热板 ITO PID Film resistance Heater
