利用高纯度的硼粉和硫粉，在1 300 ℃的高温真空环境下，通过扩散装置制备出硼(B)、硫(S)共掺杂单晶金刚石。扫描电子显微镜、X射线能谱、拉曼光谱等测试结果表明，随着两种元素的掺入，金刚石的形貌和晶体质量发生变化。掺杂后的金刚石形貌复杂，蚀坑和沟壑内部形貌呈阶梯状，随着掺杂量的增加出现断层，并在蚀坑处检测出较高的硼原子和硫原子含量，掺杂B-S质量比为0.5的金刚石蚀坑处的硼原子和硫原子含量最高。随着杂质原子的渗入，拉曼半峰全宽值增大，金刚石的晶体质量下降。室温下进行霍尔检测结果表明，掺杂后的金刚石电阻率降低。B-S质量比为1和2的样品导电类型表现为p型；B-S质量比为0.5时，样品的霍尔系数为负值，导电类型为n型。
金刚石 共掺杂 B-S质量比 表面形貌 晶体质量 霍尔测试 diamond co-doping B-S mass fraction surface morphology crystal quality Hall testing
北京工业大学 光电子技术实验室,北京 100124
用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜,制作了以300 nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,对LED样品进行了40 s快速热退火处理。随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压先下降后上升,并且两者都在435 ℃达到最优值。通过霍尔测试研究退火对ITO薄膜电学特性的影响,发现这是由于ITO在经过435 ℃退火后,电阻率最小,载流子浓度最大,因而减小了ITO的体电阻和p型欧姆接触电阻,降低了LED工作电压,同时增加了ITO做为电流扩展层的电流扩展效果,提高了LED光强。
光学器件 发光二极管 快速热退火 霍尔测试 氧化铟锡
1 上海大学材料科学与工程学院,上海,201800
2 中国科学院上海技物所半导体材料器件研究中心,红外物理国家重点实验室,上海,200083
利用SIMS和变温霍尔测量手段对p型Hg0.77Cd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究.结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,p型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定.
碲镉汞 掺杂 霍尔测试 二次离子质谱 电学性质. HgCdTe doping Hall tests SIMS electrical properties
