何爽 1胡兴元 1黄忠航 2,3,*夏志明 1[ ... ]孙捷 1,2,3,**
作者单位
摘要
1 福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350000
2 中国福建光电信息科学与技术创新实验室,福建 福州 350000
3 晋江市博感电子科技有限公司,福建 泉州 362200
本文提出一种由OLED和micro-LED反向并联组成的AC全彩显示器件。该器件由二者按相反极性结构并联而成,能改善传统器件不同颜色子像素之间的亮度和光效不均匀等问题,兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命等优点。同时,本文提出了一种与之适配的反向并联显示器件专用驱动方案。新型显示器件能够改善传统单一元素显示器件的亮度和光效不均匀性,显示方案的提出能够解决传统驱动方案不适配AC显示器件反向并联结构的驱动问题。
micro-LED OLED 极性相反 显示驱动 micro-LED OLED opposite polarities display driver 
液晶与显示
2023, 38(2): 197
作者单位
摘要
1 福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350108
2 中国福建光电信息科学与技术创新实验室,福建 福州 350108
3 晋江市博感电子科技有限公司,福建 泉州 362200
4 西安交通大学 电子信息学部,陕西 西安 710049
本文设计并制备了一款分辨率为1 920×1 080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6 μm,像素周期为8 μm,像素密度达到3 129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。
Micro-LED 高分辨率 倒装芯片 刻蚀 Micro-LED high resolution flip-chip etch 
液晶与显示
2022, 37(12): 1553

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