江会交 1,2尹卓异 3张琴 1林清华 1[ ... ]康新 1,4,*
作者单位
摘要
1 莆田学院机电与信息工程学院,福建 莆田 351100
2 福建农林大学机电工程学院,福建 福州 350109
3 东南大学土木工程学院,江苏 南京 211189
4 南京理工大学理学院,江苏 南京 210094
为了消除投影仪的伽马效应,近年来二值条纹投影轮廓术得到快速发展。如何确定合适的离焦量是二值条纹离焦投影三维测量的关键问题。离焦不足时,条纹会包含高阶谐波;离焦过度的话,条纹对比度降低,相位分辨率降低,同时噪声的影响相对变大。离焦不足或离焦过度都会影响相位测量精度。为了解决这一问题,基于数字相关法提出一种最优离焦量的确定方法。该方法利用条纹与其二阶微分的相关性来确定最佳离焦量,以获得准正弦条纹。在欠离焦和过离焦情况下,相关系数均较小,只有当条纹为准正弦条纹时,相关系数取得极大值。对该方法进行了数值模拟和实验验证。实验结果表明,所提方法具有速度快、准确性高的优点,可在二值条纹投影过程中实时跟踪相关系数并确定最佳离焦量。
成像系统 二值离焦 数字相关 定量评估 二阶微分 条纹投影轮廓术 
激光与光电子学进展
2023, 60(22): 2211002
作者单位
摘要
1 燕山大学材料科学与工程学院亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室, 秦皇岛 066004
2 威海中玻新材料技术研发有限公司,威海 264200
本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH4F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl2·6H2O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FTO薄膜的光学性能、电学性能进行表征和分析,并基于第一性原理对掺杂体系的电子结构进行了计算。结果表明,Ni掺杂的FTO薄膜为四方金红石结构,导电性能有所提高。当Ni/Sn为2%(原子数分数)时,品质因数ΦTC达到3×10-2 Ω-1,电阻率ρ为3.79×10-4 Ω·cm,可见光平均透过率约为80%,载流子浓度n为6.88×1020 cm-3,迁移率μ为13.31 cm2·V-1·s-1。
镍掺杂 FTO薄膜 气溶胶辅助化学气相沉积 电学性质 第一性原理 Ni-doping FTO thin film AACVD electrical property first principle 
硅酸盐通报
2023, 42(9): 3379
作者单位
摘要
莆田学院 机电与信息工程学院, 福建 莆田 351100
为帮助纺织企业的工作人员快速、准确地从数据库中检索出与织物图像相同或相似的图像,提出了一种小波变换下基于分形编码和 Zernike 矩的织物图像检索算法。首先,利用小波变换获得低频分量,对变换后的低频子图进行分形编码,得到编码参数。然后,计算低频子图像的 Zernike 矩。将小波变换下的分形编码参数和Zernike 矩相结合作为织物图像检索的特征量。相比于单特征检索方法,该算法克服了精度低、耗时长的问题。与基本分形算法(BFIC)、联合正交分形参数和改进的 Hu 不变矩算法(HVKF)以及稀疏分形图像压缩算法(SFIC)相比,该算法确保了重建图像的质量和较低的编码时间。实验结果表明,织物图像检索的平均精度和平均召回率均高于现有的检索方法。
织物图像检索 小波变换 分形编码 Zernike 矩 fabric image retrieval wavelet transform fractal coding Zernike moment 
中国光学
2023, 16(3): 715
作者单位
摘要
1 华侨大学材料科学与工程学院 发光材料与信息显示研究院,福建 厦门 361021
2 中国工程物理研究院 化工材料研究所,四川 成都 610200
金属卤化物钙钛矿发光二极管(Perovskite light?emitting diodes,Pero?LEDs)器件结构中,空穴传输层(HTL)是影响Pero?LEDs效率的关键性因素之一。由于醋酸钴(Co(OAc)2)薄膜具有优异的光电特性,所以选其作为绿光Pero?LEDs的HTL。然而,纯的钴基底薄膜存在传输载流子能力较差、薄膜粗糙度较大等问题。因此,本文通过引入有机小分子添加剂乙醇胺(ETA)来有效调控传输层中Co3+/Co2+比例,提升传输层的导电能力。同时,因ETA的加入可以减缓退火过程中前驱体溶液的析出结晶速度,从而形成粗糙度较小的HTL薄膜,进而有利于形成高质量的钙钛矿薄膜。基于掺杂的HTL,其最优器件亮度高达45 207 cd/m2,最大外量子效率(EQE)达到15.08%,是一种性能较好的新型HTL。
钙钛矿发光二极管 醋酸钴 乙醇胺 空穴传输材料 掺杂 perovskite LEDs Co(OAc)2 ethanolamine hole transport layer doping 
发光学报
2023, 44(3): 548
冯丹青 1,2,*郭欣达 3拜晓锋 1,2张琴 1,2[ ... ]韩坤 1,2
作者单位
摘要
1 微光夜视技术重点实验室, 陕西 西安 710065
2 昆明物理研究所, 云南 昆明 650223
3 空装成都局驻昆明地区军代表室, 云南 昆明 650223
为研究三代微光像增强器亮度增益对像质的影响, 提出对不同增益条件下荧光屏输出图像的像质进行对比分析, 以提高三代微光像增强器的成像质量。首先, 在三代微光像增强器的理论基础上, 论证了亮度增益会直接影响像增强器的成像质量。然后, 通过图像质量评价的两个重要参数信噪比和分辨力, 建立像质评价系统并搭建实验装置。最后, 通过实验结果表明, 在无月夜天光照度条件下, 当亮度增益取得最佳值时, 输出图像在视场明亮清晰的同时分辨力由 32 lp/mm提升至 40.3 lp/mm。证明该研究对夜间环境中, 如何通过合理设置亮度增益值使微光夜视仪获得最佳成像质量具有指导意义。
微光像增强器 亮度增益 图像质量 信噪比 分辨力 low-light-level image intensifier, luminance gain, 
红外技术
2023, 45(2): 188
作者单位
摘要
1 云南师范大学 能源与环境科学学院, 昆明 650500
2 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究,讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下,输出电压、输出电流、输出效率随不同辐照条件的变化。试验结果表明,使用GaN MOSFET开关管的DC/DC变换器在总剂量、单粒子及耦合辐照条件下,均表现出了优异的抗辐照性能,即输出电压、输出电流、输出效率等性能在三种辐照条件下均没有发生明显的退化。该DC/DC变换器实现了抗总剂量辐照能力大于1 kGy(Si)和抗单粒子LET≥75 MeV·cm2·mg-1,表明使用基于GaN的DC/DC变换器未来可广泛应用于航空、航天等供电系统领域。
DC/DC变换器 总剂量辐照 单粒子辐照 辐射损伤效应 DC/DC converter total dose irradiation single event effect radiation damage effect 
微电子学
2022, 52(6): 1055
张琴 1,2,*拜晓锋 1,2程宏昌 1,2焦岗成 1,2[ ... ]李琦 1,2
作者单位
摘要
1 微光夜视技术重点实验室,西安 710065
2 昆明物理研究所,昆明 650223
针对现有微光像增强器的信噪比实验室测试结果无法准确描述其在实际夜天辐射条件下工作时信噪比的问题,依据光阴极与夜天光光谱匹配关系和光量子噪声起伏理论推导了微光像增强器的输出信噪比理论计算模型。在基于典型微光像增强器参数对模型验证的基础上,计算了典型超二代和三代像增强器在实际夜天辐射条件下工作时的信噪比。结果表明,实际夜天辐射条件下的信噪比与实验室A光源测试条件下的信噪比存在较大差异,且超二代和三代像增强器的信噪比在实际夜天辐射条件下显示出相较实验室测量时更大的差异性。本研究可为实际夜天辐射工作条件下的微光像增强器信噪比评价提供一种可用途径。
微光像增强器 夜天辐射 光谱匹配 信噪比 A光源 Low-light-level image intensifiers Night radiation Spectrum matching Signal-to-noise ratio A light source 
光子学报
2022, 51(3): 0304005
作者单位
摘要
武汉科技大学,煤炭转化与新型碳材料湖北省重点实验室,武汉 430081
氮化铁具有硬度高、熔点高、热导性高、耐腐蚀、安全无污染、电子导电性优异以及类铂的电子结构等优势,且其原材料资源丰富、成本低廉,在储能与电催化等众多领域中有着极大的应用前景。本文综述了铁基氮化物在结构、制备、性能和应用方面的研究进展,重点关注其制备方法和在储能领域(如锂离子电池、钠离子电池、锂硫电池)、电催化领域(如氢析出反应、氧析出反应、氧还原反应)中的应用,同时对铁基氮化物存在的主要问题进行了总结,对其未来的研究方向和应用前景进行了展望。
铁基氮化物 复合材料 制备 储能 电催化 应用 iron-based nitride composite synthesis energy storage electrocatalysis application 
人工晶体学报
2022, 51(2): 344
作者单位
摘要
贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波法,计算未掺杂与P替换Si、C以及P间隙掺杂6H-SiC的电子结构与光学性质。结果显示未掺杂的6H-SiC是带隙为2.052 eV的间接带隙半导体,P替换Si、C掺杂以及P间隙掺杂6H-SiC带隙均减小,分别为1.787 eV、1.446 eV和0.075 eV,其中P间隙掺杂带隙减小幅度最大。P替换掺杂6H-SiC使得费米能级向导带移动并插入导带中,呈n型半导体。P间隙掺杂价带中的一条能级跨入费米能级,因此在禁带中出现一条P 3p杂质能级,P间隙掺杂6H-SiC转为p型半导体。替换与间隙掺杂使得6H-SiC的介电函数实部增大,介电函数虚部、吸收光谱、反射光谱与光电导率红移,其中P间隙掺杂效果最佳。通过P掺杂材料的电导率增强,对红外波段的利用率明显提高,为6H-SiC在红外光电性能方面的应用提供有效的理论依据。
间隙掺杂 带隙 介电函数 第一原理 电子结构 光学性质 gap doping 6H-SiC 6H-SiC band gap dielectric function first-principle electronic structure optical property 
人工晶体学报
2022, 51(1): 49
作者单位
摘要
江西科技师范大学药学院, 江西省药物分子设计与评价重点实验室, 南昌 330013
本文以1-甲基-4′-对苯甲基-2,2′,6′,2″-三联吡啶六氟磷酸盐(L)为配体合成了一例新的铜配合物[CuL2](PF6)3·H2O(配合物1)。通过X射线单晶衍射技术、热重分析和X射线光电子能谱(XPS)对所合成的配合物进行了结构的表征和化学价的分析。单晶衍射分析结果表明, 该配合物属于单斜晶系, P21/c空间群, 晶胞参数为a=1.273 15(10) nm、b=1.902 01(13) nm、c=2.109 55(17) nm、β=101.269(2)°、V=5.009 9(7) nm3。XPS分析结果表明, 配合物中的铜离子是以+1价的形式存在。热重分析表明, 该配合物具有较高的热稳定性。琼脂糖凝胶电泳实验表明, 该配合物在光照条件下能有效使DNA裂解, 表明该配合物具有明显的潜在生物活性。
多吡啶 铜配合物 溶剂慢挥发法 凝胶电泳实验 DNA光裂解 polypyridine copper complex slow solvent evaporation agarose gel electrophoresis DNA photocleavage 
人工晶体学报
2021, 50(11): 2103

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