唐艺恒 1,2翁阳 1,2陈泽群 1,2李晓静 3,4[ ... ]李兰 1,2,*
作者单位
摘要
1 西湖大学工学院浙江省3D微纳加工和表征研究重点实验室,浙江 杭州 310030
2 浙江西湖高等研究院前沿技术研究所,浙江 杭州 310024
3 浙江大学脑科学与脑医学学院,浙江 杭州 310058
4 浙江大学脑与脑机融合前沿科学中心,浙江 杭州 310058
5 浙江大学光电科学与工程学院,浙江 杭州 310027
6 浙江大学信息与电子工程学院,浙江 杭州 310027
作为光遗传学的重要工具,纳米光遗传探针用于实现对生物体神经元的光刺激,能够辅助神经科学家更具特异性地探索大脑的工作机制,有望用于神经疾病的发病机理分析和治疗。研究人员针对光遗传学刺激的刺激强度、刺激范围、刺激模式、时空分辨率等要求,开发了具有不同光学功能的探针,也针对丰富探针功能如原位电生理记录、化学或生物分子递送等要求,开发了多功能的神经探针。为克服传统光电子器件刚性不可弯折、易对生物体造成损伤等弊端,柔性光学神经探针应运而生。这一类探针在植入时对生物体的损伤小,在植入后能够维持稳定的出光强度,其使用寿命得到保证。本文围绕不同类型、不同功能的光遗传探针以及光遗传探针中的柔性技术进行综述和展望。
光学神经探针 光遗传学 柔性 波导集成型探针 深脑部刺激 生物兼容材料 
激光与光电子学进展
2023, 60(13): 1316001
作者单位
摘要
1 四川轻化工大学 自动化与信息工程学院,四川 宜宾 644000
2 四川轻化工大学 人工智能四川省重点实验室,四川 宜宾 644000
针对人脸图像修复的深度学习网络存在修复后的人脸图像面部语义信息不合理和面部轮廓不协调的问题,提出了一种基于人脸结构信息引导的人脸图像修复网络。首先,采用编码器-解码器网络技术构建人脸结构草图生成网络,并在结构草图生成网络的生成器中加入跳跃连接和引入带膨胀卷积的残差块以生成待修复区域的结构草图。其次,在构建人脸修复网络时,在修复网络生成器中引入注意力机制,让修复网络在修复过程中更多关注待修复区域,并以生成的人脸结构草图为引导从而实现人脸图像面部语义结构和纹理信息的生动修复。最后,在结构草图生成网络的损失函数中引入特征匹配损失进行模型训练,从而约束生成器生成与真实结构草图更相似的结果;在修复网络的损失函数中联合感知损失和风格损失进行模型训练,从而更好地重建待修复区域的人脸图像面部轮廓结构和颜色纹理,使修复后的图像更接近真实图像。对比实验结果表明,在人脸图像数据集中,本文所设计的网络模型的修复性能有较高的提升。
人脸修复 解码器-编码器 膨胀卷积 跳跃连接 注意力机制 face inpating encoder-decoder dilated convolution skip connections attention mechanism 
液晶与显示
2023, 38(2): 245
作者单位
摘要
航天工程大学宇航科学与技术系激光推进及其应用国家重点实验室,北京 101416
为了进一步研究超短脉冲激光辐照光电探测器的饱和特性,以硅基PN型光电二极管作为实验器件,实验测量了不同激光能量密度的皮秒激光辐照器件的瞬态响应时间。实验结果表明,当皮秒激光能量密度达到97 nJ/cm2时,器件的瞬态响应信号出现了非线性饱和,同时对器件饱和后的信号特征量的信号半峰全宽和信号底宽进行了分析,其绝对增幅和相对增幅分别为154 μs、157.00%和157 μs、47.87%,可以看出随着激光能量密度的增加,响应时间逐渐增加,信号的时间展宽意味着器件的瞬态响应发生了退化。对激光注入载流子进行分析,发现激光辐照结束后产生大量的光生载流子,满足半导体的大注入条件,导致初始的载流子双极输运过程中双极迁移率趋近于0,对应的信号下降沿初始速度出现衰减,从而导致器件响应信号出现退化现象。
探测器 硅基光电二极管 超短脉冲 饱和特性 双极输运 
激光与光电子学进展
2022, 59(13): 1304003
菅佳玲 1,2叶羽婷 1,2李钧颖 3施依琳 1,2[ ... ]李兰 1,2,*
作者单位
摘要
1 西湖大学工学院,浙江省3D微纳加工和表征研究重点实验室,杭州 310024
2 浙江西湖高等研究院前沿技术研究所,杭州 310024
3 浙江大学信息与电子工程学院,杭州 310027
硫系玻璃由于具有较高的折射率、宽的红外波段透明窗口、较低的非线性损耗和较快的非线性响应,在光学器件领域具有巨大的应用潜力。随着近年来微纳器件加工技术的进步,基于硫系玻璃制备的新型微纳光子器件,在通信、安全、医疗、环境等领域得到了广泛的应用。本工作从硫系玻璃的物理光学性质出发,就硫系玻璃的薄膜制备工艺、微纳器件加工方法、光学器件应用及发展前景分别展开论述。
硫系玻璃 微纳光子器件 集成光学 中红外传感 相变材料 柔性光子 chalcogenide glasses micro/nano photonic devices integrated photonics mid-infrared sensing phase change materials flexible photonics 
硅酸盐学报
2021, 49(12): 2676
作者单位
摘要
航天工程大学 宇航科学与技术系 激光推进及其应用国家重点实验室,北京 101416
实验研究了超短脉冲皮秒激光辐照硅基PIN光电二极管的瞬态响应的规律特性,测量了在不同激光能量密度辐照下的脉冲响应信号。分析实验结果表明,随着激光能量密度的增大,器件出现了非线性饱和状态,半高宽从37.2 μs到113 μs,底宽从181 μs到322 μs,脉冲响应信号出现展宽现象,信号的展宽意味着器件的瞬态响应发生了退化,同时对于饱和前后的信号特征量的半高宽和底宽进行了分析,发现无论是绝对增幅还是相对增幅,可以看出饱和后有更为显著的展宽现象,并且主要由于器件饱和后的下降沿出现速度的衰减所致。通过理论分析发现,由于注入的光生载流子浓度变化对双极输运过程造成影响,从而改变其载流子输运过程中的速度,导致器件响应出现退化现象。
PIN光电二极管 超短脉冲 瞬态响应 非线性饱和 展宽现象 双极输运 PIN photodiode ultrashort pulse transient response nonlinear saturation broadening phenomenon bipolar transport 
红外与激光工程
2021, 50(S2): 20210305
作者单位
摘要
航天工程大学 宇航科学与技术系 激光推进及其应用国家重点实验室,北京 101416
毫秒脉宽激光打孔过程中靶物质的迁移机制直接影响孔的形貌,因此靶物质的迁移机制研究对于激光加工参数优化具有重要意义。靶物质的迁移主要包括脱靶的气化产物、溅射的熔融物质和非脱靶的熔融物质迁移,熔融物质重新凝固形成重铸层。对于脱靶的物质,采用高速相机直接成像法观察运动规律;对于重铸层,采用金相显微镜观察其形貌;最后,使用分析天平测量烧蚀质量。结果表明:铝合金的相爆炸阈值为1 047.24 J/cm2,能量密度在相爆炸阈值以下时,脱靶的靶物质主要以气化形式迁移,重铸层内部会形成周向和径向的裂纹,而能量密度在相爆炸阈值以上时,熔融物质被冲刷出烧蚀坑,烧蚀坑内部几乎不存在重铸层;气化损失的质量占比很小,靶材的质量损失主要来自相爆炸驱动的熔体喷溅,相爆炸会使单脉冲烧蚀质量增加10.7倍;相爆炸和激光强度的下降均会导致靶材的气化速率下降。
激光烧蚀 高速成像 物质迁移 气化 laser ablation high-speed imaging material migration vaporization 
红外与激光工程
2021, 50(S2): 20210264
作者单位
摘要
广西民族师范学院化学与生物工程学院, 崇左 532200
采用溶剂热法, 1,3,5-三(羧基甲氧基)苯为定向配体和乙酸镍反应构筑了一个新型的金属配位聚合物[Ni(TB)2(H2O)2]n·2H2O, 其中H3TB=1,3,5-三(羧基甲氧基)苯, 通过元素分析、IR及X射线单晶衍射对配合物结构进行表征, 并研究其荧光性质、热稳定性及Hirshfeld表面作用力。单晶结构分析表明, 该配合物属于三斜晶系, 空间群P1, 配合物中心离子Ni(Ⅱ)分别与来自两个水分子上的氧原子及四个不同1,3,5-三(羧基甲氧基)苯配体的羧酸氧原子配位, 形成六配位的NiO6八面体构型, 并通过与1,3,5-三(羧基甲氧基)苯配体的氧原子配位不断延伸形成具有孔洞结构的一维链状构型。配合物具有良好的荧光性能和热稳定性。Hirshfeld表面作用分析表明配合物分子中O…H/H…O作用占主导且占比为39.0%, 而H…H的作用力占比为25.9%, O…O的作用力占比为13.6%。
1,3,5-三(甲氧基羧基)苯 晶体结构 荧光性质 热稳定性 Hirshfeld表面 1,3,5-tris(carboxymethoxyl)benzene crystal structure fluorescence property thermal stability Hirshfeld surface 
人工晶体学报
2021, 50(5): 877
Author Affiliations
Abstract
1 State Key Laboratory of Modern Optical Instrumentation, College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310007, China
2 Institute of Microelectronics, Chinese Academic Society, Beijing 100029, China
3 Key Laboratory of 3D Micro/Nano Fabrication and Characterization of Zhejiang Province, School of Engineering, Westlake University, Hangzhou 310007, China
4 Institute of Advanced Technology, Westlake Institute for Advanced Study, Hangzhou 310023, China
As a promising spectral window for optical communication and sensing, it is of great significance to realize on-chip devices at the 2 µm waveband. The development of the 2 µm silicon photonic platform mainly depends on the performance of passive devices. In this work, the passive devices were fabricated in the silicon photonic multi-project wafer process. The designed micro-ring resonator with a 0.6 µm wide silicon ridge waveguide based on a 220 nm silicon-on-insulator platform achieves a high intrinsic quality factor of 3.0×105. The propagation loss is calculated as 1.62 dB/cm. In addition, the waveguide crossing, multimode interferometer, and Mach–Zehnder interferometer were demonstrated at 2 µm with good performances.
silicon photonics integrated photonics grating coupler multimode interferometer waveguide crossing 
Chinese Optics Letters
2021, 19(7): 071301
叶羽婷 1,2马辉 3孙春雷 1,2陈泽群 1,2[ ... ]李兰 1,2,*
作者单位
摘要
1 西湖大学工学院浙江省3D微纳加工和表征研究重点实验室, 浙江 杭州 310024
2 浙江西湖高等研究院前沿技术研究所, 浙江 杭州 310024
3 浙江大学信息与电子工程学院, 浙江 杭州 310027
柔性光子器件不受传统光电子器件刚性物理状态限制,可弯曲、可折叠、可拉伸的形式使得器件独特的光电性质得以实现和调控,极大拓展了传统光电子器件的发展模式与应用空间。结合新功能光学材料、器件集成技术以及光子器件较电子器件在物质特异性传感、信道容量和抗电磁干扰能力上的优势,柔性光子技术在多学科交叉融合领域的前沿方向,如可穿戴传感、高速光互连、光场调控、生物光遗传等展现出巨大的研究和应用价值。然而目前存在柔性集成光子器件加工制备难、机械柔韧性有限、集成化程度低等挑战。针对以上问题简要回顾了近年来研究人员在柔性光子材料与器件方面取得的研究进展并对其相关技术应用前景进行了总结和展望。
集成光子 柔性光子器件 光学玻璃 纳米力学设计 单片集成 共形传感 
激光与光电子学进展
2020, 57(3): 030001
作者单位
摘要
合肥鑫晟光电科技有限公司, 安徽 合肥 230012
为改善无边框液晶模组L0漏光, 本文通过对影响面板透过率的液晶材料、PI原材、ODF工艺、PI涂布及其摩擦工艺等诸多因素研究, 筛选出预固化温度&时间、PI膜厚、TFT & CT面摩擦强度、TFT & CT摩擦布共7个影响因子; 选择面板翘曲度为噪声因子, 通过量测不同程度L0漏光对应的面板翘曲, 并对L0漏光程度与翘曲进行二次拟合, 以此分别选取翘曲为1.8~2.1 μm及6.4~8.0 μm的面板作为噪声因子高低水平。按L8设计田口实验, 采用Jump14运行试验结果, 结果显示, 预固化温度设置为140 ℃, 预固化时间设置为130 s, PI膜厚设置为75 nm, TFT面摩擦强度设置为14 mm, CF 面摩擦强度设置为15.5 mm, 其他参数维持量产条件, S/N可得到最大值-2.63。该条件下实际平均漏光水平从参数调整前的2.25下降到调整后的1.04。特别地, 在漏光高发的翘曲区域, 即6.4~8.0 μm时, L0漏光均值从3.07下降到1.7, 预测漏光程度大于level 3的不良率从6.2%下降到0.2%。
L0漏光 ADS显示模式 无边框液晶模组 田口法 L0 light leakage ADS borderless module Taguchi method 
液晶与显示
2019, 34(7): 667

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