作者单位
摘要
1 沈阳理工大学 理学院, 辽宁 沈阳 110159
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室, 吉林 长春 130033
亚微米尺寸K2SiF6∶Mn4+荧光粉被认为是Micro-LED显示领域的变革性技术,但是小粒径K2SiF6∶Mn4+荧光粉的合成技术不成熟,难以实现亚微米尺度下的高效发光。因此,本文报道了一种亚微米级K2SiF6∶Mn4+荧光粉的沉淀合成新方法。经荧光光谱分析,该荧光粉在450 nm蓝光激发下展现出典型的Mn4+红色发光,其内量子效率高达94.9%。经扫描电子显微镜(SEM)观察,合成的荧光粉粒径分布在150 ~ 450 nm范围。该荧光粉具备良好的热猝灭性能,在443 K可保持室温发光强度的102%。将绿色荧光粉β-sialon∶Eu2+和K2SiF6∶Mn4+混合涂覆在蓝光芯片上制成白光LED,其色域覆盖范围达到133% NTSC,在驱动电流从10 mA增加到120 mA的情况下,色温波动~10%、显色指数波动~2%,总体性能保持稳定。本文将为亚微米尺寸K2SiF6∶Mn4+ 荧光粉的合成提供新的方法,以促进Micro-LED显示技术的进一步发展。
荧光粉 亚微米尺寸 Mirco-LED 合成方法 phosphor submicron-size Mirco-LED synthesis 
发光学报
2024, 45(1): 94
作者单位
摘要
1 沈阳理工大学理学院, 沈阳 110159
2 中国科学院金属研究所, 沈阳 110016
为探索氧化铟基半导体薄膜择优取向的控制生长策略, 并探究晶面取向对光电性能的影响, 采用磁控溅射技术在石英(SiO2)衬底上分别制备了具有(222)和(440)晶面择优取向的氮掺杂氧化铟(In2O3:N)薄膜, 利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、紫外-可见分光光度计对In2O3:N薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成、光学带隙进行了表征, 并研究了不同择优取向薄膜的光电特性。结果表明: 不同择优取向In2O3:N薄膜的氮掺杂均以替位式为主, 氮掺杂会导致氧化铟的禁带宽度减小至2.89 eV。相比(222)晶面择优取向, (440)晶面择优取向的In2O3:N薄膜的光响应时间更短。
氮掺杂氧化铟 磁控溅射 择优取向 光电探测 nitrogen-doped indium oxide magnetron sputtering preferred orientation photoelectric detection 
硅酸盐学报
2023, 51(1): 145
作者单位
摘要
沈阳理工大学理学院, 辽宁 沈阳 110159
为改变TiO2的颗粒尺寸和提高其光催化性能, 采用高能球磨法处理TiO2粉末, 研究球磨时间对样品微观形貌、 晶体结构、 拉曼光谱、 荧光光谱和光催化性能的影响; 分析荧光光谱和光催化性能之间的关系, 确定光催化机理为快速判断其光催化性能提供依据。 结果表明: 随着球磨时间的增加样品颗粒由规则形状变成无规则形状且表面变得粗糙。 所有样品均主要为锐钛矿结构, 有少量的金红石结构, 随着球磨时间的增加金红石结构的(110)衍射峰逐渐增强说明在球磨过程中少量的TiO2发生了相转变, 晶粒尺寸先减小后增加。 所有样品均出现锐钛矿型TiO2拉曼散射峰, 而未发现金红石晶型的拉曼散射峰。 各个拉曼峰的半高宽随着球磨时间的增加都有所增加, 这表明样品的表面质量下降, 表面缺陷和氧空位逐渐增加导致。 所有样品在470 nm附近均出现荧光峰, 且球磨后的样品该荧光峰得到增强, 经过球磨后的TiO2样品在397, 452, 483, 500和536 nm等处出现荧光峰, 且球磨4 h后的TiO2荧光峰强度最强, 表明其表面缺陷和氧空位含量最多, 与拉曼光谱分析结果是一致的。 随着辐照时间的增加到100 min所有样品的降解率均有所提升且100 min后所有样品对甲基橙的降解率超过60%。 经过球磨后的TiO2样品的降解率都比未球磨的样品高, 且球磨4 h的样品的降解率最高, 表明其光催化性能最好。 在光催化反应过程中, 氧空位和缺陷成为俘获光生电子的中心, 以致于光生电子与空穴的复合被有效地禁止。 氧空位促使样品对氧气的吸收, 氧气与氧空位俘获的光生电子发生相互作用而形成氧自由基, 对有机物的氧化起到关键作用, 因此表面缺陷和氧空位越多, 即激子光致发光峰越强, 其光催化性能越好。 采用球磨法可提高TiO2粉末的光催化性能, 并通过激子光致发光峰的强弱可快速定性地判断光催化性能的表现。
拉曼光谱 荧光光谱 光催化 高能球磨 Raman spectra Fluorescence spectrum Photocatalysis High energy ball milling 
光谱学与光谱分析
2022, 42(10): 3063
作者单位
摘要
沈阳理工大学理学院,辽宁 沈阳 110158
乳腺组织自体荧光光谱法通常采用420~512 nm波段的光源,本次实验采用波长为405 nm的激光源获取乳腺组织切片的自体荧光光谱,避免了活体检测时脂肪和血液对光谱的干扰。荧光光谱是多种发光基团的叠加光谱,基于荧光光谱对乳腺癌细胞的生化信息进行定性和定量分析时,光谱特征峰不易分辨。本文提出了高斯函数拟合乳腺组织切片荧光光谱的方法,该方法可有效分离重叠峰。与正常组织相比,癌变组织的荧光特征峰出现了明显的红移现象。通过面积比值法分析了正常与癌变乳腺组织中荧光物质的差异,癌变组织在517 nm和635 nm处的峰面积与492 nm处的峰面积之比(A517/A492A635/A492)分别是正常组织的2.4~5.5倍和5.4~8.5倍,可作为诊断乳腺癌的标准。最后,本文分析了支持向量机(SVM)算法对乳腺组织荧光光谱进行分类的可行性,分类准确率为87.50%,为乳腺癌的快速诊断提供了新方向。
医用光学 高斯函数拟合 乳腺癌 荧光光谱 支持向量机 
中国激光
2022, 49(20): 2007106
作者单位
摘要
沈阳理工大学 理学院, 沈阳 110159
采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜。利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构和光学带隙进行了表征, 并在室温下测量了Ga2O3薄膜的光致发光(PL)谱。结果表明: 制备的Ga2O3薄膜呈非晶态。吸收边随着溅射气压的增加先蓝移后红移,光学带隙值范围为5.06~5.37eV, 溅射气压为1Pa时, 制备的Ga2O3薄膜具有最大的光学带隙。在325nm激光激发下, 400nm附近和525nm附近处出现与缺陷能级相关的发光峰。
Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 晶体结构 光学带隙 光致发光 Ga2O3 oxide thin films radio frequency magnetron sputtering crystal structure optical bandgap photoluminescence 
半导体光电
2021, 42(6): 875
作者单位
摘要
沈阳理工大学 理学院, 辽宁 沈阳 110159
采用直流反应磁控溅射法, 在玻璃衬底上生长了沿(002)择优取向的AlN薄膜, 用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对AlN薄膜结构和表面形貌进行表征, 并测量了AlN薄膜在405 nm激光激发下的光致发光(PL)光谱。结果表明, 在不同氮气含量条件下生长的AlN薄膜均呈(002)择优取向, 薄膜表面呈小颗粒密堆积排列, 颗粒尺寸在20 nm左右。不同氮气含量条件下生长的AlN薄膜在550 nm处均有较强的由于VAl能级向价带跃迁引起的缺陷能级发光峰; AlN薄膜在589, 614, 654 nm处也有较弱的缺陷能级发光峰, 随着氮气含量增大, 缺陷能级发光峰越来越明显, 产生原因分别为ON-ON缺陷对向VAl-2ON产生的复合缺陷能级的跃迁、导带向与氧有关的杂质能级(IO)间的跃迁以及VAl-ON深能级向价带的跃迁。
磁控溅射 择优取向 光致发光 缺陷发光 magnetron sputtering preferred orientation photoluminescence defect emission 
发光学报
2019, 40(6): 719
作者单位
摘要
沈阳理工大学 理学院, 辽宁 沈阳 110159
采用直流电弧放电方法, 在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明: 所制备的AlN微晶棒长度约为30 μm, 直径约为10 μm。在AlN微晶棒的PL谱中, 有两个主要发光峰, 中心在430 nm的发射源于VN和(VAl-ON)2-构成的深施主-深受主对缺陷发光, 中心在650 nm的发射源于VAl形成的深受主能级到价带的缺陷发光。在激发波长由270 nm逐渐增大到300 nm的过程中发现, AlN微晶棒波长在430 nm处的发光峰先增强后减弱, 在激发波长为285 nm时强度最大; 650 nm处的发光峰随激发波长增大而逐渐增强。
AlN微晶棒 直接氮化法 光致发光 缺陷发光 AlN microrods direct nitridation method photoluminescence defect luminescence 
发光学报
2016, 37(8): 927
作者单位
摘要
沈阳理工大学 理学院, 辽宁 沈阳110159
采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子, 分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究。结果表明: 所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右。在GaN纳米粒子的PL谱中, 中心在357 nm的发射源于本征发光, 中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合, 中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光。
GaN纳米粒子 直接氮化法 光致发光 GaN nanoparticles direct nitridation method photoluminescence 
发光学报
2014, 35(5): 585
作者单位
摘要
1 沈阳理工大学理学院, 辽宁 沈阳110159
2 吉林大学超硬材料国家重点实验室, 吉林 长春130012
利用金刚石对顶砧(DAC)技术和显微Raman光谱原位测量技术, 在0~33.1 GPa压力范围对AlN纳米线进行了高压相变研究。 在24.4 GPa附近, A1(LO)振动模式呈现出较大的非对称性宽化的特征, 表明发生了六角纤锌矿到立方岩盐矿的结构转变。 岩盐矿结构AlN纳米线的无序声子散射导致了高压相的Raman散射信号。 卸压后, 高压相的Raman光谱特征被保留下来。 根据纤锌矿结构AlN纳米线的振动模式频率随压力的变化关系, 讨论了AlN纳米线和体材料在转变路径上的区别, 并计算了纤锌矿结构中对应不同声子模式的格林爱森常数。
AlN纳米线 结构相变 高压Raman光谱 AlN nanowires Structure phase transition High-pressure Raman spectra 
光谱学与光谱分析
2011, 31(3): 696

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