作者单位
摘要
1 Key Laboratory of Polar Materials and Devices, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai20024, China
2 National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai00083, China
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了SnZn相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2CuZn+SnZn]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[CuZn+SnZn]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与SnZn相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。
禁带宽度 半导体缺陷 光谱表征 铜锌锡硫 bandgap semiconductor defects spectroscopy characterization Cu2ZnSnS4 
红外与毫米波学报
2020, 39(1): 92
越方禹 1,*毛峰 1王涵 1张小玲 1[ ... ]褚君浩 1,2
作者单位
摘要
1 华东师范大学信息学院光电系极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241
2 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海 200083
高功率半导体激光器具有效率高、寿命长、体积小,及成本低等优点,在****、材料加工和抽运源等领域具有广泛应用。阐述了镓砷/GaAs基近红外波段激光器和镓氮/GaN基蓝绿光波段激光器的缺陷类型、发射特征,以及相关研究进展,通过聚焦商用器件,利用变条件分波段发射谱及其热像,展示了与缺陷相关的发射信号来源和空间分布,分析了内部光学损伤(COD)动力学,指出了现有“外COD”模型在解释器件热退化机理上的局限性。
激光器 高功率半导体激光器 红外缺陷发射 热效应 
激光与光电子学进展
2019, 56(11): 110001
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
2 华东师范大学 极化材料与器件教育部重点实验室,上海 200241
综述了近几年来亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的“光”“电”特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构HgCdTe红外探测器的模拟和分析结果.理论分析和实验研制数据均显示这种新型亚波长人工微结构结构具有很好的陷光特性,在提高长波红外探测器性能方面具有潜在应用前景.
HgCdTe红外探测器 亚波长人工微结构 陷光效应 长波红外探测器 金属表面等离子激元 HgCdTe infrared detectors subwavelength microstructure photon trapping long wavelength infrared detectors surface plasmon polaritons 
红外与毫米波学报
2016, 35(1): 25
作者单位
摘要
武汉理工大学光纤传感技术研究中心,武汉,430070
用钌(Ⅱ) 邻菲咯啉配合物作为指示剂,研制成功一种基于荧光猝灭原理的光纤氧气传感器。采用锁相放大技术,实现了对弱荧光信号的检测。该传感器的检测下限为5×10?? -6??,检测精度为5×10?? -7??,响应时间??T≤10?? s,并具有较强的抗干扰能力、较好的重复性和稳定性。
有机光化学 光纤氧气传感器 荧光猝灭 锁相放大 钌(Ⅱ)邻菲咯啉 
光学学报
2003, 23(3): 381

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