陈亚玲 1,2舒松 1,2王劭鑫 1,2李建军 1,2,*
作者单位
摘要
1 1.四川大学 建筑与环境学院, 成都 610000
2 2.国家烟气脱硫工程技术研究中心, 成都 610000
低温选择性催化还原(SCR)脱硝是工业烟气末端治理的重要技术, 强化催化剂硫抗性是低温SCR领域内亟待解决的问题。本研究以羟基磷灰石(HAP)为载体、Mn为活性组分通过共沉淀法成功合成了Mn-HAP低温(100~200℃)脱硝催化剂, 探究了其脱硝性能及金属硫酸盐和硫酸铵的中毒特性。结果表明: 以HAP作为活性组分Mn的载体能一定程度上提高催化剂的抗硫性。当反应温度为140 ℃时, SCR催化剂脱硝效率达到100%, 金属硫酸盐相较硫酸铵对催化剂低温脱硝活性的影响更显著, 120 ℃时脱硝效率分别降低37.40%和8.83%。不同手段分析表明, 不同表面硫物种均会不同程度地降低催化剂比表面积并改变活性Mn氧化态。金属硫酸盐显著降低Mn4+/Mn比例是造成催化剂失活的主要原因。
羟基磷灰石 低温NH3-SCR SO2抗性 金属硫酸盐 硫酸铵 hydroxyapatite low-temperature NH3-SCR SO2 resistance metal sulfate ammonium sulfate 
无机材料学报
2022, 37(10): 1065
作者单位
摘要
1 郑州大学 集成电路可靠性设计与静电防护实验室, 郑州 450000
2 西安理工大学 自动化与信息工程学院, 西安 710000
3 长鑫存储技术有限公司, 合肥 230000
提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR)。在传统LVTSCR中植入P-ESD层, 增设额外的二极管。因为P-ESD层的掺杂浓度较高, 该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径, 从而开启第二级泄流路径。Sentaurus TCAD仿真结果表明, 该器件的触发电压从传统器件的10.59 V降低至4.12 V, 维持电压为1.25 V, 1 V直流电压下漏电流仅为7.85 nA。优化后的TSPSCR适用于先进1 V工作电压的电路中。
两级防护 触发电压 漏电流 ESD ESD SCR SCR two-stage-protection trigger voltage leakage current 
微电子学
2022, 52(1): 104
作者单位
摘要
1 北京智芯微电子科技有限公司, 北京 100192
2 北京大学 集成电路学院, 北京 100871
3 北京大学 微电子器件与电路教育部重点实验室, 北京 100871
针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾, 设计了一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构。相比于常规SCR结构, 首先, 通过移动阳极/阴极的N+/P+掺杂区引入辅助泄放器件, MEWSCR结构实现了二次触发, 增加了维持电压; 其次, 通过在阳极P+区和阴极N+区下方分别嵌入N浅阱和P浅阱, 增强非平衡载流子的SRH复合作用, 降低SCR的再生反馈效应, 提高了维持电流。基于0.18 μm BCD工艺, 采用TCAD软件进行模拟。结果表明, 新型MEWSCR器件的维持电压提升至23 V, 维持电流提升1 A以上, 满足ESD设计窗口要求。
静电放电 硅控整流器 维持电压 闩锁 ESD SCR holding voltage latch-up 
微电子学
2022, 52(1): 91
作者单位
摘要
1 电子科技大学 信息与通信工程学院, 成都 610000
2 电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都 610000
提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由63 V下降到44 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。
静电放点 可控硅整流器 触发电压 electrostatic discharge SCR trigger voltage 
微电子学
2021, 51(4): 587
作者单位
摘要
1 国网广安供电公司,广安 638000
2 四川大学电子信息学院,成都 610065
依据触发电压VS、触发电流IS、维持电流IH及触发电压、维持电流高低温变化率指标要求,利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件完成了双向低触发电压横向晶闸管(SCR)放电管的设计。详细分析了对触发特性产生显著影响的结构参数(N-衬底区、寄生PNP晶体管P-集电区、寄生NPN晶体管P-基区、N+阴极区、N+触发区、寄生PNP晶体管P-集电区与寄生NPN晶体管P-基区间距、寄生NPN晶体管表面基区宽度)对器件输出I-V特性及抗瞬态电流烧毁能力的影响。根据设计得到的器件结构参数,绘制版图、制定双向低触发电压横向SCR放电管工艺方案并进行试制。通过实际流片,对关键的设计及工艺进行攻关,研制出样片触发电压VS、触发电流IS、维持电流IH及触发电压、维持电流高低温变化率完全满足电参数指标要求。
双向 低触发电压 横向晶闸管 放电管 触发特性 电参数 bidirectional low trigger voltage transverse SCR discharge transistor triggering characteristic electrical parameter 
人工晶体学报
2021, 50(2): 353
作者单位
摘要
国防科技大学 电子科学与工程学院, 湖南 长沙 410073
由于具有恒虚警和自适应的能力, 恒虚警率(CFAR)是应用最为广泛的SAR图像舰船检测算法之一, 它在传统的中低分辨力图像中效果较好。但随着合成孔径雷达(SAR)幅宽与分辨力的提高, 这种检测方法已不能满足舰船检测的近实时性要求。本文针对高分辨宽幅SAR图像中的舰船检测问题, 提出了一种基于分块预判断的SAR图像舰船目标检测方法。该方法首先对SAR图像进行分块, 然后利用一个预先训练的支持向量机(SVM)分类器对所有分块进行可能性判断, 最后只对判断为存在目标的分块进行能量比检测。基于实测数据的实验表明, 本文方法较以往算法在取得较好检测效果的同时, 检测效率也有较大提升。
合成孔径雷达 舰船检测 分块预判断 支持向量机 信杂比 Synthetic Aperture Radar(SAR) ship detection block prescreening Support Vector Machines(SVM) Signal to Clutter Ratio(SCR) 
太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(3): 378
作者单位
摘要
空间物理重点实验室, 北京 100076
对大气背景进行了分析, 并经计算得到了不同俯仰角下的大气辐射强度和大气 透过率; 通过分析大气层内高动态目标的辐射原理, 给出了高温气体影响下的目标红外特性的 计算模型, 并给出了不同波段的目标红外辐射强度的计算结果; 根据计算公式得到了信杂比 和探测距离, 并对其进行了分析, 最后得出了探测能力有限的结论。
红外 天基探测 高动态目标 信杂比 探测距离 infrared space-based detection high dynamic target SCR detection range 
红外
2015, 36(5): 1
作者单位
摘要
中国空空导弹研究院, 河南 洛阳 471009
针对边缘方向误差较大导致各向异性 SUSAN算法背景抑制能力降低的问题, 提出了一种高精度边缘方向求解算法来确定实际边缘方向; 并引入独立强度模型来确定短轴的尺度以实现滤波器长、短轴自适应地确定。实验表明: 高精度边缘方向求解算法的引入能显著提升红外背景重建的精确度, 从而提高了算法的背景抑制能力, 经过该算法滤波后的图像其信噪比、检测率都获得显著提升, 虚警率明显降低, 能有效提高系统的单帧红外弱小目标的检测能力。
高精度边缘方向求解 各向异性 SUSAN滤波器 信噪比 highly precise edge orientation searching anisotropic SUSAN filtering SCR 
红外技术
2014, 36(12): 982
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
2 中国科学院研究生院,北京 100039
非均匀性是制约红外系统成像质量的关键因素之一。提出了非均匀性对目标检测影响程度的分析方法,给出了不同性能的目标检测系统对于非均匀性的指标要求。该方法首先采用点光源成像实验仿真了非均匀性和信杂比的关系,然后根据N-P准则(Neyman-Person Criterion)从理论上推导了信杂比与检测概率和虚警概率的关系。实验结果表明,非均匀性每增大1%,检测概率降低15%左右,当非均匀性达到10%时基本失去目标检测功能。当虚警概率降低到5%左右后将不再受非均匀性的影响。
红外线列探测器 非均匀性 信杂比 N-P准则 infrared line array detector Non-uniformity SCR Neyman-Person Criterion 
红外技术
2012, 34(4): 237
作者单位
摘要
北京理工大学 信息与电子学院,北京 100081
分析了小波、脊波和曲线小波等方法用于含噪图像中类线像素恢复的不足。针对它们的缺点,提出了一种用于各向异性检测的方向算子集合的结构和统一规范。利用粗糙检测、淘汰和平均(DWA)方法,通过检测、淘汰和加权平均,实现了含噪图像中类线像素的恢复;利用收缩、选择和记载(SCR)方法,通过收缩、连接和记载操作,实现了含噪图像中类线像素的分割工作。仿真试验结果证明了提出算子的合理性和相关类线像素恢复及分割方法的准确性、有效性、局限性和一致性。
方向算子集合 粗糙DWA 方法 SCR 方法 类线像素 directional operators coarse DWA scheme SCR method line similar line pixel 
光电工程
2010, 37(1): 125

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