In2Se3二维层状材料具有优异的光电、热电和铁电特性。目前In2Se3二维层状材料大部分通过对化学气相输运(CVT)法制备的块体In2Se3进行机械剥离获得, CVT法制备工艺复杂、制备时间长、成本高, 与之相比, 布里奇曼(B-S)法具有制备工艺简单、制备效率高、成本低的优势。为此, 本文对CVT法和B-S法制备的块体In2Se3分别进行了机械剥离, 并转移到SiO2/Si(111)基底, 获得了相应的二维层状In2Se3样品。同时利用原子力显微镜(AFM)、激光拉曼和X射线衍射(XRD)对两样品进行表面形貌、晶格振动谱和结晶质量的测量, 发现用B-S法制备、剥离的样品具有与CVT法制备、剥离样品几乎相同的表面原子级平整度和单晶结晶质量。本文为高质量二维层状In2Se3材料的获得提供了更为经济实用的途径。

利用化学气相传输法(CVT)制备了InSeI单晶。该晶体为黄色的针状物，晶体较脆。在室温下进行X射线衍射分析发现，其属于四方晶系，晶胞参数为a=b=1.864 3(5) nm，c=1.012 0(3) nm，V=3.517 2 nm3,空间群为I41/a。紫外可见光吸收光谱、光致发光光谱等结果显示该晶体的禁带宽度是2.48 eV，在一定波段光的激发下，InSeI单晶在600 nm左右有较宽的发射峰，表明该晶体的发光方式为缺陷态发光。介电温谱表明InSeI单晶在440 K时其四方相的结构发生了相变。