宽禁带半导体具有独特的电子结构、丰富的微纳结构、低温可控制备、可柔性透明化、化学稳定性好、物丰价廉等特点，成为信息技术与环境技术新的重要基础材料。以氧化锌和钙钛矿这两种宽禁带半导体材料为例，分别介绍了两种材料的制备原理及方法、光电特性及其在紫外光源、透明导电薄膜、发光二极管等领域的应用。最后对其发展进行了展望。

基于透明器件广阔的应用前景，p型透明导电材料及器件应用成为该领域研究的热点，并在近年来取得了令人瞩目的进展。综述了p型ZnO基氧化物、p型含铜氧化物、p型硫族化合物等透明导电材料及其器件应用的研究现状，重点介绍了近年来出现的p型掺杂的新方法、新机制及新材料的性能，并指出了今后的发展趋势和研究重点。

首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电(TCO)薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温度下制备的TCO薄膜，对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电离子的有效电荷数大致呈反比关系，在载流子浓度相同的情况下，随着复合几率增大，价态差分别为3和4的TCO薄膜中的带电离子的平均有效电荷分别趋于1和2，因此带电离子散射迁移率也随之增大，分别趋于价态差为1和2的TCO薄膜的带电离子散射迁移率。而对于价态差为3的TCO薄膜，由于电中性复合粒子数量较少，对载流子的散射最弱，因此在复合几率较大的情况下，价态差为3的TCO薄膜有可能获得比价态差为1的TCO薄膜更高的载流子迁移率。

在实用的透明导电氧化物(TCO)薄膜中,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制.如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大,每个掺杂离子可以提供较多的自由载流子,则使用较少的掺杂量就可以获得足够多的自由载流子,而且可以获得较高的载流子迁移率和减少薄膜对可见光的吸收,是提高TCO薄膜性能的一条捷径.采用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In₂2O₃:Mo,简称IMO)薄膜中,Mo⁶⁺与In³⁺的化合价态相差3,远大于广泛研究和应用的TCO薄膜材料In₂O₃:Sn、SnO₂:F和ZnO:Al中的价态差.IMO薄膜的电阻率可以低至1.7×10^-4Ω·cm,对4 μm以上波长红外线的反射率和可见光区域的平均透射率(含1.2 mm厚玻璃基底)都高于80%;载流子迁移率高达80～130cm²V^-1s^-1,远超过其它掺杂TCO薄膜;但是自由载流子浓度只有2.5×10²⁰～3.5×10²⁰cm^-3,还有很大的发展空间可以进一步提高性能.