林涛 1,2,*解佳男 1穆妍 1李亚宁 1[ ... ]米帅 1
作者单位
摘要
1 西安理工大学自动化与信息工程学院,陕西 西安 710048
2 西安理工大学陕西省复杂系统控制与智能信息处理重点实验室,陕西 西安 710048
短波长红光激光是激光显示、生物医学等应用领域急需开发的一种新波段光源。基于Ge/SixGe1-x衬底设计并模拟分析了一种波长为620 nm的红光半导体激光器。该激光器使用Ge衬底以及SixGe1-x基体层,通过改变SixGe1-x层中的Si摩尔分数调整激光器结构中每层AlGaInP系材料的晶格常数,从而实现高Ga摩尔分数的GaInP量子阱并将GaInP量子阱的激光波长缩短至620 nm。通过计算SiGe、AlGaInP系材料的物理参数,研究了GaInP量子阱有源区结构和SixGe1-x基体层组分对输出特性的影响规律,优化了激光器的结构参数。模拟结果表明,298 K温度下设计的激光器输出波长为620 nm,阈值电流为0.58 A,输出功率为1.20 W,转换效率为38.3%。
激光器 半导体激光器 短波长红光激光 晶格调制 Ge/SixGe1-x衬底 
激光与光电子学进展
2022, 59(19): 1914003
作者单位
摘要
湖北警官学院, 法庭科学湖北省重点实验室, 武汉 430034
系统研究了Ba2Mg(BO3)2∶Eu3+荧光粉的高温固相法制备工艺条件, 发现在900 ℃下保温3 h制得的样品的发光性能最好。研究了Eu3+掺杂浓度对基质晶 格环境和发光性质的影响, 当Eu3+浓度较低时, 荧光粉在594 nm的发射峰强度最大, 随着Eu3+掺杂浓度的增加, Eu3+偏离对称中心的程度越来越大, 当Eu3+浓 度超过3at%时, 荧光粉在613 nm的发射峰强度开始急剧增强, 浓度达到3.5at%时, 613 nm的发射开始占主导, 这是由于晶体结构的扭曲程度导致晶格对称性发 生了较大的改变, 释放了更多禁戒的5D0→7F2电偶极跃迁。制备的橙色荧光粉可以被近紫外InGaN芯片有效激发, 应用于白光LED。
荧光粉 晶格 发光性质 Ba2Mg(BO3)2∶Eu3+ Ba2Mg(BO3)2∶Eu3+ phosphor crystal lattice luminescent property 
人工晶体学报
2020, 49(3): 452
作者单位
摘要
1 湖北科技学院电子与信息学院, 湖北 咸宁 437100
2 哈尔滨工程大学理学院,纤维集成光学教育部重点实验室, 黑龙江 哈尔滨 150001
采用自相似方法,时空调制的光子晶格广义变系数的非线性薛定谔方程化简为常系数方程,将相关的表达式代入原方程,得到了不同传播形式的精确孤子解,并详细讨论了周期性分布的亮、暗呼吸子的传输性质。
非线性光学 空间孤子 光子晶格 呼吸子 nonlinear optics spatial solitons photonic crystal lattice breather 
量子电子学报
2019, 36(1): 82
作者单位
摘要
中国兵器工业集团公司第53研究所, 济南 250031
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚AlxGa1-xN外延膜, 通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷, 通过高分辨X射线衍射试验对AlxGa1-xN外延膜进行ω/2θ扫描, 结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结构, 通过对对称面和非对称面的晶面间距进行修正精确计算了外延膜晶格常数, 并由此对应变进行定量分析, 四个不同Al组分的AlxGa1-xN外延膜样品的四方畸变值随Al含量的增大而逐渐减小, 并且均小于零, 在水平方向上均处于压应变状态。
铝镓氮外延膜 高分辨X射线衍射 晶格常数 应变 AlGaN epitaxial film MOCVD MOCVD high resolution X-ray diffraction crystal lattice constant strain 
半导体光电
2016, 37(4): 524
作者单位
摘要
湖北科技学院电子与信息工程学院, 湖北 咸宁 437100
基于光致折变介质中光子晶格作用下光孤子的基本理论模型,采用分部傅里叶 算法,研究了二维光子晶格调控下 空间孤子的形成及其传输特性。结果表明,在厄米特-高斯光子晶格中,晶格阶数、调制强度、深度显著地影 响了空间孤子的形状及其稳定性。结果对空间孤子实验研究具有重要的指导意义。
非线性光学 光子晶格 空间光孤子 厄米特晶格 nonlinear optics photonic crystal lattice spatial optical soliton Hermite lattice 
量子电子学报
2015, 32(2): 210
作者单位
摘要
内蒙古师范大学 物理与电子信息学院, 内蒙古 呼和浩特 010022
为了得到衍射效率高的光子晶格,采用光诱导光子晶格的方法,在LiNbO3∶Fe(掺铁铌酸锂)晶体中写入一维光子晶格。对写入晶格周期的密度的最小值,以及晶格周期与衍射效率之间的关系进行了研究,并对用不同波长的激光器写入时的情况进行了对比。实验结果表明,写入周期最小时为入射波长的一半,此时两束入射光形成驻波。发现双光束夹角在20°以内时衍射效率比较高,大于25°时衍射效率比较低。得出结论是:要得到衍射效率高的光子晶格,双光束夹角应在20°以内,并使用短波长激光器作为辐照光源。
非线性光学 光诱导光子晶格 掺铁铌酸锂晶体 晶格周期 衍射效率 nonlinear optics light-induced photonic lattices LiNbO3∶Fe crystal crystal lattice period diffraction efficiency 
光通信研究
2014, 40(1): 49
作者单位
摘要
北方材料科学与工程研究院宁波所, 宁波 315013
马氏体具有四方的结构, 其四方性随含碳量的增加而增大, 点阵发生扭曲, 当含碳量比较高时, 原来α-铁晶体的晶面如(110)、(200)、(211)、(220)等的衍射线条分解成为双重线(101-110、002-200、112-211、202-220)。当含碳量降低时, 双重线非常靠近, 形成了一条宽的线带, 使得马氏体晶格参量的测量十分困难。本文利用每对双重线中的多重性因素的变化特点(如101为8,110为4,002为2,200为4,112为8,211为16等)提出了低碳马氏体晶格参量的测量方法。
马氏体 衍射 晶格参量 测量 Martensite Diffraction Crystal lattice Measurement 
光散射学报
2013, 25(4): 398
作者单位
摘要
1 电子科技大学 1. 计算机科学与工程学院
2 电子科技大学 2. 光电信息学院, 成都 610054
3 电子科技大学 3. 成都言佰科技有限公司, 成都 610031
常规方法测试超薄膜的厚度存在很大困难。介绍一种测试约4nmPtSi厚度的电阻率法。先制备厚度约40nm的薄膜, 测试出薄膜电阻率, 再考虑超薄膜的表面效应、尺寸效应, 推导出超薄膜电阻率与薄膜电阻率的关系式, 测试超薄膜方电阻, 计算出超薄膜厚度。给出了TEM晶格像验证结果, 误差小于6%。实验表明该方法简单易行, 对其他超薄膜厚度的测试提供了参考。
超薄PtSi膜 厚度测试 尺寸效应 TEM晶格像 ultrathin PtSi film thickness test size effect TEM crystal lattice images 
半导体光电
2012, 33(4): 537
作者单位
摘要
清华大学教育部破坏力学重点实验室
提出了一种纳米云纹法的条纹倍增技术,可用于单晶材料纳米级变形测量.在测量中,单晶材料的晶格结构由透射电镜(TEM)采集并记录在感光胶片上作为试件栅,几何光栅作为参考栅.对纳米云纹条纹的形成原理,透射电镜放大倍数与试件栅的频率关系,条纹倍增技术,位移、应变测量方法等进行了详细讨论.该方法不仅能够测量连续力学参量,如应变和位移,而且能够表征纳观非连续参量,如位错、夹杂.
纳米云纹法 倍增技术 晶格 Nano-moiré method Multiplication technique Crystal lattice 
光子学报
2005, 34(9): 1431
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
采用沉淀法制备了氧含量不同的VO2-x纳米粉.对样品进行了差式扫描量热(DSC)、X-射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)的测试,并结合第一性原理的计算结果,具体分析了氧含量对氧化钒纳米粉的晶格特性和结构相变造成的影响:缺氧样品中形成钒填隙,富氧样品中形成氧填隙,两种缺陷分别造成晶胞体积的膨胀;缺陷带来的各向异性造成晶粒形状的改变;同时,不同缺陷态造成的能带中电子状态的改变也可能成为影?煅趸暗慕峁瓜啾涮匦缘闹匾蛩刂?
氧化钒纳米粉 晶格特性 相变 化学剂量比 vanadium oxide nanopowders properties of crystal lattice phase transition stoichiometry 
红外与毫米波学报
2005, 24(2): 93

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!