作者单位
摘要
1 北京无线电测量研究所,北京 100854
2 北京航天微电科技有限公司,北京 100854
在传统的抽指加权技术基础上,该文提出了一种自适应抽指加权技术。通过计算确定抽指加权的起始位置和加权数值,能对切趾换能器进行部分指条的抽指加权。研究结果表明,根据该文提出方法研制的一款声表面波滤波器,其频率为61, 60 MHz,-1 dB相对带宽为3, 7%,带外抑制大于45 dB,矩形度为1, 4,器件的综合性能得到改善。
抽指加权 自适应 切趾 加权位置 加权数值 声表面波滤波器 withdrawal weighted adaptive apodization weighted position weighted value SAW filter 
压电与声光
2022, 44(2): 250
作者单位
摘要
1 北京航天微电科技有限公司,北京 100854
2 北京无线电测量研究所,北京 100854
声表面波(SAW)器件光刻过程中,制作的光刻胶线条宽度与掩模版不一致,特别是不同宽度的非均匀线条光刻后线宽变化值存在偏差。该文研究了接近式曝光衍射效应对线宽的影响,分析了掩模版上线条和缝隙宽度、衍射光强、掩模版与光刻胶间距等参数间的关系。结果表明,通过建立光学模型给出了计算曝光后不同线条宽度变化值的方法,采用程序编程可对掩模版数据中不同尺寸的线条和缝隙宽度进行补偿,实现SAW器件非均匀线条宽度的精确控制。
声表面波(SAW)器件 光刻 衍射效应 线宽 surface acoustic wave(SAW) devices photolithography diffraction effect line width 
压电与声光
2022, 44(2): 246
赵江 1,*何志群 1张娇 1张晓晋 1[ ... ]刘姝 2
作者单位
摘要
1 北京交通大学光电子技术研究所教育部发光与光信息技术重点实验室, 北京 100044
2 国家电光源质量监督检验中心(北京), 北京 100022
从荧光磷光复合结构的有机电致发光器件的研究入手,采用OXD-7作为蓝色荧光发光层,Ir(MDQ)2acac掺杂在母体材料作为红橙磷光发光层,设计制备了双波段白光有机电致发光器件。研究中发现,OXD-7,Alq3 和NPB的三组分协同作用可以导致电致激基复合物的产生,以及由此导致的光谱红移,并使得器件发光效率降低。通过插入TDAF中间层可以有效地抑制激基复合物的产生,同时,通过控制载流子传输的平衡,以及磷光材料的掺杂浓度,可以获得器件发光亮度、效率的提升。
光电子学 白色有机电致发光器件 激基复合物 荧光 磷光 
光学学报
2014, 34(8): 0823002
孟腾飞 1,2,*何志群 1刘姝 2刘淑洁 2[ ... ]张娇 1,2
作者单位
摘要
1 北京交通大学光电子技术研究所 教育部发光与光信息技术重点实验室, 北京 100044
2 国家电光源质量监督检验中心(北京), 北京 100022
制备并研究了基于3种小分子荧光材料的白光有机电致发光器件。发光层采用红色发光材料DCJTB掺杂绿光材料Alq3构成混合发光层, 与OXD-7构成的蓝色发光层形成异质结的结构, 并以NPB为空穴注入层。通过改变结构参数详细研究了发射光谱及其色坐标的电场依赖性。通过分析载流子注入/传输特性, 控制激子的复合区域等措施得到了色坐标稳定性好、光谱丰富的高性能白光电致发光器件。经过优化的器件结构可以覆盖更大的可见光区域, 当电压从9 V增加到13 V时, 色坐标仅从CIE(x,y)=(0.364, 0.314)偏移到CIE(x,y)=(0.332, 0.291), 具有较好的色稳定性。
白光电致发光 三波段 DCJTB∶Alq3掺杂 激子复合 色坐标稳定性 white OLED three-band DCJTB∶Alq3 doping exciton recombination color stability 
发光学报
2012, 33(10): 1095
作者单位
摘要
山西大学 物理电子工程学院量子光学与光量子器件国家重点实验室,山西 太原 030006
利用饱和吸收的方法得到了铯分子在780 nm附近X1Σ+g→B1Πu能级跃迁吸收带的一段饱和吸收谱,利用铷87Rb原子饱和吸收谱的5S1/2(F=2)→5P3/2(F′=2)的跃迁线为标准确定这一段饱和吸收谱的位置。实验中对其中的5条吸收峰进行了仔细观测,利用其中的一条饱和吸收峰“R5”对780 nm半导体激光器进行了稳频。测得稳频后的激光在800 s内频率的漂移小于1.5 MHz,从而提供了一种利用铯分子饱和吸收峰对780 nm半导体激光器进行稳频的新方法。此激光可以用于制备超冷基态铯分子,同时也可作为光通信波段1560 nm处的倍频参考光。
激光光学 稳频 饱和吸收光谱 铯分子 半导体激光器 
中国激光
2010, 37(5): 1182

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