1 中国电子科技集团公司 第二十六研究所，重庆 400060
2 重庆青年职业技术学院 人工智能学院,重庆 400712
该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO2温度补偿层，实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器，其频率温度系数约为-25×10-6/℃。通过适当的膜层结构设计，可使其频率温度系数在±3×10-6/℃。结果表明，由于温度补偿层的增加，导致器件总体压电效应降低，使谐振器的有效机电耦合系数降低。低温漂谐振器的实现，为窄带低温漂滤波器的研制提供了有效的设计和工艺技术支撑。
薄膜体声波谐振器(FBAR) 频率温度系数 低温漂 温度补偿 film bulk acoustic resonator(FBAR) temperature coefficient of frequency low temperature drift temperature compensation
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
该文介绍了一种单端口、端口阻抗50 Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器, 其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2 399~2 412 MHz, 陷波抑制达35 dBc; 通带频率分别为1 800~2 300 MHz和2 500~2 800 MHz, 通带插损仅1 dB; 3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明, 陷波器实测与仿真结果两者相吻合。
薄膜体声波谐振器(FBAR) 陷波器 芯片 梯形结构 低插损 film bulk acoustic resonator(FBAR) notch filter chip ladder-type structure low insertion loss
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
针对小型化双通带声表面波(SAW)滤波器的需求背景,对两端口、两通带的SAW滤波器的设计技术展开研究。通过搭建包含两组耦合模(COM)参数的双通带SAW滤波器声电协同仿真平台,分析优化滤波器性能,成功研制出CSP2520封装的双通带SAW滤波器, 其中心频率分别为1 995 MHz和2 185 MHz, 通带带宽均为40 MHz, 插入损耗小于3 dB, 通带间隔离度大于30 dB。测试与仿真结果基本一致。
双通带滤波器 声表面波(SAW)滤波器 芯片级封装 耦合模 dualband filter SAW filter CSP package the coupled mode
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底, 温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜, 利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明, 该温补型声表面波滤波器的中心频率约1 360 MHz, 在-55~85 ℃内频率漂移仅约390 kHz, 频率温度系数约-2×10-6/℃, 插入损耗约1.3 dB。
声表面波滤波器 温补型声表面波 频率温度系数 SAW filter TC-SAW temperature coeffcient of frequency(TCF)
