中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060
该文研制了一款频率3, 4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器。该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构，能提升抗热释电静电损伤能力，用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力。同时研制了尺寸为2, 0 mm×1, 6 mm的芯片级封装(CSP)基板。采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接，降低了电磁寄生影响。结果表明，研制的SAW滤波器频率为3, 408 GHz，插损为2, 23 dB，8 GHz远端阻带大于30 dB，且实测的功率承受能力达到30 dBm。
声表面波(SAW)滤波器 S波段 芯片级封装(CSP) surface acoustic wave(SAW) filter S band chip scale packaging(CSP)
1 中国电子科技集团公司 第二十六研究所，重庆 400060
2 重庆青年职业技术学院 人工智能学院,重庆 400712
该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO2温度补偿层，实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器，其频率温度系数约为-25×10-6/℃。通过适当的膜层结构设计，可使其频率温度系数在±3×10-6/℃。结果表明，由于温度补偿层的增加，导致器件总体压电效应降低，使谐振器的有效机电耦合系数降低。低温漂谐振器的实现，为窄带低温漂滤波器的研制提供了有效的设计和工艺技术支撑。
薄膜体声波谐振器(FBAR) 频率温度系数 低温漂 温度补偿 film bulk acoustic resonator(FBAR) temperature coefficient of frequency low temperature drift temperature compensation
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜。使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向, 并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力。试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好, 摇摆曲线半高宽达到3.21°, 均方根粗糙度为1.56 nm, 应力为-6.22 MPa。利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz, 插入损耗为50.7 dB, 优于美国Teledyne公司的产品。
延迟线 声体波(BAW) 压电薄膜 换能器 delay line bulk acoustic wave(BAW) piezoelectric film transducer
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
该文介绍了一种单端口、端口阻抗50 Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器, 其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2 399~2 412 MHz, 陷波抑制达35 dBc; 通带频率分别为1 800~2 300 MHz和2 500~2 800 MHz, 通带插损仅1 dB; 3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明, 陷波器实测与仿真结果两者相吻合。
薄膜体声波谐振器(FBAR) 陷波器 芯片 梯形结构 低插损 film bulk acoustic resonator(FBAR) notch filter chip ladder-type structure low insertion loss
1 中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
2 装备发展部驻重庆地区军事代表室, 重庆 400060
该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y-X LiNbO3为基片材料, 其中心频率约475 MHz, 插入损耗小于2 dB, 阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性, 结果表明该设计方法具有很好的实用性。
声表面波滤波器 周期调制 三换能器 surface acoustic wave filter pitch-modulated three-IDT
