1 模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 400060
2 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
3 模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 4000601
基于4级级联折叠插值架构,提出了一种12位ADC。电路采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计。单核达到1.5 GS/s的转换速度,接口输出为2-lane LVDS,延迟时间小于7 ns。前端采样保持电路和折叠插值量化器采用纯双极设计,在不修调的情况下可达到12位量化精度。最后，给出版图设计要点和测试结果。
模数转换器 折叠插值 低延迟 A/D converter folding and interpolation low latency
1 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
2 模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 400060
设计了一种离散时间型24位Σ- A/D转换器。该A/D转换器基于级联噪声整形(MASH)结构设计, 整个转换器由前置可编程增益放大器、级联调制器和数字抽取滤波器等模块组成。该A/D转换器采用标准018 μm CMOS工艺实现, 版图总面积为6 mm2。测试结果表明, 在16 kS/s输出数据速率下, 该A/D转换器的信噪比为106 dB, 无杂散动态范围为110 dB, 功耗仅为20 mW。
Σ- A/D转换器 Σ-调制器 级联MASH 噪声整形 双采样 Σ- A/D converter Σ- modulator cascade MASH noise shaping double-sampling
1 中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室， 上海 200083
2 上海科技大学， 上海 201210
3 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室， 上海 2000833
4 中国科学院大学， 北京 100049
石墨烯具有电子迁移率高、透过率高(T97.7%)且费米能级可调的特性。砷化镓的电子迁移率比硅的大5到6倍。引入砷化铟量子点后，光电探测器具有低暗电流、高工作温度、高响应率和探测率的特点,因而可被用于制备响应快、量子效率高和光谱宽的光电探测器。对基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基结的I-V特性和光电响应进行了研究。结果表明，在0 V偏压下，该器件在400 nm 950 nm均有响应，峰值响应率可达0.18 A/W；在反向偏压下，器件的峰值响应率可达到0.45 A/W。通过对暗电流随温度变化的特性进行分析，得到了InAs/GaAs量子点-石墨烯肖特基结在室温附近以及80 K附近的势垒高度。
石墨烯 肖特基结 砷化镓 砷化铟 量子点 graphene Schottky junction GaAs InAs quantum dot
中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
提出了全外延技术方案制备阻挡杂质带薄膜,避免了离子注入制备背电极层影响外延薄膜质量的技术难点.基于硅器件工艺设计制作了Si:P阻挡杂质带红外探测器.测量了器件的光电流响应谱和暗电流特性曲线,指认了叠加在光电流响应谱上的尖锐杂质峰对应阻挡层中磷原子的杂质跃迁.研究了器件在低温下小偏压范围内的暗电流起源.通过对计算结果分析,排除了该区域暗电流起源于热激发电导和跳跃式电导的可能,指出暗电流来自器件对冷屏的光电响应.器件工作温度5 K,工作偏压1.6 V时,响应波段覆盖2.5~40 μm,峰值波长28.8 μm,峰值响应率20.1 A/W,峰值探测率3.7×1013 cm·Hz1/2/W(背景光子通量低于1013 ph/cm2·s).
阻挡杂质带 暗电流 远红外 太赫兹 blocked impurity band dark current far infrared terahertz
1 华东师范大学 信息科学技术学院,极化材料与器件教育部重点实验室， 上海 200241
2 信息功能材料国家重点实验室， 上海 200050
采用时域有限差分法研究了二维金属光栅量子阱红外探测器的电磁场分布，研究表明充分利用金属表面等离子效应可显著提高量子阱红外探测器光耦合效率.研究还表明，对于8 μm长波量子阱红外探测器，金属光栅结构选取圆孔直径与光栅周期比为0.8～0.9是最有益的，此时可获得最大的光耦合效率.
量子阱红外探测器 二维金属光栅 时域有限差分(FDTD) 金属表面等离子效应 QWIPs 2D metal grating FDTD surface plasmons
